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[实用新型]一种磁性笔-CN202320737369.5有效
发明人： 李碧珊 -专利权人：李如滨
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B43K23/08 文献下载
摘要：本实用新型属于磁性笔技术领域，尤其为一种磁性笔，包括笔杆，笔杆的一侧设置有笔头，笔头的内部固定安装有第一安装槽，笔头的一侧设置有第一磁环，第一磁环的内部固定安装有第一通孔，笔头的另一侧设置有笔盖，笔盖的内部固定安装有第二安装槽，笔盖的一侧设置有第二磁环，笔杆的内部固定安装有第二通孔，笔杆的一端固定安装有套筒，套筒的一侧设置有第一尾盖，第一尾盖的一侧设置有磁铁，第一尾盖的内部固定安装有第三安装槽，磁铁的一侧设置有第二尾盖，第二通孔的内部套接有笔芯。本实用新型由于磁性笔由优质铝制成，这使得磁性笔非常耐用、耐腐蚀且持久，因此磁性笔将在其使用寿命内始终看起来像新的并且功能正常。
一种磁性

[外观设计]磁性三角形笔-CN202330126167.2有效
发明人： 李碧珊 -专利权人：李如滨
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： 19-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：磁性三角形笔。2.本外观设计产品的用途：用于书写的一种书写工具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.右视图与左视图对称，省略右视图。
磁性三角形

[发明专利]基于半实物仿真平台的IGBT器件的寿命预测方法-CN201910316828.0有效
发明人：叶娜;曹琳;李萍;李碧珊;吴晓威 -专利权人：西安中车永电电气有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明属于轨道交通用电力电子器件技术领域，具体涉及基于半实物仿真平台的IGBT器件的寿命预测方法，包括如下步骤：利用机车/动车真实TCU，通过半实物仿真平台获取IGBT器件的电学参数；根据所述电学参数计算IGBT器件的损耗值；利用电热网络模型，根据所述损耗值获取IGBT器件的结壳温度变化曲线；根据雨流算法对IGBT器件的结壳温度载荷进行雨流计数统计；利用IGBT器件的损伤累积模型计算IGBT器件的寿命。该寿命预测方法，利用动车/机车真实TCU提供更接近于实际工况下的电流、电压变化，等效于现场采集数据的准确性，为确定轨道交通用IGBT器件的更换时间，实现IGBT器件的全寿命周期管理提供理论依据。
基于实物仿真平台 igbt 器件寿命预测方法

[外观设计]组合绘图尺（无针性多功能）-CN202230344950.1有效
发明人： 李碧珊 -专利权人：李如滨
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： 19-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：组合绘图尺（无针性多功能）。2.本外观设计产品的用途：用于一款多功能的组合绘图尺。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：组件2立体图。5.其中组件1为组合绘图尺的底座，组件2为组合绘图尺的曲尺，组件3为组合绘图尺的直尺。
组合绘图无针性多功能

[实用新型]无针性多功能画圆工具量度尺-CN202221403198.4有效
发明人： 李碧珊 -专利权人：李如滨
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B43L9/00 文献下载
摘要：无针性多功能画圆工具量度尺，本实用新型涉及工具尺技术领域；两个安装支架的一侧分别一体成型有曲尺和直尺；直尺一侧的安装支架通过把手与曲尺的一端固定；一号磁石环嵌设在安装支架底部开设的凹槽内；底盖设置在一号磁石环的下侧，且底盖嵌设在凹槽的内部；把手下侧的两个支脚活动穿过安装支架和一号磁石环后，插设在底盖上开设的通孔内；底座设置在底盖的下侧，且一号螺丝的下端活动嵌设在底座的顶面上；底座盖通过二号螺丝与二号磁石环固定连接，且底座盖嵌设在底座底面上开设的凹槽内；采用无针画圆保证了纸面的美观，且能够绘制不同直径的圆以及不同角度的圆弧，且能够读取图案的尺寸，功能更加多样化，能够满足不同的需求。
无针性多功能工具量度

[实用新型]一种无针型多功能画图工具-CN202022329108.9有效
发明人： 李碧珊 -专利权人：李如滨
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： B43L13/00 文献下载
摘要：一种无针型多功能画图工具，本实用新型涉及绘图工具技术领域，上盖中开设有十字形开槽，位于十字形开槽中横槽一侧的上盖上设置有数个离心率标志；纵轴和横轴均活动嵌设在十字形开槽内；上盖盖设固定在圆形轴承的上环面上，圆形轴承的内环面嵌设固定有底盘，底盘的圆心开设有中心孔；所述的一号尺、二号尺和三号尺的一端头部均内嵌有磁铁，一号尺、二号尺和三号尺均利用磁铁活动吸附设置在圆形轴承的外环面上；上述上盖上设置有角度刻度线层。其利用黏胶固定于纸张上的圆心上，有效保证了纸张的完整性，且不会发生纸张破损导致的圆心偏离现象，其可以绘制出多种图形，功能性较强。
一种无针型多功能画图工具

[外观设计]制图尺（多功能）-CN202030621990.7有效
发明人： 李碧珊 -专利权人：李如滨
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： 19-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：制图尺（多功能）。2.本外观设计产品的用途：用于制图、画图。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：组合状态参考图。
制图多功能

[实用新型]一种新型无针磁性圆规尺-CN201920944811.5有效
发明人： 李碧珊 -专利权人：李如滨
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： B43L9/02 文献下载
摘要：一种新型无针磁性圆规尺，本实用新型涉及生活用品技术领域；它包含圆柱体、直尺、圆规尺，圆柱体的底部固定连接有纳米透明硅胶，直尺与圆规尺的一端均固定连接有凸起，该凸起内设置有磁铁，凸起的另一端为圆弧状设置，并与圆柱体的边缘活动贴合设置；不会在纸上留下任何痕迹，且能够够画出不同大小的圆圈以及图案。
一种新型磁性圆规

[实用新型]一种便于IGBT模块失效分析的拆解平台-CN201920496041.2有效
发明人：叶娜;谢龙飞;王豹子;李碧珊;董妮 -专利权人：西安中车永电电气有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： B25B27/00 文献下载
摘要：本实用新型属于电力电子器件技术领域，涉及一种便于IGBT模块失效分析的拆解平台，包括平台框架，所述平台框架的顶部安装有千斤顶，所述平台框架的底部放置IGBT模块；所述IGBT模块的底板的四周固定有安装支架，所述安装支架的上方固定有安装板，所述安装板位于千斤顶的下方；所述IGBT模块的主电极、辅助电极均设置有电极保护块；通过引入千斤顶，利用杠杆原理，千斤顶通过安装板将压力传递到底板实现外壳与底板的完全分离，克服现有拆解过程中存在的效率低、人工投入成本大、二次损伤风险等问题，实现IGBT模块的快速、简洁拆装，为IGBT模块失效分析提供有力支撑。
千斤顶底板平台框架安装板安装支架失效分析电力电子器件本实用新型拆解过程拆解平台电极保护顶部安装二次损伤辅助电极杠杆原理完全分离压力传递主电极拆装引入支撑

[外观设计]无针磁性圆规尺-CN201930325947.3有效
发明人： 李碧珊 -专利权人：李如滨
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： 19-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：无针磁性圆规尺。;2.本外观设计产品的用途：用于制图、画图。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：组合状态图。;5.无设计要点，省略组件1俯视图;无设计要点，省略组件1仰视图;无设计要点，省略组件2俯视图;无设计要点，省略组件2仰视图。;6.组件1是圆规尺的不规则图形尺、组件2是圆规尺的直线尺、组件3为圆规尺的转轴。
无针磁性圆规尺

[实用新型]一种埋沟式SiC IGBT常关器件-CN201822220913.0有效
发明人：谢龙飞;叶娜;曹琳;李碧珊 -专利权人：西安中车永电电气有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种埋沟式SiC IGBT常关器件，其结构包括p+衬底层、n‑漂移区、p+注入区、n‑耗尽区、p+隔离区、p‑生长区、n注入区、n+发射极区和n埋沟区。本实用新型提供的埋沟式SiC IGBT常关器件，能够在导通时沟道远离SiC/SiO²界面一定的距离以减小界面态的影响，从而提高沟道处载流子的迁移率，同时本实用新型提出的器件为常关型，易于控制和应用。
本实用新型载流子发射极区衬底层隔离区沟道处耗尽区界面态漂移区迁移率生长区注入区导通沟道沟区减小应用

[发明专利]一种埋沟式SiC IGBT常关器件及其制备方法-CN201811616210.8在审
发明人：谢龙飞;叶娜;曹琳;李碧珊 -专利权人：西安中车永电电气有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种埋沟式SiC IGBT常关器件及其制备方法，该器件的结构包括p+衬底层、n‑漂移区、p+注入区、n‑耗尽区、p+隔离区、p‑生长区、n注入区、n+发射极区和n埋沟区。本发明还提供了一种埋沟式SiCIGBT常关器件的制备方法。本发明提供的埋沟式SiC IGBT常关器件，能够在导通时沟道远离SiC/SiO²界面一定的距离以减小界面态的影响，从而提高沟道处载流子的迁移率，同时本发明提出的器件为常关型，易于控制和应用。
制备载流子发射极区衬底层隔离区沟道处耗尽区界面态漂移区迁移率生长区注入区导通沟道沟区减小应用

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