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[发明专利]基于无监督动量对比学习的高光谱目标检测方法-CN202310650344.6在审
发明人：王玉磊;陈昔;杨玉超;宋梅萍;赵恩宇 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2023-06-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06V20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无动量对比学习和Transformer网络的高光谱图像目标检测方法，包括：首先基于Transformer的编码器设计了用于高光谱目标检测任务中进行光谱特征提取的编码器与动量编码器。为了在关注光谱长距离依赖关系和自相似性的同时不忽略光谱中的局部细节信息，光谱特征提取编码器与动量编码器通过设计的重叠光谱块特征映射和交互token前馈层来关注光谱的局部细节信息。其次通过无监督动量对比学习的方式进行光谱鉴别能力学习，其中队列与以动量方式缓慢更新的动量编码器被使用来提供数量充足且一致性好的负样本特征，以帮助模型学习到更好地表示。最后，通过指数与归一化操作，幂函数与归一化操作对通过余弦相似性得到的检测结果进行两次非线性拉升以抑制背景。
基于监督动量对比学习光谱目标检测方法

[发明专利]一种面向多值忆阻器阵列的写-校验电路及方法-CN202311141769.0在审
发明人： 杨玉超;张权;闫龙皞;黄如;贺晓东;卜伟海 -专利权人：北京大学;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种面向多值忆阻器阵列的写‑校验电路及方法，属于微电子技术领域；本发明电路包括控制状态机、高电压通路和读出电路，通过写‑校验电路中控制状态机控制高电压通路和读出电路，实现对多值忆阻器阵列的写‑校验，写‑校验电路的读出电路中钳位放大器、钳位三极管和读出电阻组成的钳位电路使得可以读出具有更大开关比的器件的电导值，实现多值器件的精确读出；同时写‑校验方法中等待功能的引入，减少脉冲施加次数，降低弛豫时间对编程精度的影响，可以用更高的精度实现器件的编程。
一种面向多值忆阻器阵列校验电路方法

[发明专利]一种基于离子栅MoS2-CN202111088535.5有效
发明人： 杨玉超;刘昌;袁锐;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于离子栅MoS2晶体管的不平衡三值逻辑门的实现方法，利用正脉冲引起的离子栅MoS2晶体管的源漏电流值差异区分不同逻辑信号组合，实现了不平衡三值逻辑门。对于单个栅门调控，向栅极施加三个不同幅度的电压，可以测量出三个不同大小的源漏电流值，然后通过与参考电流值比较，实现了标准三值反相器、正三值反相器和负三值反相器。对于栅门和漏门组合调控，向栅极和漏极分别施加三个不同幅度的电压组合，可以测量出九个不同幅度的源漏电流值，然后通过与参考电流值比较，实现了三值与门、三值与非门、三值或门、三值或非门、三值异或门和三值异或非门逻辑。本发明为建立三值逻辑电路提供了新的见解，并有助于开发三值系统结构。
一种基于离子 mos base sub

[实用新型]一种彩钢板生产加工用定位切割装置-CN202321226131.2有效
发明人：邹炎斌;秦升学;陈天真;张弘斌;于彩红;杨玉超;赵秀娟 -专利权人：青岛河钢新材料科技股份有限公司;青岛河钢复合新材料科技有限公司;山东科技大学
申请日： 2023-05-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种彩钢板生产加工用定位切割装置，包括：加工台，所述加工台的顶部和底部分别安装有彩钢板生产用切割机构和收集机构；所述收集机构包括嵌套安装在加工台中部的支撑网板和固定插接在加工台底部的用于收集切割产生的碎屑的收集壳体，且收集壳体支撑在支撑网板的底部，所述收集壳体的底部对称嵌套安装有两个向下抽风的抽风扇，所述收集壳体的一侧壁通过铰链连接有挡板，且挡板远离收集壳体的一侧连接有把手，所述切割机构包括设置在加工台顶部的安装架和安装在安装架内侧顶部的第一直线导轨电机。该彩钢板生产加工用定位切割装置，能够及时的对切割产生的碎屑进行收集以免环境被污染，且切割操作较为方便。
一种彩钢板生产工用定位切割装置

[发明专利]一种低资源消耗的面向忆阻器耐久性的磨损均衡方法-CN202311036241.7有效
发明人： 杨玉超;张权;闫龙皞;黄如;贺晓东;卜伟海 -专利权人：北京大学;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种低资源消耗的面向忆阻器耐久性的磨损均衡方法，属于集成电路技术领域。本发明是将被频繁写入数据的存储空间块与未被频繁写入数据的存储空间块进行数据交换，使数据写入在整个存储空间上尽可能均匀，有助于缓解频繁读写带来的器件损坏的问题，提高RRAM阵列寿命。同时，该发明在不改变存储器整体架构的情况下，尽可能少的花费额外存储资源和算力，保证较低的面积与能量开销，具有广阔的应用前景。
一种资源消耗面向忆阻器耐久性磨损均衡方法

[发明专利]一种充压管道轴向荷载与横向往复作用耦合试验装置-CN202311047170.0在审
发明人：刘锋;孙巍;杨玉超;徐通;吴志杰;郇筱林 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01N3/36 文献下载
摘要：本发明公开一种充压管道轴向荷载与横向往复作用耦合试验装置，属于机器或结构部件的静或动平衡的测试领域。该装置包括刚性支撑组件、滑动组件、管道固定组件、荷载施加组件、管道、控制与数据采集组件；所述刚性支撑组件包括刚性反力架；所述滑动组件包括滑轨、刚性外箱、滑轮；所述管道固定组件包括滑动端固定组件、固定端固定组件；所述荷载施加组件可同时对管道施加轴向荷载和横向往复作用；所述控制与数据采集组件包括荷载传感器、压力传感器、应变片、非接触式应变位移测量仪、采集仪和计算机。本发明可实现内压、轴向拉/压和横向往复作用的实时耦合，并对其响应模式进行准确、便捷地测定。
一种管道轴向荷载横向往复作用耦合试验装置

[发明专利]一种同步读写观测的忆阻器阵列优化编程系统和编程方法-CN202310673207.4在审
发明人： 杨玉超;岳文硕;张腾;杨振;杨宇翔 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种同步读写观测的忆阻器阵列优化编程系统和编程方法。该编程系统包括集成在芯片上的忆阻器阵列模块、忆阻器编程模块、忆阻器状态监测模块与逻辑判断模块，忆阻器阵列利用了SL与WL平行，二者与BL垂直的阵列架构，可以无串扰、无漏电地支持实时编程与批量编程。该编程系统利用实时监测机制，在器件达到预定状态时就立刻结束编程，有效节约忆阻器阵列编程时间；利用实时观测器件状态并调整编程强度的方式，更加细致地调控器件编程阻态大小；结合本发明的阵列操作方式，可以对忆阻器阵列进行批量并行编程，进一步提高忆阻器阵列编程速度。
一种同步读写观测忆阻器阵列优化编程系统方法

[发明专利]一种读写可重构的忆阻器存算一体系统-CN202310673208.9在审
发明人： 杨玉超;岳文硕;张腾;杨振;杨宇翔 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种读写可重构的忆阻器存算一体系统，包括由M×N个1T1R结构单元组成的忆阻器阵列，每一列设置一条字线WL和一条源线SL，每一行设置一条位线BL，WL与SL平行，而BL与WL和SL垂直；在1T1R结构单元中，晶体管的源端连接SL，栅极连接WL，忆阻器的一端连接晶体管的漏端，另一端连接BL；阵列读出数据既可以从BL端输出，也可以从SL端输出，具有可重构性。该忆阻器存算一体系统可以有效防止阵列操作过程中所施加电压超过晶体管额定电压；结合本发明的操作方式，在对阵列进行读写时可以有效防止串扰与漏电，可以在无漏电情况下进行批量Forming/Set/Reset操作。
一种读写可重构忆阻器存算一体系统

[发明专利]基于局部单晶相的降低初始化电压的阻变存储器及其制备-CN202310687808.0有效
发明人： 杨玉超;杨振;张腾;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于局部单晶相的降低初始化电压的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括依次层叠的底部金属布线层、底电极、阻变介质层、顶电极和顶部金属布线层，在阻变介质层中引入局部单晶相，通过局部单晶相促进导电细丝的生长，显著降低器件的初始化操作电压，同时通过局部单晶相可以限制初始化中导电细丝生成和断裂的位置，降低后续操作的随机性。该阻变存储器的制备方法与传统CMOS工艺相兼容，可以直接用在后端集成工艺中，进行大规模生产；而且，通过降低器件的初始化电压，可以帮助器件与更加先进制程的CMOS进行集成，进一步降低存储单元的密度。
基于局部单晶相降低初始化电压存储器及其制备

[发明专利]一种基于忆阻器混合集成的人工异或型树突及其实现方法-CN202111043411.5有效
发明人： 杨玉超;杨振;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的混合集成电路单元，实现对异或型树突的核心功能模拟。本发明利用二极管的非线性、忆阻器RESET的电学特性以及晶体管的沟道电阻可调的特点，将三者进行串联实现异或型树突的“异或”逻辑以及模拟抑制性信号施加时对逻辑功能的影响。其异或型树突的非线性电学特性可以作为神经网络中的激活函数，使得单层感知机网络即可区分线性不可分的数据，其简单的电路单元结构比传统的CMOS激活函数单元需要更少的器件数量以及更小的面积，因此可以明显优化芯片整体性能。
一种基于忆阻器混合集成人工树突及其实现方法

[外观设计]包管支架型材组件（2）-CN202330024203.4有效
发明人：张亚雪;杨玉超 -专利权人：张亚雪
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： 25-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包管支架型材组件（2）。2.本外观设计产品的用途：用于作为包管支架的型材组件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1组合状态俯视图。5.指定设计1为基本设计。6.其他需要说明的情形其他说明：本外观设计产品不定长。
包管支架组件

[外观设计]包管支架型材组件（3）-CN202330061874.8有效
发明人：张亚雪;杨玉超 -专利权人：张亚雪
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： 25-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包管支架型材组件（3）。2.本外观设计产品的用途：用于作为包管支架的型材组件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计2组合状态俯视图。5.指定设计2为基本设计。6.其他需要说明的情形其他说明：本外观设计产品不定长。
包管支架组件

[发明专利]一种能够保持循环间开关比的阻变存储器及其制备方法-CN202310699956.4在审
发明人： 杨玉超;张腾;杨振;杨宇翔;岳文硕;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够保持循环间开关比的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底及其上的底电极‑阻变层‑储氧层‑离子阻挡层‑顶电极叠层结构，其中离子阻挡层的厚度为1~5 nm，成分为MOn，M为特定金属元素，选自Ta、Hf、Al、Ti、Zr、W，1≤n≤3。通过在器件储氧层和顶电极之间引入一层离子阻挡层，器件循环操作过程中的氧离子在储氧层和顶电极之间的扩散会被阻断，从而保证了功能层中的氧离子在不同极性电压下发生可逆的迁移，进而可以使得器件在循环操作下的开关比得以保持。同时，该阻变存储器具有低操作电压及制备工艺与传统CMOS工艺相兼容的优点，便于推广应用。
一种能够保持循环开关存储器及其制备方法

[实用新型]一种包管组件-CN202320613137.9有效
发明人：张亚雪;杨玉超 -专利权人：张亚雪
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： E04F17/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及包管组件技术领域，提出了一种包管组件，包括主龙骨、副龙骨和连接主龙骨和副龙骨的连接板，主龙骨上具有扣合凸起，副龙骨具有第一卡槽，还包括扣合条，扣合条的一端具有扣合槽，扣合槽用于扣合凸起卡接，扣合条具有延伸部，延伸部与主龙骨组成第二卡槽。通过上述技术方案，解决了现有技术中检修时，包管组件拆卸难度大的问题。
一种包管组件

[实用新型]一种可拆卸卡扣式包管组件-CN202320288893.9有效
发明人：张亚雪;杨玉超 -专利权人：张亚雪
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： E04F13/073 文献下载
摘要：本实用新型涉及包管组件技术领域，提出了一种可拆卸卡扣式包管组件，包括主龙骨和副龙骨，还包括扣合凸起和扣合条，扣合凸起设置在主龙骨和副龙骨上，扣合条一侧与扣合凸起卡接，扣合条另一侧用于结合装饰面板，扣合条的两端具有延伸部，延伸部与主龙骨或副龙骨组成卡槽，相邻两个卡槽组成卡接空间，卡接空间用于放置内装饰面板。通过上述技术方案，解决了现有技术中装饰面板固定在包管组件上无法既能保证隔音隔热效果，又安装稳定的问题。
一种可拆卸卡扣式包管组件

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