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[发明专利]一种氧化亚镍/硅纳米线及应用于制备可集成超级电容器电极材料-CN200910045911.5无效
发明人：陶佰睿;苗凤娟;李辉麟;姚伟;陈雪皎;张健 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化亚镍/硅纳米线(NiO/SiNWs)及将这种材料应用于制备高性能可集成超级电容器电极材料。其制备方法包括如下步骤：(1)以硅纳米线为骨架，在硅纳米线上以无电镀技术沉积镍薄膜，制得镍-硅纳米线复合物；(2)将所得镍-硅纳米线复合物经过快速热退火氧化处理。本发明利用硅纳米线具有的尺度小、比表面积大、表面原子存在大量未饱和键，具有很强的表面活性等优点，以其作为负载NiO纳米结构的骨架，所得到的氧化亚镍/硅纳米线有较高的比电容、较低的等效内阻、良好的充放电特性，而且与集成电路工艺兼容，可应用于制备高性能可集成超级电容器电极材料。
一种氧化纳米应用于制备集成超级电容器电极材料

[发明专利]周期性SnO₂“之字型”纳米带及其制备方法-CN200810036438.X无效
发明人：吴晋;郁可;尚德建;徐建文;李辉麟;胡文婷 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2008-04-22 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种周期性SnO₂“之字型”纳米带，这种SnO₂“之字型”纳米带，是通过在SnO₂粉和石墨粉原料中掺入少量CuO粉作为“之字型”结构的催化剂，控制改变热蒸发过程中一些实验参量合成的。相对于以前合成的纳米结构，本发明的突出特点是：1)首次以CuO作为结构催化剂，以SnO₂粉和石墨粉为原料合成了周期性的SnO₂“之字型”纳米带，无需多层的不锈钢栅格来限域反应气氛；2)合成的“之字型”纳米带“之字角”均匀性好，绝大多数呈82°；3)反应在常压下进行，无需抽真空；4)对载气的要求不高，只需要N₂就可以，不需要加O₂等其他的气体；5)方法简单，成本低，重复性好，而且是大面积的生长。
周期性 sno sub 字型纳米及其制备方法

[发明专利]硅纳米线上无电沉积镍技术及基于这种技术的热电功率器件-CN200810037941.7无效
发明人：陶佰睿;苗凤娟;李辉麟;万丽娟;张健 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C23F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米线上无电沉积镍技术以及基于这种技术的热电功率器件，本发明制作工艺与MEMS工艺兼容，主要采用电化学刻蚀方法，成本低，操作简单，实现容易。主要是在体硅材料上室温下合成硅纳米线阵列，其纳米线平均高度约30μm，平均直径约40nm；此举减小了材料的热导率和温度扩散系数，增强了硅纳米线的量子尺寸效应，提高了热电子发射能力；在硅纳米线上通过无电镀镍技术沉积纳米级镍薄膜，此时镍与硅形成良好的欧姆接触，进一步增强了热电发射能力，减小了该热电结构的内阻；无电镀液为无磷配方，避免了磷与镍形成合金从而减小热电发射效率。在硅片的另一面刻蚀200μm左右深多孔硅，并在其表面蒸镀铝薄膜，此结构由于具有较大的比表面积和深宽比，进一步增加材料的绝热性，同时在铝硅接触面产生肖特基势垒增加了该热电结构的温差电动势。
纳米线上沉积技术基于这种热电功率器件

[发明专利]一种Ni/Si纳米线阵列的制备方法以及基于这种纳米线阵列的微纳湿度传感器-CN200810037939.X无效
发明人：陶佰睿;苗凤娟;李辉麟;万丽娟;张健 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C23F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ni/Si纳米线阵列的制备方法，以及基于这种纳米线阵列的微纳湿度传感器。该器件是在N型硅衬底上采用电化学刻蚀技术制作大面积硅纳米线阵列，然后在该阵列上无电镀沉积镍薄膜。由于该结构具有大的长径比和比表面积，其微观结构独特，能够产生独特的物理、化学特性，其对水分子的吸附和解吸附能力都较纯硅纳米线阵列要好。经500℃RTA快速热退火处理后，该器件表面电阻率增大，电容感湿性能增强。本发明工艺简单，与集成电路工艺兼容，制作成本低，可批量生产，应用前景广阔。
一种 ni si 纳米阵列制备方法以及基于这种湿度传感器

[发明专利]一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法-CN200810037942.1无效
发明人：陶佰睿;苗凤娟;李辉麟;万丽娟;张健 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： C23C18/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法，主要采用化学湿法刻蚀技术在硅衬底上制作出硅纳米线阵列，然后应用无磷镀液在其上进行无电镍薄膜的沉积，最后通过RTA强化镍－硅纳米线结构的稳定性。该发明有如下特点：1.与集成电路工艺兼容，采用化学湿法刻蚀，技术简单易行，成本低廉，成功率高；制作出的纳米线尺度较均匀，平均高度30μm，直径约60nm。2.采用无磷无电镀的化学方法对硅纳米线的表面进行金属镍沉积，克服了传统的无电镀技术中镍磷合金的产生，从而提高了该Ni/Si纳米线结构的电学、磁学、传感器的敏感等性能。该技术有很多优势，如：低温、所需器材简单、镀层均匀等。
一种纳米线上进行无磷无电镀方法

[发明专利]一种选择性刻蚀硅纳米线的方法-CN200810036672.2无效
发明人：万丽娟;龚文莉;陶伯睿;蒋珂玮;李辉麟;张健 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明针对现有技术所存在的缺陷和市场需求，公开了一种选择性刻蚀硅纳米线的方法，其包括以下顺序步骤：a)采用“自上而下”的标准微电子加工工艺在硅片表面开窗口；b)采用“自下而上”的非电镀化学沉积的方法在开窗口的硅片表面刻蚀硅纳米线。与现有技术相比，本发明的选择性刻蚀硅纳米线的方法既能够制作出任何想要的图形，又能够获得尺寸规则、排布均匀的硅纳米线阵列，而且工艺简单可靠、成本低、可批量生产，实现了工业化制作硅纳米线电极的目的，为制备多种以硅纳米线为基础的纳机电器件奠定了基础。
一种选择性刻蚀纳米方法

[实用新型]挺升型计算机结构-CN98223968.8无效
发明人： 李辉麟 -专利权人： 李辉麟
申请日： 1998-05-08 - 公布日： 2000-01-19 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：本实用新型的方案是在计算机本体上方左右两侧各向上挺设有两夹臂,且在两夹臂之间枢设一盖板,盖板一边具有一筒体,于筒体内装设一扭转螺旋弹簧,盖板之筒体另端则套在计算机本体另一夹臂的短凸柱上,使盖板枢设在计算机本体的两夹臂之间,另于计算机本体的面板上装设有一推块,在盖板的前端设有一插孔,推块的前端插套在盖板的插孔内,使盖板盖合固定在计算机本体的液晶显示幕上,推开推块放开盖板,藉由扭转螺旋弹簧使盖板向后旋至计算背面而挺起计算机。
挺升型计算机结构

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