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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光学传感器及其制造方法-CN201510489874.2有效
发明人：游腾健;林圣富;杨名声 -专利权人： PGI股份有限公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种光学传感器。光学传感器包含半导体基板。光感测区在半导体基板上。导波区用于从波入射部将光引导经过导波部以及至样品置放部。导波部包含第一介电层，其包含第一折射率。第二介电层包含第二折射率。第二折射率小于第一折射率。第一互连部位于导波部中，用于从光感测区将电子信号传送至外部电路。样品置放部在光感测区上方。
光学传感器及其制造方法

[发明专利]磁阻传感器及其制造方法-CN201410396052.5在审
发明人：陈光镜;李佳谋;汤泰郎;李干铭;杨名声 -专利权人：宇能电科技股份有限公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：一种测试磁传感器用的测试组件包括测试接口与可拆卸式的磁场产生器。测试接口包括一基板及多个测试终端。基板包括第一侧及与第一侧相对的第二侧。多个测试终端是配置于基板的第一侧上。可拆卸式的磁场产生器是以可拆卸的方式配置于基板的第二侧。可拆卸式的磁场产生器包括线圈支撑件及卷绕线圈支撑件的至少一线圈。
磁阻传感器及其制造方法

[发明专利]一种半导体装置-CN201310158721.0无效
发明人：黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 -专利权人：艾芬维顾问股份有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包含：衬底；硅穿孔(TSV)，贯穿该衬底；至少一第一内联机结构，从该硅穿孔的上方横跨该硅穿孔而将该硅穿孔正上方的区域切割为数个子区域，且用以作为一主动装置的内联机绕线；及复数第二内联机结构，占据该硅穿孔正上方的这些子区域并用以将该硅穿孔电耦合至更高层次的内联机。
一种半导体装置

[发明专利]一种堆栈芯片系统-CN201310158714.0无效
发明人：黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 -专利权人：艾芬维顾问股份有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆栈芯片系统，包含：第一芯片；第二芯片；第一组硅穿孔(TSV)，连接该第一芯片与该第二芯片且包含至少一第一VSS硅穿孔、至少一第一VDD硅穿孔、复数第一讯号硅穿孔与至少一第一冗余硅穿孔；及第二组硅穿孔(TSV)，连接该第一芯片与该第二芯片且包含至少一第二VSS硅穿孔、至少一第二VDD硅穿孔、复数第二讯号硅穿孔与至少一第二冗余硅穿孔，其中该第一组硅穿孔的所有硅穿孔皆由用以选择该至少一第一冗余硅穿孔并绕道该第一组硅穿孔之剩余硅穿孔中的至少一硅穿孔的第一选择电路所耦合，且其中该至少一第一冗余硅穿孔与该至少一第二冗余硅穿孔系由用以允许此两硅穿孔互相替换的第二选择电路所耦合。
一种堆栈芯片系统

[发明专利]一种半导体装置-CN201310158651.9无效
发明人：黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 -专利权人：艾芬维顾问股份有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，包含:衬底，包含具有第一表面的第一侧与具有第二表面的第二侧;凹陷的硅穿孔(TSV)，贯穿该衬底并相对于该第一侧的该第一表面形成一第一段差;及第一突出的重分布联机(RDL)，填入该第一段差并与该凹陷的硅穿孔衔合。
一种半导体装置

[发明专利]集成电路布局-CN201310156761.1无效
发明人：黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 -专利权人：艾芬维顾问股份有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路布局，包含：VDD硅穿孔(VDD TSV)，用以耦合正操作电压(VDD TSV)；讯号硅穿孔(讯号TSV)用以耦合操作讯号；复数VSS硅穿孔，位于该VDD TSV与该讯号TSV附近且用以耦合操作电压VSS；及一或多个重分布联机(RDL)，将该复数VSS硅穿孔连接在一起并形成围绕该VDD硅穿孔与该讯号硅穿孔的类网状散热结构。
集成电路布局

[发明专利]具有硅穿孔的半导体装置及其制造方法-CN201310156181.2无效
发明人：黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 -专利权人：艾芬维顾问股份有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有硅穿孔半导体装置，包含：基板，具有前侧与背侧；及硅穿孔，贯穿该基板且在该前侧具有圆形且在该背侧具有圆角化的矩形。
具有穿孔半导体装置及其制造方法

[发明专利]硅穿孔的制造方法-CN201310153051.3无效
发明人：黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 -专利权人：艾芬维顾问股份有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅穿孔的制造方法，包含下列步骤。提供一衬底。在该衬底中形成一通孔，此通孔有至少为lμm的直径及至少为5μm的深度。利用第一蚀刻/沈积比来进行第一化学气相沈积处理，以在该通孔的底部与侧壁上以及该衬底的上表面上形成一介电层。利用第二蚀刻/沈积比来进行一形状修正处理，以改变该介电层的轮廓。重复该第一化学气相沈积处理与该形状修正处理至少一次，直到该介电层的厚度达到一预定值。
穿孔制造方法

[发明专利]整合结构-CN201310150648.2无效
发明人：黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 -专利权人：艾芬维顾问股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种整合结构，包含:衬底，具有第一介电层与第二介电盖层依序设置于衬底上;金属栅极晶体管，具有设置于该衬底上的高介电常数栅极介电层、嵌于该第一介电层之内的栅电极以及位于该衬底内的源极/漏极;第一金属接触件，贯穿该第一介电层且与该源极/漏极直接接触;及硅穿孔，贯穿该第二介电盖层、该第一介电层与该衬底。
整合结构

[发明专利]堆栈集成电路系统-CN201310156101.3无效
发明人：黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 -专利权人：艾芬维顾问股份有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种堆栈集成电路系统，包含:第一芯片，具有第一平均图案密度且包含存储胞;第二芯片，具有第二平均图案密度且包含该存储胞用的逻辑电路与一功能单元;及复数硅穿孔，位于该第一芯片与第二芯片中的一者内以电连接该第一芯片与该第二芯片，其中该第一芯片的该存储胞与该第二芯片的该逻辑电路被设计成共同使用以达到完整的内存功能，其中该第一平均图案密度系高于该第二平均图案密度。
堆栈集成电路系统

[发明专利]半导体装置-CN201310153027.X无效
发明人：黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 -专利权人：艾芬维顾问股份有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包含：衬底；硅穿孔(TSV)，贯穿该衬底；复数个第一内联机结构，位于该硅穿孔的正上方并用于将该硅穿孔电耦合至更高层次的内联机；第二内联机结构，从该硅穿孔的上方横跨该硅穿孔并用来作为一主动装置的内联机绕线；及复数冗余金属图案，位于该硅穿孔正上方而与该硅穿孔、该第一内联机结构及该第二内联机结构电绝缘。
半导体装置

[发明专利]一种具有空气间隔的集成电路的制作方法-CN200610145848.9有效
发明人：卢火铁;李大为;王光志;杨名声 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-11-07 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明是提供一种具有空气间隔(air gap)的集成电路的制作方法。首先于一基底上形成一底层，并于该底层上形成一第一层金属导线图案。接着于第一层金属导线图案以及底层上形成一介电层，并于该介电层上形成一第二层金属导线图案。随后利用第一层金属导线图案以及第二层金属导线图案作为一蚀刻屏蔽，非等向性蚀刻部分的该介电层以及该底层，以形成复数个凹槽，同时使剩余的介电层构成第二层金属导线图案的支撑结构。最后进行一化学气相沉积(CVD)制程，以于各该凹槽表面以及第二层金属导线图案上沉积一盖层，并封盖各该凹槽，形成复数个空气间隔。
一种具有空气间隔集成电路制作方法

[发明专利]一种具有空气间隔的集成电路结构及其制作方法-CN03156606.5无效
发明人：卢火铁;李大为;王光志;杨名声 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-09-05 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明是提供一种具有空气间隔(air gap)的集成电路结构及制作方法。首先于一基底上形成一底层，并于该底层上形成一第一层金属导线图案。接着于第一层金属导线图案以及底层上形成一介电层，并于该介电层上形成一第二层金属导线图案。随后利用第一层金属导线图案以及第二层金属导线图案作为一蚀刻屏蔽，非等向性蚀刻部分的该介电层以及该底层，以形成复数个凹槽，同时使剩余的介电层构成第二层金属导线图案的支撑结构。最后进行一化学气相沉积(CVD)制程，以于各该凹槽表面以及第二层金属导线图案上沉积一盖层，并封盖各该凹槽，形成复数个空气间隔。
一种具有空气间隔集成电路结构及其制作方法

[发明专利]一种避免电镀沉积铜薄膜生成空穴的装置及其使用方法-CN03109052.4无效
发明人：陈学忠;蔡腾群;杨名声 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-04-02 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种改良的电镀沉积铜(Electro－Chemical Deposition Copper，ECD－Cu)装置以及避免铜沉积薄膜生成空穴(cavity)的方法。该电镀装置包含有一电解槽，一阳极，设于该电解槽内，以及一旋转平台，用以放置一作为电镀沉积阴极的晶圆。本发明方法是于进行该电镀铜沉积制程时，控制该旋转平台以1秒至10秒的周期交替正、逆时针方向旋转，以避免于该电解槽内的电镀溶液形成稳定的漩涡，进而抑制漩涡中的气泡附着在晶圆表面而于电镀铜薄膜中形成许多空穴的现象。
一种避免电镀沉积薄膜生成空穴装置及其使用方法

[发明专利]一种避免电镀沉积铜薄膜生成空穴的装置及其使用方法-CN200410006409.0有效
发明人：陈学忠;蔡腾群;杨名声 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种改良的电镀沉积铜(Electro－Chemical Deposition Copper，ECD－Cu)装置以及避免铜沉积薄膜生成空穴(cavity)的方法。该电镀装置包含有一电解槽，一阳极，设于该电解槽内，以及一旋转平台，用以放置一作为电镀沉积阴极的晶圆。本发明方法是于进行该电镀铜沉积制程时，控制该旋转平台以1秒至10秒的周期交替正、逆时针方向旋转，以避免于该电解槽内的电镀溶液形成稳定的漩涡，进而抑制漩涡中的气泡附着在晶圆表面而于电镀铜薄膜中形成许多空穴的现象。
一种避免电镀沉积薄膜生成空穴装置及其使用方法

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