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[发明专利]基于有限厚度拓扑绝缘体的Imbert-Fedorov位移分析方法及系统-CN202310851809.4在审
发明人：曾然;王一凡;沈飞翔;高泰吉;李浩珍;杨淑娜;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明基于有限厚度拓扑绝缘体上的Imbert‑Fedorov位移分析方法及系统，方法包括以下步骤：步骤一：建立单层结构有限厚度拓扑绝缘体与两侧媒质构成的模型；步骤二：确定无穷表面带隙与有限表面带隙拓扑绝缘体的电磁特性；步骤三：求取单层结构拓扑绝缘体各界面的反射透射矩阵；步骤四：求取单层结构拓扑绝缘体以及入射和出射媒质中的电场和磁场；步骤五：通过能流法求取Imbert‑Fedorov位移。本发明通过能流法计算有限厚度拓扑绝缘体上的Imbert‑Fedorov位移，能够准确地分析有限厚度拓扑绝缘体上的Imbert‑Fedorov位移效应特性，所分析的特性能准确地反映Imbert‑Fedorov位移随有限厚度拓扑绝缘体的表面磁化方向、表面带隙大小、入射角、层厚度以及拓扑磁电极化率等影响因素的变化情况。
基于有限厚度拓扑绝缘体 imbert fedorov 位移分析方法系统

[发明专利]基于有限厚度手征原子媒质的光学时域隐身的分析方法及其系统-CN202310871247.X在审
发明人：曾然;吕晓燕;方世超;徐静俏;杨淑娜;李浩珍;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明属于光学技术领域，公开了一种基于有限厚度手征原子媒质的光学时域隐身的分析方法及系统，分析方法按如下步骤进行：S1、建立五能级手征原子媒质的模型；S2、确定一阶微扰近似下的五能级解；S3、确定子系统的内部解；S4、求取电磁场的等效电磁参数；S5、求取手征原子媒质的输出脉冲。本发明基于有限厚度手征原子媒质的光学时域隐身的分析方法及系统，能准确地反映出控制场、耦合场相位和振幅等对有限厚度手征原子媒质的光学时域隐身的影响。
基于有限厚度原子媒质光学时域隐身分析方法及其系统

[发明专利]一种计算各向异性铁氧体三层结构Casimir扭矩的方法及系统-CN201911314234.2有效
发明人：曾然;徐思远;王驰;李浩珍;杨淑娜;胡淼;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算各向异性铁氧体三层结构Casimir扭矩的方法及系统，本发明涉及的一种计算各向异性铁氧体三层结构Casimir扭矩的系统，包括：建立模块，用于建立各向异性铁氧体三层结构的模型；确定模块，用于确定所述各向异性铁氧体的电磁特性；第一计算模块，用于计算双轴各向异性材料层的传输矩阵；第二计算模块，用于计算所述各向异性材料三层结构反射系数矩阵；第三计算模块，用于计算所述各向异性铁氧体三层结构模型的Casimir扭矩。本发明可根据量子化表面模式法从能量角度计算各向异性铁氧体三层结构Casimir扭矩，能够准确分析Casimir扭矩的影响效果。
一种计算各向异性铁氧体三层结构 casimir 扭矩方法系统

[发明专利]基于磁光材料与石墨烯复合层状周期结构的光学拓扑转换方法及系统-CN202111648512.5有效
发明人：曾然;兰阳;黄宇航;徐静俏;李浩珍;杨淑娜;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及基于磁光材料与石墨烯复合层状周期结构的光学拓扑转换方法及系统，其中，光学拓扑转换方法，包括以下步骤：(1)建立磁光材料与石墨烯复合层状周期结构模型；(2)分析并计算复合层状周期结构的介电张量；(3)计算并确定复合层状周期结构中磁场和电场表达式以及对应边界条件；(4)计算复合层状周期结构的传输矩阵；(5)由Bloch定理导出无限周期结构的色散关系方程；(6)基于色散关系方程，调节外加磁场得到等频面的变化，实现光学拓扑转换。本发明不局限于现有的金属‑电介质传统双曲材料，拓宽了材料选择的范围，选择了色散双曲特性更加明显的材料结构组成方式，更容易能够实现光学拓扑转换，分析新的拓扑结构特性。
基于材料石墨复合层状周期结构光学拓扑转换方法系统

[发明专利]三能级原子在多层拓扑绝缘体结构中的自发辐射计算方法-CN201910295167.8有效
发明人：曾然;仲佼佼;张猛;陈芳芳;胡淼;李浩珍;毕美华;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提出一种三能级原子在多层拓扑绝缘体结构中的自发辐射计算方法，包括：第一步：建立多层拓扑绝缘体结构的模型；第二步：确定拓扑绝缘体的电磁特性；第三步：确定电磁波在分界面上的边界条件；第四步：利用边界条件求得多层拓扑绝缘体的传输矩阵；第五步：求得多层拓扑绝缘体结构的反射系数；第六步：求出三能级原子位于多层拓扑绝缘体结构中的自发辐射率表达式。本发明能够准确分析位于多层拓扑绝缘体结构附近及其构成的腔中的三能级原子自发辐射率和量子干涉强度，准确定位各种参数和多层拓扑绝缘体材料对自发辐射和量子干涉的影响和根本原因，进而用以调控原子自发辐射和量子干涉。
能级原子多层拓扑绝缘体结构中的自发辐射计算方法

[发明专利]基于陈绝缘体-手征介质界面的Kerr极化偏转分析方法-CN201910226828.1有效
发明人：曾然;张明月;陈芳芳;王驰;胡淼;李浩珍;欧军;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提出一种基于陈绝缘体‑手征介质界面的Kerr极化偏转分析方法，按如下步骤进行：S1：建立陈绝缘体‑手征介质界面的模型；S2：确定电磁波在陈绝缘体‑手征介质界面的电磁特性；S3：确定边界和初始条件；S4：利用边界和初始条件求得传输矩阵；S5：利用传输矩阵法求得电磁波从普通介质入射到陈绝缘体‑手征介质界面的反射系数；S6：求此模型下的Kerr角、极化偏转率和反射光相位差。本发明所述方法，能准确地分析陈绝缘体‑手征介质界面的Kerr极化偏转特性，能够准确地反映出入射角、手征特性和CI拓扑特性对陈绝缘体‑手征介质界面的Kerr极化偏转的影响，从而控制电磁波的极化偏转。
基于绝缘体介质界面 kerr 极化偏转分析方法

[发明专利]基于有限厚度手征原子媒质的Faraday偏振转换分析方法-CN202010756115.9有效
发明人：曾然;黄佳莹;张明月;陈伟强;李浩珍;杨淑娜;李齐良;胡淼 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明属于光学技术领域，具体涉及基于有限厚度手征原子媒质的Faraday偏振转换分析方法。包括如下步骤：建立有限厚度手征原子媒质的模型；确定电磁波在有限厚度手征原子媒质的电磁特性；确定边界和初始条件；利用传输矩阵法求得电磁波从真空入射到有限厚度手征原子媒质的透射系数；求解有限厚度手征原子媒质模型下的Faraday旋转角。本发明能准确地分析有限厚度手征原子媒介界面的Faraday偏振转换特性。能够准确地反映出手征特性、厚度、入射角、失谐量等对有限手征原子媒介界面的Faraday偏振转换的影响，从而控制电磁波的偏振转换。
基于有限厚度原子媒质 faraday 偏振转换分析方法

[发明专利]单轴磁电耦合原子气多层结构的光学传输特性分析方法及系统-CN202111662038.1在审
发明人：徐静俏;曾然;胡悦;沈飞翔;李浩珍;杨淑娜;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种单轴磁电耦合原子气多层结构的光学传输特性的分析方法及系统，方法包括以下步骤：S1、建立相干驱动原子气媒质与普通介质构造的多层周期结构模型；S2、计算出相干驱动原子气媒质的有效参数的表达式；S3、用四元向量表示普通介质层中的电磁波，确定两种材料层交界面处的边界条件；S4、计算多层周期结构的传输矩阵；S5、求出原子气媒质与普通介质构造的多层周期结构的反射透射谱。本发明的相干驱动磁电耦合原子气媒质与普通介质构造多层结构，作为测试模型具有应用价值；同时，本发明涉及基于传输矩阵计算方法和四元向量法，为分析多层的特异材料结构提供了一种光学方法，产生有益的技术效果。
磁电耦合原子多层结构光学传输特性分析方法系统

[发明专利]多层双曲超材料附近原子自发辐射率的获取方法及系统-CN202111668370.9在审
发明人：胡悦;曾然;徐静俏;李浩珍;杨淑娜;胡淼;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明属于光学技术领域，具体涉及一种多层双曲超材料附近原子自发辐射率的获取方法，包括以下步骤：S1、建立多层双曲超材料结构的模型；S2、给出多层双曲超材料结构中的电场和磁场表达式；S3、设计多层双曲超材料的传输矩阵；S4、计算光从普通介质入射至多层双曲超材料结构的反射系数；S5、计算模型下的原子自发辐射率。本发明根据传输矩阵法获取光从真空入射到多层双曲超材料内的反射透射特性，能准确分析多层双曲超材料附近原子的自发辐射率。
多层双曲超材料附近原子自发辐射获取方法系统

[发明专利]基于磁光材料与覆盖石墨烯层的电介质复合层状周期结构的光学拓扑转换方法及系统-CN202111648515.9在审
发明人：黄宇航;曾然;胡悦;沈飞翔;李浩珍;杨淑娜;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及基于磁光材料与覆盖石墨烯层的电介质复合层状周期结构的光学拓扑转换方法及系统，其方法包括(1)建立磁光材料与覆盖石墨烯层的电介质复合层的复合层状周期结构模型，由磁光材料层和覆盖石墨烯层的电介质层交替排列而成；(2)分析并计算复合层状周期结构的介电张量；(3)计算并确定复合层状周期结构中磁场和电场表达式以及对应边界条件；(4)计算复合层状周期结构的传输矩阵；(5)由Bloch定理导出无限周期结构的色散方程；(6)基于色散方程，调节外加磁场得到等频面的变化，实现光学拓扑转换。本发明利用磁光材料层和覆盖石墨烯层的电介质层交替排列构建了双曲材料，更容易实现光学拓扑转换，得到新的拓扑结构特性。
基于材料覆盖石墨电介质复合层状周期结构光学拓扑转换方法系统

[发明专利]多层光子拓扑绝缘体的反射透射谱分析方法及系统-CN202111668338.0在审
发明人：曾然;方世超;兰阳;李浩珍;杨淑娜;欧军;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及多层光子拓扑绝缘体的反射透射谱分析方法及系统，方法包括以下步骤：S1、建立多层光子拓扑绝缘体媒质与普通介质构造的多层周期结构模型；S2、计算多层光子拓扑绝缘体媒质层和普通介质层中的电场和磁场；S3、确定两种材料层交界面处的边界条件；S4、计算各个界面的关系矩阵，并计算多层周期结构的传输矩阵；S5、求解光子拓扑绝缘体媒质与普通介质构造的单层结构的反射系数和透射系数。本发明涉及基于传输矩阵计算方法，为分析多层且具有各向异性的特异材料提供了一种光学方法，并且旋转坐标轴的方法，让模型更具备普适性，产生有益的技术效果。
多层光子拓扑绝缘体反射透射谱分析方法系统

[发明专利]一种多层各向异性手征媒质的透射谱的计算方法-CN202011637239.1在审
发明人：陈伟强;曾然;徐静俏;李浩珍;杨淑娜;胡淼;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G06F17/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层各向异性手征媒质的透射谱的计算方法，包括以下步骤：S1、建立多层各向异性手征媒质与普通介质构造的多层周期结构模型；S2、计算各向异性手征媒质层和普通介质层中的电场和磁场表达式；S3、写出两种材料层交界面处的边界条件；S4、计算多层周期结构的传输矩阵；S5、求出各向异性手征媒质与普通介质构造的多层周期结构的透射谱；本发明的多层各向异性手征特异媒质与普通介质构造多层结构，作为测试模型比较有应用价值；同时计算过程中涉及到基于传输矩阵计算方法，为分析多层且具有各向异性的特异材料结构提供了一种光学方法；产生有益的技术效果。
一种多层各向异性媒质透射计算方法

[发明专利]一种古斯-汉欣位移量计算方法-CN202011637470.0在审
发明人：曾然;倪鹏飞;黄佳莹;杨淑娜;李浩珍;胡淼;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G06F17/16 文献下载
摘要：本发明公开一种古斯‑汉欣位移量计算方法，包括步骤：S1、建立有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的模型；S2、确定入射介质中的四元向量和边界条件；S3、使用传递矩阵法求得有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的传输矩阵；S4、根据传输矩阵求得电磁波从真空入射到有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的反射系数矩阵；S5、利用固定相位法根据反射系数矩阵计算出古斯‑汉欣位移。本发明采用固定相位法，计算出有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的古斯‑汉欣位移，能够准确地分析有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的古斯‑汉欣位移特性，能够准确地反映出入射电磁波的偏振态，入射角，有限带隙拓扑绝缘体的带隙宽度，层数，层厚等参数对古斯‑汉欣位移特性的影响。
一种位移计算方法

[发明专利]二能级原子与饱和铁氧体界面间的Casimir-Polder扭矩的计算方法-CN202011637213.7在审
发明人：曾然;徐思远;胡悦;李浩珍;杨淑娜;胡淼;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种二能级原子与饱和铁氧体界面间的Casimir‑Polder扭矩的计算方法，按如下步骤进行：S1：建立原子和铁氧体界面模型；S2：确定铁氧体材料板的电磁特性；S3：计算Casimir‑Polder扭矩的模态展开式；S4：计算格林函数形式下的Casimir‑Polder扭矩；S5：求得此模型下的Casimir‑Polder扭矩，本发明所述方法，发明关于原子与饱和铁氧体界面间Casimir‑Polder扭矩的计算方法，能准确地分析原子与饱和铁氧体界面间Casimir‑Polder扭矩、反映出频率和板间距对原子与饱和铁氧体界面间Casimir‑Polder扭矩的影响。
能级原子饱和铁氧体界面 casimir polder 扭矩计算方法

[发明专利]多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转效应的计算方法-CN202011637255.0在审
发明人：曾然;沈飞翔;陈伟强;杨淑娜;李浩珍;胡淼;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转效应的计算方法，包括以下步骤：步骤一：建立多层各向异性拓扑绝缘体结构模型；步骤二：确定各向异性拓扑绝缘体的电磁特性；步骤三：确定边界条件；步骤四：计算多层各向异性拓扑绝缘体结构的传输矩阵；步骤五：计算多层各向异性拓扑绝缘体结构的反射系数；步骤六：计算所述模型下的反射电磁波的极化偏转率和克尔转角；本发明通过传输矩阵法计算了多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转效应，能够准确地分析多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转特性；本发明能够准确地反映出各向异性拓扑绝缘体表面的磁化方向、层厚度、拓扑磁电极化率、入射角以及各向异性拓扑绝缘体层数等影响因素下反射电磁波的克尔偏转效应。
多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转效应计算方法

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