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[发明专利]一种等离子体电磁推进器-CN202310616088.9在审
发明人：靳龙;白引弟;宋智文;李耀河 -专利权人：广西科技大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：本发明旨在提供一种等离子体电磁推进器，包括上夹板、下夹板、电极固定盒体；盒体为绝缘材料制成，上夹板和下夹板分别安装于盒体的顶面和底面上；盒体内的中部设有沿其纵向的等离子加速通道，的两端口分别设于盒体的左右端面上；盒体内位于等离子加速通道的前后侧分别间隔对置设有一组以上的电极片；各组电极片分别与竖直方向的电极杆连接；电极杆的上端经过盒体的顶面后穿过上夹板，位于上夹板顶面之上；电极杆的下端经过盒体的底面后穿过下夹板，位于下夹板底面之上；上夹板的底面和下夹板的顶面上分别安装有磁体。本发明设计科学，等离子体在两侧电场中定向移动，同时在磁场作用下，受到安培力和洛伦兹力合成的推力下快速移动，从而产生推进力。
一种等离子体电磁推进器

[发明专利]一种新型MOS管及其制备方法-CN202310616024.9在审
发明人：靳龙;李耀河;宋智文;赵恒 -专利权人：广西科技大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明旨在提供一种新型MOS管及其制备方法，所述的新型MOS管包括底层、中间层、上层、栅极、源极、漏极、氧化物层；所述的底层为N型半导体或P型半导体；底层为N型半导体时，中间层为P型掺入区，上层为N型掺入区；底层为P型半导体时，中间层为N型掺入区，上层为P型掺入区；所述的栅极、源极、漏极分别设于上层的顶面上，其中，栅极和上层的顶面之间通过氧化物层分隔；所述的底层设有接电端。本发明的新型MOS管在耐压跟传统结构保持一致的条件下，实现更小的终端面积没有体二极管，较少曝光、沉积，刻蚀次数的低成本，同时可以用分辨率较低的光刻设备获得较大规模半导体电路。
一种新型 mos 及其制备方法

[发明专利]一种纵向单PN结MOS管及其制备方法-CN202310642334.8在审
发明人：靳龙;李耀河;宋智文;李育林;张一楠;赵恒 -专利权人：广西科技大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明旨在提供一种纵向单PN结MOS管及其制备方法，纵向单PN结MOS管，包括底层、中间层、上层、栅极、源极、漏极、氧化物层Ⅰ；底层为N型半导体或P型半导体；底层为N型半导体时，中间层为P型掺入区，上层为N型掺入区；底层为P型半导体时，中间层为N型掺入区，上层为P型掺入区；上层设于中间层顶面的中部，上层的横截面小于中间层的横截面；氧化物层Ⅰ设于中间层的顶面上，源极、漏极设于氧化物层Ⅰ的顶面上，位于上层的前后两侧；栅极设于氧化物层Ⅰ的顶面上；底层设有接电端。本发明的新型MOS管在耐压跟传统结构保持一致的条件下，实现更小的终端面积，同时可以用分辨率较低的光刻设备获得较大规模半导体电路。
一种纵向 pn mos 及其制备方法

[发明专利]一种基于选择性平滑滤波的图像降噪方法-CN202310210618.X在审
发明人：靳龙;李耀河;宋智文;白引弟;朱志敏 -专利权人：广西科技大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明旨在提供一种基于选择性平滑滤波的图像降噪方法，包括以下步骤：A、输入待降噪图像的灰度图像，建立3*3矩形框，用矩形框移动掠扫整个待降噪图像，计算每次移动后矩形框中心的像素点与矩形框边缘上各个像素点的梯度t；设定噪点阈值x，如果∣t∣≤x，则将该矩形框输入步骤B；否则将该矩形框输入步骤C；B、设定边缘检测阈值n，基于步骤A输入的各个矩形框计算出阈值K；若K≥n，则将该矩形框求出灰度值的均方根值hE，替换该矩形框中心点E的灰度值；若Kn，则该矩形框的各个像素点输入步骤C；C、对输入的各个矩形框进行高斯平滑处理；D、步骤B和C计算完毕后，得到最终降噪图像。本发明能提升降噪效果，保证图像质量。
一种基于选择性平滑滤波图像方法

[发明专利]一种转子-叶盘-机匣碰摩试验台及其测试方法-CN202210652016.5在审
发明人：温传美;李玉奇;靳龙;朱志敏;李耀河;刘敏 -专利权人：广西科技大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01M13/00 文献下载
摘要：本发明公开一种转子‑叶盘‑机匣碰摩试验台及其测试方法；借助叶片与盘体使用可拆卸的榫卯结构连接，实现对叶片的长度与叶盘失谐程度对叶盘转子系统的动力学特性影响的研究测试；借助碰摩模拟系统实现对转子‑叶盘‑机匣碰摩模拟，并实现碰摩参数的精确调节；通过控制微型电机的转动，经万向软轴将转矩传递于蜗杆实现对伸缩杆的调节，实现对碰摩间隙的调节，同时依托于蜗杆的自锁特性实现转矩的单向传递，保证测试过程中碰摩间隙的稳定性；碰摩片支架与碰摩片设计为可拆分的螺栓连接结构，便于碰摩片磨损后更换；本发明可广泛考虑叶片长度、叶盘失谐程度、碰摩间隙与碰摩位置及其组合参数对转子‑叶盘系统的动力学特性的影响。
一种转子叶盘机匣碰摩试验台及其测试方法