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[发明专利]量子点激光器的制作方法-CN202210375524.3有效
发明人：张鹏;陆书龙;杨文献;顾颖;邱海兵;张雪 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点激光器的制作方法，包括：MOCVD设备中，在衬底上依次生长n型限制层和n型波导层，获得初步样品；将初步样品转移至MBE设备中，然后在n型波导层上依次生长量子点有源区、p型波导层、电子限制层、p型限制层和p型接触层。本发明结合了MOCVD工艺成本低、生长速率高和MBE工艺在低维材料生长好，p‑GaN上制备的优势，制备出的氮化镓基量子点激光器具有高温稳定性，低阈值电流密度等特性。
量子激光器制作方法

[实用新型]一种衣帽钩胶塞结构-CN202320461146.0有效
发明人：王奎霖;刘波;刘德东;杨文献 -专利权人：王奎霖
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： F16B19/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种衣帽钩胶塞结构，包括软质塞体，还包括冠簧，所述冠簧包括鼓形部和承接部，所述鼓形部包括两端较细的圆管部和中间较粗的凸鼓部，所述承接部设置于鼓形部的一端，所述承接部上开设有与鼓形部连通的通孔；所述软质塞体呈T型结构，包括头部和杆部，所述软质塞体的杆部插设于冠簧中；承接部为圆盘状，承接部上开设的通孔为圆柱形通孔，此圆柱形通孔与鼓形部的通孔共中心轴线；承接部上开设的圆柱形通孔，远离鼓形部的一端设置有扩口结构；本实用新型尺寸更好控制，安装更加稳定，不易从安装孔中脱落；本实用新型的鼓形部远离承接部的一端的圆管部上设置有多个压铆点，通过各压铆点使得软质塞体与冠簧之间连接的更加牢固。
一种衣帽钩胶塞结构

[实用新型]一种速度传感器检测校验用便携设备-CN202320493381.6有效
发明人：王奎霖;宫建波;崔伟;雒福军;刘波;刘德东;杨文献 -专利权人：王奎霖
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01P21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种速度传感器检测校验用便携设备，包括驱动电机和测试齿轮，还包括拖拽箱，拖拽箱包括箱体和箱盖，箱盖的一侧与箱体铰接相连，另一侧与箱体通过锁合结构相连；箱体的内底壁上设置有安装座，驱动电机安装在安装座上，测试齿轮竖直安装在驱动电机的转轴上；安装座上还设置有安装支架，安装支架用于安装速度传感器；箱体中设置有控制电路板，驱动电机和被检测的速度传感器均与控制电路板电性相连；箱盖的内壁上设置有显示器，显示器也与控制电路板电性相连；本实用新型能够对速度传感器进行检测和校验，同时本实用新型质量和体积较小，各机械结构和电气结构集成在一个拖拽箱中，方便携带，可以快速响应现场检测需求。
一种速度传感器检测校验便携设备

[发明专利]芯片制备方法及芯片结构-CN202211626310.5在审
发明人：张鹏;陆书龙;杨文献;顾颖;华浩文;龚毅;朱建军 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片制备方法及芯片结构，该方法包括：提供衬底；在衬底上生长蓝光外延结构；选择性刻蚀蓝光外延结构，以形成第一槽结构；在第一槽结构内生长绿光外延结构；选择性刻蚀蓝光外延结构，以形成第二槽结构；在第二槽结构内生长红光外延结构；在所述蓝光外延结构、绿光外延结构和红光外延结构上生长第二半导体层。本发明的芯片制备方法，在材料外延阶段将RGB三色集成在了同一单晶片上，无需进行转移，极大的降低了成本，提高了良品率以及制备效率。
芯片制备方法结构

[实用新型]一种风力机叶片状态监测系统-CN202223207908.9有效
发明人：魏克湘;尹燕;刘金刚;杨文献;周舟;蒋邦;梁鹏程;冯学斌 -专利权人：湘潭大学;湖南工程学院
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： F03D17/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种风力机叶片状态监测系统，所述风力机包括塔筒、轮毂和多个叶片，多个叶片通过轮毂安装在塔筒上，叶片设有内部容腔，所述监测系统包括拾音器、极端服务器、叶片监测软件和用于采集叶片内的混响噪声的采集器，拾音器设有至少一个，拾音器安装在叶片的内部容腔中，采集器和极端服务器电连接，极端服务器中安装有对采集到的信号进行处理的叶片监测软件。本实用新型通过所述监测系统对风力发电机叶片实时监测，实现叶片损伤或故障的自动诊断，此噪声监测为叶片内部混响噪声，最大程度的减少外部的环境噪声和风力机其他机械噪声对状态监测结果的影响，所述监测系统和方法成本低、可靠性高、稳定性高。
一种风力机叶片状态监测系统

[发明专利]一种基于混响噪声的风力机叶片状态监测系统和方法-CN202211528436.9在审
发明人：魏克湘;尹燕;刘金刚;杨文献;周舟;蒋邦;梁鹏程;冯学斌 -专利权人：湘潭大学;湖南工程学院
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01M13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于混响噪声的风力机叶片状态监测方法，包括：步骤S1：采集叶片内部的噪声信号；步骤S2：将采集到的噪声信号进行降噪处理；步骤S3：对降噪处理后的信号进行图像特征提取；步骤S4：将提取的图像与数据库故障特征进行对比，识别出提取的图像特征对应的叶片损伤或故障。本发明实时监测风力发电机叶片，实现了叶片损伤或故障的自动诊断，噪声监测为叶片内部混响噪声，最大程度的减少外部的环境噪声和风力机其他机械噪声对状态监测结果的影响，可靠性高、稳定性高。早期预测故障，合理安排检维修和生产计划，避免恶性生产事故的发生；精确定位故障原因，减少人员工作量。
一种基于混响噪声风力机叶片状态监测系统方法

[发明专利]基于猫头鹰翅膀特征的仿生洋流发电机叶片的设计方法-CN202211101619.2在审
发明人：魏克湘;郑扬扬;杨文献;杨博;陈妍伶;邹鸿翔;宋晓萍 -专利权人：湖南工程学院
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明提供了基于猫头鹰翅膀特征的仿生洋流发电机叶片的设计方法，包括步骤：获取原型叶片设计参数；计算和选定至少一个后掠长度；选取多个后掠角；建立原型叶片模型和多个仿生洋流发电机叶片模型；通过数值模拟方法计算获得所述原型叶片和各仿生洋流发电机叶片的叶轮的扭矩；计算并对比原型叶片的功率系数和各所述仿生洋流发电机叶片的功率系数；选取功率系数大于原型叶片的仿生洋流发电机叶片。本发明的目的是提供基于猫头鹰翅膀特征的仿生洋流发电机叶片的设计方法，仿照猫头鹰翅膀结构设计了带有后掠部的洋流发电机叶片，可获得功率系数大于原型叶片功率系数的仿生洋流发电机叶片的后掠长度和后掠角范围。
基于猫头鹰翅膀特征仿生洋流发电机叶片设计方法

[实用新型]一种耐用性LED投光灯-CN202221643107.4有效
发明人： 杨文献;胡立红;宋伟 -专利权人：深圳市领域智能照明有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED投光灯技术领域，具体为一种耐用性LED投光灯，调节装置包括转轴，转轴的表面固定安装有翻转块，翻转块的表面固定安装有灯体，转轴的一端端口表面固定安装有限位盘，限位盘的环形外壁表面均匀的开设有多个限位孔，U型底座的一侧外壁表面开设有竖槽，竖槽的内部滑动连接有滑板，滑板的表面固定安装有插杆，U型底座的一侧外壁表面开设有两个滑槽，两个滑槽之间滑动连接有滑移板，支撑板和滑板之间固定安装有弹簧。本实用新型，解决现有的LED投光灯都是通过螺栓将灯体固定在灯具壳体内，而使用这种固定方式就会使得无法对投光角度进行调节，进一步就会导致不能满足装饰照明的实际需求的问题。
一种耐用性 led 投光灯

[发明专利]一种智能照明灯及照明系统-CN202210909717.2有效
发明人： 杨文献;胡立红 -专利权人：深圳市领域智能照明有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明涉及照明设备技术领域，具体公开了一种智能照明灯及照明系统，其中，一种智能照明灯，包括底座、发光件和灯罩，灯罩扣接在底座上并形成用于容纳发光件的罩内空间，灯罩由下至上分为若干个透光性不同的照明区间，发光件的上方设有用于驱动发光件升降的升降件；升降件包括驱动部和圆周转动部，圆周转动部的上方设有能够转动的调转件。一种照明系统，包括所述的智能照明灯。本智能照明灯及照明系统通过对底座为升降件和调转件提供了安装空间，二者相互配合实现发光件的升降，发光件在不同高度所对应的灯罩透光性不同，则发光件的升降至不同照明区间时光线透出情况不同，可形成不同的照明范围与照明效果，以适配于使用者不同的使用需求。
一种智能照明灯照明系统

[发明专利]微弱交变电信号获取方法及系统-CN202210674041.3在审
发明人： 杨文献;陆书龙;顾颖;蒋敏;张鹏 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微弱交变电信号获取方法及系统，所述方法包括：S1、测量半导体光电子器件的暗态电流‑电压特性曲线；S2、基于信号发生器产生交变电压信号，并施加于激励光源上；S3、在外界无光环境中，利用施加有交变电压信号的激励光源照射半导体光电子器件；S4、于半导体光电子器件上施加负偏置电压，测量半导体光电子器件的电流‑时间关系曲线，获得微弱交变电信号。本发明是利用半导体光电子器件的光电转换特性，通过光调控手段实现对器件暗电流的控制，从而将其由微弱直流信号转换为振幅和频率可控的微弱交变电信号。
微弱变电信号获取方法系统

[实用新型]定子冲压机-CN202220884768.X有效
发明人：游红;杨博;杨文献;柳洲;吴祥;蔡俊 -专利权人：湖南工程学院
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B21D28/22 文献下载
摘要：本实用新型公开一种定子冲压机，定子冲压机包括安装壳和均设置在所述安装壳上的控制器、回转组件、冲压组件、码垛组件以及载物台，所述控制器与所述回转组件、所述冲压组件和所述码垛组件电连接，所述回转组件用于承载定子并带动所述定子旋转，所述冲压组件设于所述回转组件上方并能够间歇性的朝所述定子移动以间歇式冲压所述定子，所述码垛组件用于将已冲压完毕的定子吸取并转运和码垛在所述载物台上。
定子冲压机

[实用新型]一种多镜头的LED点光源-CN202221639076.5有效
发明人： 杨文献;胡立红;宋伟 -专利权人：深圳市领域智能照明有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本申请涉及LED点光源技术领域，具体为一种多镜头的LED点光源。本申请，包括灯板，所述灯板的上表面放置有灯罩，所述灯板的侧壁电性连接有两个电线，所述灯板的上表面电性连接有若干个灯珠，所述灯板的表面设有装配结构，所述装配结构包括四个定位杆，四个所述定位杆均与灯板的上表面固定连接，所述灯罩的表面均匀开设有四个定位孔，所述定位杆的尺寸与灯罩上定位孔的尺寸相适配，所述灯板的侧壁固定连接有两个连接架，两个所述连接架的内部均滑动连接有限位杆，两个所述限位杆彼此靠近的一端均固定连接有卡框，所述卡框呈直三棱柱结构，所述卡框和连接架彼此靠近的一侧固定安装有两个第一弹簧。解决了现有灯板和灯罩之间装配效率低的问题。
一种镜头 led 光源

[发明专利]自组装InGaN量子点及其制备方法-CN202210672225.6在审
发明人： 杨文献;陆书龙;张雪;金山;邱海兵;魏铁石;顾颖;张鹏 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种自组装InGaN量子点及其制备方法，所述制备方法包括：S1、基于分子束外延工艺，持续通入In源、Ga源及N源，在衬底上外延生长InGaN浸润层；S2、基于分子束外延工艺，持续通入In源及Ga源，周期性通入和/或中断N源，在InGaN浸润层上进行InGaN量子点的成核及生长。本发明采用两步生长法实现InGaN量子点的自组装生长，相对于S‑K模式直接生长或中断生长法，本发明对InGaN量子点生长动力学过程有更强的调控能力，一方面有利于促进In原子并入，拓展发光波长，另一方面可以改善量子点的微观形貌，提高其密度，以及尺寸和分布的均匀性。
组装 ingan 量子及其制备方法

[发明专利]一种生长多量子阱的方法、多量子阱-CN202210625325.3在审
发明人：朱建军;陆书龙;李雪飞;杨文献 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种生长多量子阱的方法、多量子阱，所述生长多量子阱的方法包括：P1：在第一温度T1下，生长垒层材料InaGa1‑aN材料；P2：将第一温度T1降低至第二温度T2，在温度变化的过程中停止或继续InbGa1‑bN材料的生长；P3：在第二温度T2下，生长阱层材料IncGa1‑cN材料；P4：将第二温度T2升温至第三温度T3，在温度变化的过程中保持IndGa1‑dN材料的生长；P5：在第三温度T3下，生长垒层材料IneGa1‑eN材料；依序重复P2至P5的操作，重复次数N≥1。所述方法通过将切换阱层材料和垒层材料生长条件的过程设置成一个生长温度变化且保持材料生长的过程，有利于提高多量子阱的阱/垒两种材料间存在的异质界面质量，还有利于维持阱层材料中的In组分在较高水平，进而有利于提高器件的性能。
一种生长多量方法

[发明专利]半导体外延结构及其制备方法、半导体光电器件-CN202210495179.7在审
发明人： 杨文献;张雪;陆书龙;金山;魏铁石;邱海兵;顾颖;张鹏 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体外延结构及其制备方法、半导体光电器件，所述半导体外延结构包括衬底及位于衬底上的有源区结构，所述有源区结构从下向上依次包括数字合金量子阱层、第一势垒层、量子点层及第二势垒层，所述数字合金量子阱层为(AlN)m/(GaN)n超晶格结构、或(GaN)m/(InN)n超晶格结构、或(AlN)m/(InN)n超晶格结构，其中，m+n＝6。本发明中通过引入(AlN)m/(GaN)n超晶格结构、或(GaN)m/(InN)n超晶格结构、或(AlN)m/(InN)n超晶格结构作为数字合金量子阱层，并结合量子点层作为复合有源区结构，可以使正向的TE模偏振光成为发光模式的主导，提高了LEE并降低了器件发热；量子点结构具有很强的强局域态效应，能够有效束缚载流子，增加其辐射复合系数，从而提高发光性能和发光效率。
半导体外延结构及其制备方法光电器件

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