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[发明专利]二极管替代电路及具有其的栅极驱动芯片-CN202310954382.0在审
发明人：滕爵润;余远强;杨世红;熊平 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种二极管替代电路及具有其的栅极驱动芯片，二极管替代电路包括：输入逻辑模块、电平移位模块和高压开关模块；输入逻辑模块的输入端适用于与控制芯片电连接，输入逻辑模块的输出端与电平移位模块的输入端电连接；电平移位模块的输出端与高压管开关模块的输入端电连接；高压开关模块的输出端适用于与电容器电连接；输入逻辑模块用于接收逻辑信号，基于逻辑信号控制电平移位模块；电平移位模块用于将低侧信号转换为高侧信号；高压开关模块用于根据电平移位模块的输出信号导通或截止。通过输入逻辑模块和电平移位模块从低侧通道生成逻辑信号，降低芯片的工艺实现难度，减少续流二极管导通压降带来的功率损耗，提高芯片性能。
二极管替代电路具有栅极驱动芯片

[实用新型]一种VR游戏座椅-CN202320985008.2有效
发明人： 杨世红;黄永武;谢伟舜 -专利权人：中山市大象无形环境艺术工程有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： A47C1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种VR游戏座椅，包括：固定立座、第一运动架、第二运动架和人体工学座椅，固定立座的表面固定安装有立杆和导轨座，第一运动架包括偏摆撑条、偏摆驱动条和第一驱动舵机，偏摆撑条滑动套接于导轨座的内侧，第一驱动舵机固定安装于立杆的表面且输出端与偏摆驱动条的一侧固定连接，偏摆驱动条的另一侧与偏摆撑条的表面垂直连接，第二运动架转动安装于偏摆撑条的内侧。本实用新型中，通过设置新型运动组件，分别由第一驱动舵机和第二驱动舵机驱动第一运动架和第二运动架进行相互垂直向的偏转运动以带动人体工学座椅进行各种角度倾转模拟VR游戏内场景运动，更具真实感，使用体验更好。
一种 vr 游戏座椅

[发明专利]纵向BCD器件及制备方法-CN202310777048.2在审
发明人：李小红;余远强;杨世红;徐永年;苗东铭 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种纵向BCD器件及制备方法，纵向BCD器件包括：N型衬底、第一N型外延层、第二N型外延层、P型埋层、BCD结构和Trench VDMOS结构；第一N型外延层外延生长于N型衬底的表面，第二N型外延层外延生长于第一N型外延层的表面；BCD结构设置于第二N型外延层和P型埋层上，Trench VDMOS结构是形成于第二N型外延层上的；BCD结构设置有VBB引出端和GND引出端，Trench VDMOS结构设置有源极引出端，N型衬底下端面设置有漏极引出端，通过将Trench VDMOS结构与BCD结构集成于一体，有效地提升了BCD工艺与VDMOS的兼容性。
纵向 bcd 器件制备方法

[发明专利]一种亚硝酸盐氧化细菌富集液的高密度发酵方法-CN202310687867.8在审
发明人：刘佳敏;吴定心;范帅;潘超;周闯;廖泽远;盖文婷;孟希;刘康志;杨世红;谢一敏;朱海 -专利权人：武汉水之国环保科技有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚硝酸盐氧化细菌富集液的高密度发酵方法，包括以下步骤：将亚硝酸盐氧化细菌富集液制备成亚硝酸盐氧化细菌种子液，并对该种子液进行低温处理；将种子液接入发酵培养基，同步接入酵母菌进行发酵，在发酵前期补入低浓度的亚硝态氮，在发酵的中后期则补入高浓度的亚硝态氮，直至发酵速率不再上升时结束发酵。本发明提供的高密度发酵方法，有效提升了亚硝酸盐氧化细菌富集液的发酵水平，并减弱了发酵过程中杂菌的影响，为无法纯培养的亚硝酸盐氧化细菌的培养速率低的技术问题提供了一种解决方案。
一种亚硝酸盐氧化细菌富集高密度发酵方法

[发明专利]一种线性平面功率VDMOS结构及其制备方法-CN202310761606.6在审
发明人：苗东铭;杨世红;余远强;徐永年;李小红 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种线性平面功率VDMOS结构及其制备方法，用于解决现有VDMOS结构只适用于小尺寸功率MOS，且采用高浓度高能杂质离子注入与二次退火方案形成势垒屏蔽结构时工艺实现困难、稳定性较差，以及JFET区电阻过大的技术问题。本发明提供的VDMOS结构制备方法，增加了一次光刻和刻蚀工艺，并采用普通低能离子注入和退火工艺，不需要对离子注入和退火工艺参数进行精细控制，降低了工艺实现难度，提高了结构可靠性。同时，由于Shield区的离子注入能量较低，使得VDMOS结构中Shield区的结深较浅，JFET区深度减小，降低了JFET区电阻；另外采用光刻图形定义Shield区的横向延伸长度，使Shield区相对于Base区额外的横向延伸长度可控，适用于大尺寸功率MOS器件Id‑Vd线性特性的改善。
一种线性平面功率 vdmos 结构及其制备方法

[发明专利]一种原边反馈FB引脚短路保护电路和方法-CN202310626752.8在审
发明人：周聪;杨世红;余远强 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H02H7/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种原边反馈FB引脚短路保护电路和方法，所述电路包括：采样锁存模块、第二比较器、FB短路检测模块、逻辑判断模块及主控制逻辑模块，在AC‑DC芯片内部增加一个第二比较器，在内部驱动信号开通时刻将FB引脚的负电压与第二比较器的基准值进行比较，从而通过检测FB引脚的负电压状态进行锁存，控制主逻辑电路触发保护，快速关闭驱动，从而实现FB短路保护，确保FB引脚对地短路状态下，无过高开关频率，无输出电压及VDD电压过高问题，减小器件损坏风险，并可以实现故障解除后自动恢复正常工作。
一种反馈 fb 引脚短路保护电路方法

[发明专利]一种高侧驱动芯片短路保护箝位电压控制方法和电路-CN202310653208.2在审
发明人：熊平;杨世红;余远强;陈力 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种高侧驱动芯片短路保护箝位电压控制方法和电路，当检测到所述短路保护单元的VBB端与OUT端的电压差大于功率MOS管的驱动电压时，通过输入引脚信号inL1与芯片内部基准电流信号bias2控制所述启动模块的第五PMOS管导通后开启所述比较器模块；所述补偿电流模块向所述比较器模块输送补偿电流；所述比较器模块根据所述补偿电流对应的补偿电压与比较器基准电压进行对比，并输出比较器输出电压；通过所述比较器输出电压将第六PMOS管导通，下拉gate端电压，将gate端与OUT端的压降调节到箝位电压，从而根据补偿电流及比较器的比较结果，调节短路电流，使得短路电流线性下降，MOS管的功耗保持在稳定值，并且相比现有分段栅源箝位电压方式中功耗更低。
一种驱动芯片短路保护箝位电压控制方法电路

[发明专利]高侧驱动半导体芯片及衬底电位处理方法-CN202310371334.9在审
发明人：熊平;杨世红;余远强;齐玥;王奇奇 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：一种高侧驱动半导体芯片及衬底电位处理方法，所述芯片包括Vbb端、IN端和OUT端，以及设置在芯片内的P型衬底、电荷泵、GATE驱动模块；所述GATE驱动模块包括功率MOS管；在IN端和GATE驱动模块的GATE端之间增加衬底电位偏置电路；当功率MOS管控制信号inL1为关断时，衬底电位偏置电路关掉功率MOS管，同时提供额外的下拉电流，使得GATE端电位与OUT端电位近似相等；当功率MOS管控制信号inL1为导通时，衬底电位偏置电路使得功率MOS管导通，同时将流入P型衬底的电流流入IN端，从而将衬底电位箝位至IN端电位。本发明在高侧驱动半导体芯片中增加了衬底电位偏置电路，可以防止器件的衬偏二极管导通，避免了寄生管导通漏电的问题。
驱动半导体芯片衬底电位处理方法

[发明专利]一种硫自养反硝化活性微生物载体及应用-CN202310436931.5在审
发明人： 杨世红;吴定心;范帅;潘超;李凯;盖文婷;孟希;谢一敏;刘康志;刘佳敏;朱海 -专利权人：武汉水之国环保科技有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C02F3/34 文献下载
摘要：本发明属于污染治理技术领域，公开了一种硫自养反硝化活性微生物载体及应用。本发明的微生物载体包括硫磺粉45份、碳酸钙15份、聚丁二酸丁二醇酯（PBS）10‑30份、水玻璃25份、碳酸氢钠5份，自养反硝化菌剂5份，所述的自养反硝化菌剂为两种自选菌的混合物，其中SZG‑SAD‑001的保藏编号为：CCTCC NO：M 2022806，SZG‑SAD‑002的保藏编号为：CCTCC NO：M 2022805；在载体中添加高分子缓释碳源，稳定释放COD，可使自养反硝化与异养反硝化结合，协同脱氮。同时加入水之国自养反硝化菌剂，可在厌氧/缺氧环境下快速启动，无需像接种污泥那样驯化时间长，且脱氮效率稳定。
一种自养硝化活性微生物载体应用

[发明专利]一种芯片集成测试装置-CN202310382816.4在审
发明人：吴鹏;杨世红;余远强;孔垂凯 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片集成测试装置，用以解决现有的测试方法在对多个不同的待测芯片进行过温保护测试时，测试流程繁琐且测试一致性较低的技术问题。本装置包括底座、固定针板、第一焊接针组、第二焊接针组以及上盖；底座上安装的浮板可沿竖直方向弹性活动，其上设置有第一凹槽和第二凹槽；在浮板被按压时，第一焊接针组和第二焊接针组的上端分别与待测芯片和辅助器件的管脚接触；上盖上设置有加热部件，加热部件上设置有管脚按压片和导热凸起；用于使上盖和底座关合时，加热部件、管脚按压片以及导热凸起分别与待测芯片、待测芯片管脚以及辅助器件接触，并同时向下按压浮板。
一种芯片集成测试装置

[发明专利]一种批量芯片快速过温测试方法及芯片快速过温测试系统-CN202310383204.7在审
发明人：吴鹏;杨世红;余远强;孔垂凯 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种批量芯片快速过温测试方法及芯片快速过温测试系统，用以解决现有的待测芯片器件测试方法和系统存在的测试流程比较繁琐，测试时间长，且测试结果不一致的技术问题。本发明的测试方法为：测试并获取辅助器件的温度特性曲线；使待测芯片进入过温保护状态；采集过温保护状态下辅助器件的钳位电压u1；采集过温保护恢复状态下辅助器件的钳位电压u2；根据辅助器件的温度特性曲线，结合u1和u2，得到u1对应的温度值t保和u2对应的温度值t恢，将其分别作为待测芯片过温保护的保护温度和恢复温度；本发明的测试方法只需要获取一个辅助器件的温度特性曲线就可以快速获得批量待测芯片过温保护的保护温度和恢复温度。
一种批量芯片快速测试方法系统

[发明专利]提高器件抗浪涌能力的SGT MOSFET结构、方法及结构制备方法-CN202310383746.4在审
发明人：徐永年;苗东铭;杨世红;余远强 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高器件抗浪涌能力的SGT MOSFET结构、方法及结构制备方法，用于解决SGT MOSFET导通时电源系统突然出现高的浪涌电流，导致SGT MOSFET过流烧坏进而降低整个电源系统可靠性的技术问题。本发明的SGT MOSFET结构将SGT MOSFET的栅极进行分区，分为第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极呈比例交错设置，在不增大器件尺寸的基础上，通过控制第一栅极和第二栅极中的一个完全导通，另外一个不完全导通或关断，以降低通过SGT MOSFET的电流，从而防止SGT MOSFET导通时系统突然出现高的浪涌电流对电源系统的损坏，在不增大器件内阻的情况下大大提高了电源系统的可靠性，可以广泛应用在热插拔这类特殊应用的系统中。
提高器件浪涌能力 sgt mosfet 结构方法制备

[发明专利]防止原副边互通的开关电源控制方法及系统、开关电源-CN202211659148.7在审
发明人：周聪;熊平;杨世红 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明属于开关电源控制方法，为解决目前副边反馈的开关电源结构在驱动信号关闭后，遇到干扰误开通，若不能及时关闭，会出现原副边互通现象，当原边驱动再次关闭时会造成VDS应力超标，甚至炸机的技术问题，提供一种防止原副边互通的开关电源控制方法及系统、开关电源，在开关电源内部驱动信号变低时，通过一个脉宽为T1时间的低脉冲信号，屏蔽开关电源内部驱动信号，使开关电源内部功率管关断后在T1时间内持续关断，能够进行消隐，确保在短时间内驱动不会连续开启导致互通炸机，运用于具体的开关电源中，只需要在现有的电源电路中增加脉冲电路和与门电路。
防止原副边互通开关电源控制方法系统

[发明专利]一种优化线性输出的超结功率MOSFET结构及其制备方法-CN202211738817.X在审
发明人：苗东铭;杨世红;余远强;徐永年;李小红 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化线性输出的超结功率MOSFET结构及其制备方法，用于解决传统SJMOS器件结构输出信号失真或产生多余谐波导致电源管理系统无法稳定输出的技术问题。本发明在硅Drift区内设置有多个pillar区，其外侧设置有保护环和表面保护环；pillar区和保护环宽度和掺杂浓度均由顶部向底部呈梯度递减分布；多个pillar区上表面由下至上依次设置有Shield区和Base区，且Shield区宽度大于Base区；Shield区和Base区的两侧设置有JFET区，Shield区和JFET区掺杂浓度均呈倒梯度分布，且掺杂峰值浓度对应深度均位于Base区底部；Shield区掺杂浓度高于Base区，JFET区的掺杂浓度高于硅Drift区；Base区内设置有Source区和源电极接触区，源电极与源电极接触区导通。
一种优化线性输出功率 mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]一种液体、硝化菌发酵废液的处理方法及应用-CN202310192713.1在审
发明人：孟希;吴定心;范帅;潘超;周闯;廖泽远;盖文婷;廖东栋;刘康志;杨世红;谢一敏;刘佳敏;朱海 -专利权人：武汉水之国环保科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种液体、硝化菌发酵废液的处理方法及应用，属于微生物发酵技术领域。该硝化菌发酵废液的处理方法，包括以下步骤：将硝化菌发酵废液的pH调节至0.8‑5，之后加入絮凝剂、含铁材料、催化剂、含碳材料，并将硝化菌发酵废液进行曝气处理。本发明还提出一种液体，由上述处理方法处理得到。本发明还提出一种上述液体在培养自养反硝化菌中的应用。处理后的废水取代硝酸盐添加至发酵培养基中能够实现自养反硝化菌的发酵。
一种液体硝化发酵废液处理方法应用

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