专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种自持金刚石厚膜衬底上低温沉积Ga2-CN202210222901.X在审
  • 张东;赵琰;宋世巍;李昱材;王健;王晗;唐坚;许琪 - 沈阳工程学院
  • 2022-03-09 - 2022-07-26 - C23C16/40
  • 一种自持金刚石厚膜衬底上低温沉积Ga2O3薄膜的制备方法,属于薄膜材料制造技术领域。步骤为:将自支撑金刚石厚膜基片依次通过丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗8‑12分钟后,用氮气吹干送入反应室;采用ECR‑PEMOCVD系统,将反应室抽真空至6.0×10‑4Pa,将所述聚酰亚胺基片加热至室温~200℃,向反应室内通入氩气携带的三甲基镓、氧气,二者流量比为(2~5):(50~80),控制气体总压强为1.0~3.0Pa;电子回旋共振频率为500‑800W,制备时间60min~240min,得到在自持金刚石基片的Ga2O3光电薄膜。本发明可以在较低的温度下制备出高性能的Ga2O3薄膜材料,制备工艺简单。
  • 一种自持金刚石衬底低温沉积gabasesub

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