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[发明专利]一种白芥叶子提取物及其在制备化妆品中的应用-CN202310516968.9在审
发明人：张建峰;洛桑塔杰;杜立永 -专利权人：西藏藏医药大学;江南大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： A61K8/9789 文献下载
摘要：本发明公开了一种白芥叶子提取物及其在制备化妆品中的应用，属于生物医药领域。本发明的提取物是以白芥叶子为原料提取获得的，可以充分利用通常被废弃的白芥叶子部位，实现废弃物的再利用、节约成本、减少浪费、环保；本发明的白芥叶子提取物中，黄酮、多糖、酚含量分别最高可达48.45mg/g、654mg/g、64.7mg/g；本发明的白芥叶子提取物中，还含有多种活性成分。本发明的白芥叶子提取物，可以用于制备化妆品，具有皮肤保湿和舒缓等功效。
一种叶子提取物及其制备化妆品中的应用

[发明专利]一种多功能乳液及其在烟草领域的应用-CN202210002311.6有效
发明人： 杜立永;杨井国 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： A24D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能乳液及其在烟草领域的应用，属于加热不燃烧卷烟及传统卷烟技术领域。本发明中制备多功能乳液的方法，包括：(1)将气溶胶形成剂、香精与离子胶凝剂进行充分预混，得到预混体系；其中，所述气溶胶形成剂、香精与离子胶凝剂的质量比为1：0.2～2：0.8～4；(2)均质搅拌下，将乳化剂的水溶液缓慢加入预混体系，直至形成稳定的第一乳液；(3)对第一乳液进行高压均质，形成第二乳液；(4)机械搅拌下，缓慢向第二乳液中加入金属盐溶液，混合均匀，即得多功能乳液。本发明的多功能乳液的平均粒径在200微米以下；且将多功能乳液应用于烟草制品中，可以同时解决烟支的防潮与香精缓释两个关键问题。
一种多功能乳液及其烟草领域应用

[发明专利]一种防潮气溶胶形成剂前体组合物及其应用-CN202210077481.0有效
发明人：杨井国;杜立永 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： A24B15/167 文献下载
摘要：本发明提供一种防潮气溶胶形成剂前体组合物及其应用，该组合物按照质量百分比该组合物由以下组分组成：疏水醇酯60～95％，醇0～25％和碱性化合物5～30％；疏水醇酯选自一元醇的脂肪酸酯，二元醇的脂肪酸酯，三元醇的脂肪酸酯或其组合；其中的脂肪酸为C2‑C16的饱和脂肪一元酸；疏水醇酯还包括海藻酸丙二醇酯或松香甘油酯；碱性化合物选自碱金属/碱土金属的碳酸盐、碱金属/碱土金属的碳酸氢盐、碱金属/碱土金属的氢氧化物、硬脂酸钠、海藻酸钠、羧甲基纤维素钠、乙酸钠、柠檬酸钠中的一种或组合。使用该组合物的烟支在运输、储存过程中吸水量大大降低，从而有效防潮，同时在烟支使用过程中因上述原位反应的发生气溶胶烟雾量不降低。
一种防潮气溶胶形成剂前体组合及其应用

[发明专利]一种纳米FeCx-CN202011471267.0有效
发明人： 杜立永;何冬梅;丁玉强 -专利权人：江南大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米FeCx材料的制备方法，属于纳米材料领域。将衬底置于反应腔，在真空下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Fe前驱体，得到沉积有Fe前驱体的衬底；然后充入惰性气体进行吹扫后，将气相碳源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Fe前驱体进行反应，得到含单原子层FeCx纳米材料的衬底；再向充入惰性气体清洗；重复上述ALD生长循环多次，即可得到生长FeCx纳米材料的衬底；其中，所述碳源为甲醇、乙醇、丙醇、或丁醇中的一种或几种；所述Fe前驱体为具有式1所示结构的化合物。本发明沉积速率高，沉积速率可达0.060nm/循环，且本发明所制备的FeCx纳米材料的电阻率低。
一种纳米 fec base sub

[发明专利]一种基于ALD技术的SbOCl材料的制备方法-CN202011372261.8有效
发明人： 杜立永;何冬梅;丁玉强 -专利权人：江南大学
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ALD技术的SbOCl材料的制备方法，属于纳米材料领域。在真空条件下，交替将气化后的Sb源SbCl3与氧源水以脉冲形式通入提前放入衬底的原子层沉积(ALD)设备反应腔，交替脉冲模式为：SbCl3脉冲t1→清洗t2→水脉冲t3→清洗t4，以此模式完成单个生长循环；在特定沉积温度下，重复若干单个生长循环即可得到生长有SbOCl材料的沉底。本发明采用SbCl3与氧源水的组合,将其进一步应用在原子层沉积技术中，使其能够在多种衬底上沉积负载量、原子活性位点分布可控的具有光催化性能的SbOCl材料。
一种基于 ald 技术 sbocl 材料制备方法

[发明专利]一种光催化下使用醇类为碳源实现N-烷基化的方法-CN202011398950.6有效
发明人：丁玉强;江杰;杜立永 -专利权人：江南大学
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C07C209/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光催化下使用醇类为碳源实现N‑烷基化的方法，属于催化合成技术领域。本发明将醇类、底物原料和催化剂置于反应装置内，在惰性氛围下进行紫外和/或可见光照射，光照结束后，固液分离除去催化剂，经萃取、蒸馏、提纯，即可获得N‑烷基化产品，其中，所述底物原料包括胺类化合物、芳香族硝基化合物或芳香族腈基化合物中的任一种，所述醇类包括可溶性的伯醇中的任一种或几种，所述催化剂为金属氧化物/二氧化钛或金属硫化物/二氧化钛。本发明方法简单易操作，可用于高效光催化一锅多步加氢N‑烷基化反应，反应条件温和，而且N‑烷基胺的化学选择性高，催化剂稳定性好且易回收利用。
一种光催化使用碳源实现烷基化方法

[发明专利]一种原子层沉积技术生长Vx-CN202011326464.3有效
发明人： 杜立永;何冬梅;丁玉强 -专利权人：江南大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法，属于纳米材料领域，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气化后的三异丙氧基氧化钒，进行沉积，得到沉积有V源的衬底，吹扫后再以脉冲形式通入气相碳源，与沉积在衬底上的V源进行单原子反应，得到单原子层的VxC纳米材料，再次进行吹扫，之后循环上述步骤1～2000次，即可制备得到原子层沉积技术生长VxC纳米材料，其中，所述碳源为乙醚、丙醚、丁醚、或四氢呋喃的一种。本发明采用三异丙氧基氧化钒与碳源组合，将其进一步应用在原子层沉积技术中，使其能够在纳米级的衬底上沉积形成保型性较好的含VxC沉积层。
一种原子沉积技术生长 base sub

[发明专利]一种纳米碳化锰材料的制备方法-CN202011326668.7有效
发明人： 杜立永;何冬梅;丁玉强 -专利权人：江南大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米碳化锰材料的制备方法，属于纳米材料领域。本发明方法包括以下步骤：将衬底置于热原子层沉积设备反应腔中，真空条件下以脉冲形式向反应腔中通入气相锰源进行沉积；吹扫后将碳源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的锰源进行单原子反应，得到单原子层的碳化锰材料，所述锰源为式1～2结构的锰源，碳源为甲醛、乙醛、丙醛或丁醛的一种；再次吹扫，完成一个ALD循环，将上述循环过程重复多次，即可得到一定厚度的纳米碳化锰材料。本发明采用了式1～2结构的锰源与碳源组合，将其进一步应用在原子层沉积技术中，使其能够在纳米级的衬底上沉积形成保型性较好且电阻率低的含碳化锰沉积层。
一种纳米碳化材料制备方法

[发明专利]一种原子层沉积技术生长Nbx-CN202011347943.3有效
发明人：丁玉强;何冬梅;杜立永 -专利权人：江南大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积技术生长NbxC薄膜的方法，属于纳米材料领域。本发明方法包括以下步骤：(1)将衬底置于反应腔中，真空条件下以脉冲形式向反应腔中通入气相Nb源进行沉积；(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；(3)将碳源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Nb源进行单原子反应，得到单原子层的NbxC薄膜，所述碳源为葡萄糖、果糖、呋喃糠醛的一种；(4)再充入惰性气体吹扫，完成一个ALD循环，将上述循环过程重复多次，即可得到一定厚度的NbxC薄膜。本发明采用了乙氧醇铌为的Nb源与碳源组合，将其进一步应用在原子层沉积技术中，使其能够在纳米级的衬底上沉积形成保型性较好的含NbxC沉积层。
一种原子沉积技术生长 nb base sub

[发明专利]一种利用原子层沉积技术快速生长Nix-CN202011477889.4有效
发明人：丁玉强;何冬梅;杜立永 -专利权人：江南大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C07F15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法，属于纳米材料领域，将衬底置于反应腔，在真空下，以式1所示结构的化合物为Ni前驱体，以甲酸、乙酸、丙酸、丁酸中的一种或几种为碳源；以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni前驱体，得到沉积有Ni前驱体的衬底；然后充入惰性气体进行吹扫后，将气相碳源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Ni前驱体进行反应，得到含单原子层NixC薄膜的衬底；再向充入惰性气体清洗；重复上述ALD生长循环多次，即可得到生长NixC薄膜的衬底。本发明沉积速率高，沉积速率可达0.196nm/循环，且本发明所制备的NixC薄膜的电阻率低。
一种利用原子沉积技术快速生长 ni base sub

[发明专利]一种M1-CN201811444914.1有效
发明人：丁玉强;杜立永;余绍山 -专利权人：江南大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B01J27/185 文献下载
摘要：本发明公开了一种M1/M2xP型单原子催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)在惰性气氛下，将具备缺电子结构的M1金属有机配合物M1L2或M12L2溶于有机溶剂A中，得到金属有机配合物溶液；(2)将M2xP型金属磷化物加入至有机溶剂B中，再于惰性气氛下向其中滴加金属有机配合物溶液，滴加完后，于惰性气氛下进行反应；(3)步骤(2)反应完成后，向体系中加入还原剂进行还原反应，将还原反应后的混合液过滤，滤渣经洗涤后烘干，即得到所述的M1/M2xP型单原子催化剂。本发明采用全新的配位法制备单原子催化剂，可实现在多种含磷基底上负载各种金属单原子，制备得到不同种类的单原子催化剂，本发明制备的单原子催化剂分散度、活性位点以及负载量可控。
一种 base sup

[发明专利]一种钛硅分子筛及其制备方法和用途-CN201811548742.2有效
发明人： 杜立永;张文泉;丁玉强;施英;黄佳斯 -专利权人：无锡阿科力科技股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C01B39/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛硅分子筛及其制备方法和用途，本发明所述制备方法采用紫外光辐射含有硅源和钛源的溶液，使得溶液中产生·OH自由基，·OH自由基的存在促进了硅源的旧化学键的断裂和新化学键的形成，使得晶化时间缩短为20‑50h；同时形成的钛硅分子筛的结晶度也有所提高，制备得到的钛硅分子筛中富含孤立四配位钛物种。
一种分子筛及其制备方法用途

[发明专利]一种钛硅分子筛及其制备方法和用途-CN201811548743.7有效
发明人： 杜立永;张文泉;丁玉强;施英;黄佳斯 -专利权人：无锡阿科力科技股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C01B39/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛硅分子筛及其制备方法和用途，所述制备方法通过向反应原料中引入自由基引发剂，促使反应过程中产生·OH自由基，从而达到了缩短了水热晶化所需的时间和提高钛硅分子筛结晶度的效果，所述方法制备得到的钛硅分子筛中MFI结构的钛硅分子筛晶体的含量≥85％，无定型SiO2结构的含量≤15％，经紫外‑可见光谱分析确认，钛硅分子筛骨架中富含孤立四配位钛物种，且所述钛硅分子筛中钛的重量百分含量达到0.15‑4％。
一种分子筛及其制备方法用途

[发明专利]一种利用负载铜或铜氧化物纳米颗粒的催化剂脱除卤代芳烃化合物中卤素的方法-CN202011403596.1在审
发明人：丁玉强;江杰;杜立永 -专利权人：江南大学
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： B01J23/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用负载铜或铜氧化物纳米颗粒的催化剂脱除卤代芳烃化合物中卤素的方法，属于催化合成技术领域。本发明将卤代芳香烃底物与所选醇类、碱在铜或氧化铜纳米颗粒负载的催化剂存在条件下进行接触，加热搅拌。利用醇类在铜纳米颗粒表面形成的活性氢进攻多卤代芳香烃，从而实现卤代芳香烃的快速深度脱卤，其中所述醇类为能够作为溶剂的伯醇或仲醇；卤代芳烃类化合物包括氯代苯基化合物，溴代苯基化合物和碘代苯基化合物中的任一种或几种。该方法操作简单，经济成本低廉，在优化条件下可在10～15h将卤代芳香烃完全转化。
一种利用负载氧化物纳米颗粒催化剂脱除芳烃化合物卤素方法

[发明专利]一种原子层沉积技术生长Mnx-CN201911067517.1有效
发明人： 杜立永;丁玉强 -专利权人：江南大学
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积技术生长MnxN薄膜的方法，属于半导体制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤：(1)将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Mn源进行沉积，得到沉积有Mn源的衬底，所述Mn源为具有式1所示结构的化合物；(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；(3)将氮源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Mn源进行单原子反应，得到单原子层的MnxN薄膜；(4)向体系中充入惰性气体吹扫，完成一个ALD循环，将上述循环过程重复多次，即可得到一定厚度的MnxN薄膜。本发明能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的含MnxN沉积层。
一种原子沉积技术生长 mn base sub

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