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[发明专利]一种衬底加工装置-CN202110159084.3有效
发明人： 李瑞评;曾柏翔;张佳浩;杨良;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底加工方法及其加工装置，通过测量装置确定衬底的厚度和不对称面型，利用激光器对所述衬底进行激光扫描，激光器根据测量出的衬底参数自动设置匹配的激光参数，在所述衬底中形成改质点以使所述衬底收敛为对称面型，均匀衬底的应力，提高衬底的应力收敛性，使衬底对称面型的比例提高至100%，对称面型的衬底有利于提高后续外延层波长的收敛性，进而使得器件良率大大提升。
一种衬底加工装置

[发明专利]一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台-CN202010742195.2有效
发明人：王兴林;李彬彬;霍曜;李瑞评;苏贤达;梅晓阳;吴福仁;王振;郑皓允 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台，涉及半导体衬底技术领域。所述使晶片蚀刻均匀的方法包括：使晶片与用于承载晶片的第一载具的接触为线接触或类线接触；且第一载具与晶片的接触位置至少为三个；将第一载具由第二载具支撑，第二载具对晶片的蚀刻区域进行避让；使反应气体以与晶片蚀刻表面平行的方向向晶片移动并扩散至晶片蚀刻表面。本申请中的使晶片蚀刻均匀的方法通过改变反应气体的流动方向使每个晶片接触到的反应气体的时间和接触面积基本一致，以及通过改变晶片载具的结构，使晶片蚀刻表面接触反应气体的机会均同，从而使蚀刻更加均匀，缩短晶片的蚀刻时间，避免衬底局部过蚀刻的问题，进而提高衬底的品质。
一种晶片蚀刻均匀方法刻蚀机台

[发明专利]衬底加工方法、外延用衬底及半导体发光元件及制造方法-CN202010668211.8有效
发明人： 李瑞评;曾柏翔;张佳浩;陈铭欣;曾建尧 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底加工方法、外延用衬底及半导体发光元件及其制造方法，本发明的方法中，自晶棒切割得到衬底之后，在衬底背面镀膜，形成衬底增强膜，例如在蓝宝石衬底的衬底背面沉积金刚石薄膜，该金刚石薄膜形成蓝宝石衬底的衬底增强膜。由于金刚石的硬度大于蓝宝石衬底的硬度，因此能够通过该金刚石薄膜增强蓝宝石衬底的强度，在满足强度需求的前提下，就可以适当减小衬底的厚度，同时降低衬底加工的成本。另外，金刚石薄膜的导热性优于衬底的导热性，因此在衬底背面沉积金刚石薄膜增加了衬底的导热性，使得衬底在用于外延层生长的过程中，提供温度的均匀性，减少热应力的产生，大幅度提高外延层的质量。由此能够提高后期器件的良率。
衬底加工方法外延半导体发光元件制造

[发明专利]一种衬底及其加工方法、发光二极管及其制造方法-CN202310010419.4在审
发明人：张佳浩;周光权;曾柏翔;李瑞评;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种不对称面型衬底的加工方法、发光二极管及其制造方法。首先确定衬底所呈现的不对称面型，并确定所述不对称面型的不对称取向，在不对称取向上对衬底进行局部的喷砂处理，将该局部区域调凹，补偿衬底的应力分布，使所述衬底由不对称面型收敛为对称面型。呈现对称面型，例如碗型的衬底，对称面型的衬底有利于优化后续形成的外延层的波长均匀性。
一种衬底及其加工方法发光二极管制造

[发明专利]一种图形化衬底及LED外延片-CN202310000341.8在审
发明人：吴福仁;李彬彬;李瑞评;巫婷 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明通过将凸起结构的侧面设置为凹曲面状，通过增加一次反射射出的入射光区域，减小入射光的多次往返折射，减少因光的反射次数较多而产生的光衰，进而提高LED外延片的光取出效率。将凸起结构的侧面设置为凹曲面状，还可以使垂直入射到凸起结构侧面的光线入射角增加，其折射角随入射角的增加而增加，折射角等于90°时，入射角等于发生全反射时的临界角，当入射角大于等于临界角时，入射光线全部被反射回外延层中，全反射现象产生，增大了光的使用率。凸起结构采用折射率小于衬底的材料，使得临界角减小，增加全反射发生的几率，增加光线出射的机会，提高LED外延片的光提取效率。本发明在凸起结构的侧表面上形成多个不规则的坑洞结构，达到表面粗化效果，这些坑洞结构能够随机散射入射至图形化衬底的光，减少衬底对入射光的吸收，提高光的提取效率。
一种图形衬底 led 外延

[发明专利]一种LED衬底及发光元件-CN202310129806.X在审
发明人：李彬彬;吴福仁;李瑞评;刘建明;蔡吉明 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种LED衬底，包括支撑衬底，及设置于支撑衬底上的晶格匹配层，支撑衬底上设置有第一层周期性凸起结构，晶格匹配层内设置有第二层周期性凸起结构，第二层凸起结构的顶点与第一层凸起结构的顶点不在同一条竖直线上，所述第二层凸起结构中相邻的两个凸起结构间的平面在竖直方向上的投影均落入第一层凸起结构的侧壁上，且不与第一层凸起结构的顶点重合。本发明所提供的LED衬底可以反射所有的入射光线，使得光线的利用率更高，从而使得光提取效率更高，本发明还提供一种发光元件，包括上述LED衬底，该发光元件的出光效率更高。
一种 led 衬底发光元件

[发明专利]外延用衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法-CN202211723194.9在审
发明人：曾柏翔;张佳浩;洪嘉悦;杨良;李瑞评;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供一种外延用衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法。通过对衬底，尤其是衬底的部分区域进行激光扫描，在衬底内部形成多个改质点，以此改善衬底内部的应力，使衬底形成特定的形状，以与外延过程中的温场和热场适应，进而降低单个衬底内的不同区域以及多个衬底之间的外延波长均匀性。
外延衬底及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]抛光头、抛光装置和抛光方法-CN202211728960.0在审
发明人：徐德勤;张佳浩;刘增伟;曾柏翔;李瑞评;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本申请提供一种抛光头、抛光装置和抛光方法，用于安装被抛光工件，抛光头用于安装被抛光工件，包括：抛光头本体和压电陶瓷，压电陶瓷安装于所述抛光头本体之内，压电陶瓷用于与超声发生器连接以使抛光头振动。有效减小了压电陶瓷与安装在抛光头上的被抛光工件之间的距离，进而减小压电陶瓷产生的振动在传递至被抛光工件的过程中的功率损耗，在抛光被抛光工件时使被抛光工件的振幅相对较大，最终达到获得更好的抛光效果的目的；而且，减小压电陶瓷产生的振动在传递至被抛光工件的过程中的功率损耗，还可以使被抛光工件在抛光时获得较高的振动频率，进而获得更好的抛光效果。
抛光装置方法

[发明专利]超声喷头组件、用于多线切割的超声辅助排屑装置及方法-CN202211726804.0在审
发明人：刘增伟;张帅;李瑞评;曾柏翔;张佳浩;刘聪毅 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B28D7/02 文献下载
摘要：本申请提供一种超声喷头组件、用于多线切割的超声辅助排屑装置及方法，组件采用内腔容纳有目标流体的主流体管、与该主流体管的内腔连通的喷头以及用于对目标流体进行超声震荡的超声发生器，其中，目标流体包括：液体和/或气体；主流体管设置在多线切割机中的槽轮与固定台之间，且喷头的流体喷口与多线切割机中的缠绕于槽轮的切割线相对设置，以将处于超声震荡状态的目标流体自流体喷口喷射至切割线上。本申请能够有效提升多线切割机的排屑能力，并能够有效优化多线切割机中切割线的切削能力以及改善线切割的翘曲度，进而能够提高多线切割机的应用有效性及可靠性。
超声喷头组件用于切割辅助装置方法

[发明专利]一种衬底弯曲形状的测量方法、装置、存储介质及终端-CN202010325306.X有效
发明人： 李瑞评;曾柏翔;张佳浩;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06T7/60 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底弯曲形状的测量方法、装置、存储介质及终端。该方法沿不同的圆周对衬底的表面进行圆周线扫描，获得不同圆周上的多条扫描曲线；获得衬底的圆心高度h0以及每个圆周上的多条扫描曲线的高度统计值中的最大值himax和最小值himin；根据最大值、最小值与圆心高度的关系判断衬底的弯曲类型。对于具有复杂的弯曲曲线的衬底，该方法能够保证判断结果的准确性。另外，该方法采用线扫描方法，整个过程无需人工判断，更加节约时间节约人力成本，利于衬底弯曲形状测量的量产，同时能够保证测量结果的准确性。本发明的测量装置、存储介质及终端能够执行本发明的上述方法，因此同样具有上述技术效果。
一种衬底弯曲形状测量方法装置存储介质终端

[发明专利]一种衬底弯曲形状的测量方法、装置、存储介质及终端-CN202010325378.4有效
发明人： 李瑞评;曾柏翔;张佳浩 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06T7/60 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底弯曲形状的测量方法、装置、存储介质及终端。该方法在不同方向上对衬底表面进行线扫描获得扫描曲线，获得所述扫描曲线的两个端点及中点的测量高度l1、l3及l2；获得所述扫描曲线的中点与两个端点连线的高度差hi；根据所述高度差hi判断所述衬底的弯曲类型。对于具有复杂的弯曲曲线的衬底，通过能够保证测量结果的准确性。另外，本发明的方法采用线扫描方式，整个过程无需人工判断，更加节约时间、节约人力成本，利于衬底弯曲形状测量的量产，同时能够保证测量结果的准确性。本发明的测量装置、存储介质及终端能够执行本发明的上述方法，因此同样具有上述技术效果。
一种衬底弯曲形状测量方法装置存储介质终端

[发明专利]一种衬底弯曲形状的测量方法、装置、存储介质及终端-CN202010325384.X有效
发明人： 李瑞评;曾柏翔;张佳浩;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06T7/60 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底弯曲形状的测量方法、装置、存储介质及终端。该方法在不同方向上对衬底表面进行线扫描获得扫描曲线，对不同方向上的扫描曲线分别进行曲线拟合获得拟合曲线，并根据拟合曲线的平均曲率及弧长求得拟合曲线的弯曲角度，根据该弯曲角度测量并判断衬底的弯曲类型。对于具有复杂的弯曲曲线的衬底，该方法能够保证测量结果的准确性。另外，该方法采用线扫描方法，整个过程无需人工判断，更加节约时间节约人力成本，利于衬底弯曲形状测量的量产，同时能够保证测量结果的准确性。本发明的测量装置、存储介质及终端能够执行本发明的上述方法，因此同样具有上述技术效果。
一种衬底弯曲形状测量方法装置存储介质终端

[发明专利]提高晶片蚀刻均匀性的方法及装置-CN202010734857.1有效
发明人：苏贤达;李彬彬;霍曜;李瑞评;梅晓阳;王兴林;吴福仁;段学超 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种提高晶片蚀刻均匀性的方法，涉及半导体相关技术领域，该方法包括以下步骤：利用晶片固定装置将晶片固定，并至少暴露出晶片的蚀刻面；使晶片绕预设轴线旋转，以使晶片的蚀刻面中每个区域在预定时间段内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同。晶片固定装置能暴露出晶片的蚀刻面，减少晶片蚀刻面的被遮挡面积，蚀刻气体易到达晶片的蚀刻面并对其进行蚀刻；且晶片绕预设轴线旋转，晶片均匀地到达蚀刻速率较快的区域及蚀刻速率较慢的区域，在每个旋转周期内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同，晶片的蚀刻面能均匀地接触蚀刻气体以保证蚀刻气体均匀地蚀刻晶片。
提高晶片蚀刻均匀方法装置

[发明专利]一种衬底加工方法及半导体器件制造方法-CN202211339354.X在审
发明人：曾柏翔;张佳浩;周光权;李瑞评;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-10-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种衬底加工方法及半导体器件制造方法。本发明中在对晶棒进行切割之前，首先利用表面处理剂对晶棒的侧面进行表面处理，使得晶棒在随后的退火过程中与表面处理剂发生反应而形成改性层，切割表面处理后的晶棒以得到多个衬底，每一个衬底的外圈边缘部分均包括改性区域，由于改性区域与衬底中间区域的材料的晶格和热力学性质的差别，在衬底改性层区域的范围会形成稳定的应力区域，控制衬底发生的扭曲/弯曲的方向和程度，进而优化衬底的面型，提高衬底的加工质量和品质。
一种衬底加工方法半导体器件制造

[发明专利]一种图形衬底及其制作方法以及LED结构及其制作方法-CN202011566245.2有效
发明人：霍曜;苏贤达;李彬彬;李瑞评;彭鹏飞;吴福仁;梅晓阳 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种图形衬底及其制作方法以及一种LED结构及其制作方法。该图形衬底包括衬底，以及形成在所述衬底表面上的连续的网状图形结构。本发明通过将衬底表面的图形结构的设计为网状，进一步降低了磊晶面占比；同时在衬底上形成网状图形结构，增加了反光面，提高器件的出光效率。本发明提供的图形衬底能够有效提高内量子效率，提高光的提取率，使用该图形衬底的LED结构，能够有效提升LED的发光效率。
一种图形衬底及其制作方法以及 led 结构

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