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[发明专利]一种循环利用LiCl制备二碘硅烷的方法-CN202310972615.X在审
发明人：张学奇;李丽君;唐超;朱思坤;李建恒 -专利权人：合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种循环利用L i C l制备二碘硅烷的方法，包括以下步骤:S1：在惰性气体氛围下，向反应釜中加入碘源、L i C l及溶剂一，反应得到体系一。其中，碘源为Na I和KI中的一种或两种。S2：对体系一进行过滤，过滤掉固体杂质，反应釜内浓缩滤液，得到L i I。S3：在惰性气体氛围下，低温下向反应釜中通入溶剂二、二氯硅烷，反应得到体系二。S4：对体系二进行过滤，得到滤液和滤饼。滤液经分离后得到二碘硅烷，所得滤饼作为上述步骤S1的L i C l进入下一个合成循环。反应生成的副产物LiCl可以实现循环利用，既降低了成本，也避免了锂资源的浪费。
一种循环利用 licl 制备硅烷方法

[发明专利]减少等离子体引起的损坏的工艺-CN202310845581.8在审
发明人： 李建恒;赵来;翟羽佳;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本文所描述的实施方式提供了薄膜晶体管(TFT)和工艺以减少在TFT中的等离子体引起的损坏。在一个实施方式中，缓冲层设置在衬底上方，并且半导体层设置在所述缓冲层上方。栅介质层设置在所述半导体层上方。所述栅介质层在界面处接触所述半导体层。栅电极204设置在所述栅介质层上方。所述栅介质层具有约5e10cm‑2eV‑1至约5e11cm‑2eV‑1的Dit和约0.10V至约0.30V的磁滞以改善所述TFT的性能能力，同时具有在约6MV/cm与约10MV/cm之间的击穿场。
减少等离子体引起损坏工艺

[发明专利]一种SiOC或SiOCN薄膜及其制备方法和应用-CN202310916731.X在审
发明人：程兰云;芮祥新;汪穹宇;李建恒 -专利权人：合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种SiOC或SiOCN薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法包括将(R1R2N)xSiH4‑x、CaHbNc和氧源以间隔脉冲的形式通入预先设置有衬底的原子层沉积设备的反应腔中进行沉积，并重复上述步骤达到预设厚度，得到SiOC或SiOCN薄膜；所述制备方法以(R1R2N)xSiH4‑x、CaHbNc和氧源作为前驱体，利用原子层沉积技术，不仅在较低的温度下即可获得较高质量的SiOC或SiOCN薄膜，且可以精准调控SiOC或SiOCN薄膜中的氮含量和碳含量，进而可以精准调控薄膜的介电常数，为SiOC或SiOCN薄膜的制备提供了一种新的方法。
一种 sioc siocn 薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种铜互连扩散阻挡层结构及其制备方法-CN202310711969.9在审
发明人：扈静;芮祥新;汪穹宇;李建恒 -专利权人：合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜互连扩散阻挡层结构及其制备方法，包括：衬底和扩散阻挡层，所述衬底包括第一导电层和介质层；所述扩散阻挡层设置在衬底和第二导电层之间，所述扩散阻挡层包括依次设置的铌层、铌硅氮化物层和氮化铌层，所述第三层与所述第二导电层接触。通过在铜层和介质层之间设置有多层膜结构的阻挡扩散层，可以有效阻挡铜扩散到介质层中。同时，阻挡扩散层包括铌硅氮化物层和氮化铌层，且氮化铌层位于铌硅氮化物层与铜层之间，可以有效防止铌硅氮化物层中的硅元素进入铜层，破坏铜的电学性能。
一种互连扩散阻挡结构及其制备方法

[发明专利]一种六氯乙硅烷及其制备方法-CN202310967967.6在审
发明人：胡红亮;卢迪锋;汪海燕;朱思坤;李建恒 -专利权人：铜陵安德科铭电子材料科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种六氯乙硅烷的制备方法，具体包括以下步骤：步骤一、上料；步骤二、搅拌；步骤三、出料；步骤四、过滤纯化；步骤五、换热；步骤六、清理；本发明涉及六氯乙硅烷制备技术领域。该六氯乙硅烷的制备方法，利用驱动组件驱动搅拌组件对六氯乙硅烷制备原料进行搅拌，无需对原料进行预混匀处理，驱动组件还可以驱动反应釜进行转动，提高原料混匀效果的同时，还可以保证加热组件对反应釜的均匀加热，为六氯乙硅烷的制备提供便捷保障，在升降组件和水循环组件的配合下，不仅方便盖板的升降，为六氯乙硅烷的制备提供便捷保证的同时，还可以实现对反应釜和加热组件热量的有效收集，同时为反应釜的清理提供了便捷保障。
一种六氯乙硅烷及其制备方法

[发明专利]一种使用有机硅前驱体制备硅薄膜的方法-CN202310784725.3在审
发明人：扈静;邢孟孟;芮祥新;汪穹宇;李建恒 -专利权人：合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用有机硅前驱体制备硅薄膜的方法，属于半导体技术领域，该方法包括如下步骤：步骤1)、将衬底放入原子层沉积设备中，加热；步骤2)、将有机硅前驱体装在不锈钢源瓶中，源瓶通过管路和原子层沉积设备的反应腔相连；步骤3)、将硅前驱体蒸气以脉冲形式带入反应腔；步骤4)、向反应腔中通入惰性气体，进行第一次吹扫；步骤5)、向反应腔中通入H2，通过电感耦合或电容耦合放电，生成H2等离子；步骤6)、向反应腔中通入惰性气体，进行第二次吹扫；步骤7)、重复步骤3)‑步骤6)至预设厚度。通过反应条件的控制，可以精准控制薄膜沉积速率，有效降低沉积温度，台阶覆盖率高，适合先进制程的薄膜沉积。
一种使用有机硅前驱体制薄膜方法

[发明专利]磁体制备设备-CN202310467650.6在审
发明人：张雪峰;赵利忠;李建恒 -专利权人：杭州电子科技大学;浙江泽晨智能设备有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B05C9/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种磁体制备设备，包括涂覆装置、固化装置和传输装置，涂覆装置包括涂覆组件，涂覆组件用于涂覆光固化剂，涂覆组件具有涂覆区域；固化装置包括光源，光源用于固化所述光固化剂，光源具有光照区域；传输装置包括载体，载体用于承载待涂覆磁体。本申请中涂覆组件用于涂覆光固化剂，固化装置包括光源，光源用于固化所述光固化剂，其中传输装置包括载体，载体用于承载待涂覆磁体，在涂覆完成后经过固化装置，传输装置对载体进行传输，使得固化装置中的光源固化光固化剂，从而可大大降低生产能耗。
磁体制备设备

[发明专利]一种二碘硅烷及其制备方法-CN202310789246.0在审
发明人：卢迪锋;汪海燕;朱思坤;李建恒 -专利权人：铜陵安德科铭电子材料科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种二碘硅烷的制备方法，具体包括以下步骤：步骤一、填料；步骤二、预混料；步骤三、预冷；步骤四、混合反应；步骤五、微反应；步骤六、减压蒸馏；本发明涉及二碘硅烷制备技术领域。该二碘硅烷的制备方法，通过利用驱动组件、转接组件、混料釜、第一混料筒和第二混料筒的配合，实现原料初步混合的同时，在冷气进管的设置下，保证第一混料筒和第二混料筒中原料的预冷，配合导流组件和加料组件的设置，保证第一混料筒和第二混料筒中原料可以精准的注入到混料盆中，利用驱动组件实现对混料盆中原料的搅动，不需要对微通道反应器进行多次温度调节，使用起来更加方便，有效提高了二碘硅烷的制备效率。
一种硅烷及其制备方法

[发明专利]三（二甲胺基）环戊二烯基锆及其制备方法-CN202310789237.1在审
发明人：陈恩保;卢迪锋;汪海燕;朱思坤;李建恒 -专利权人：铜陵安德科铭电子材料科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C07F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，具体包括以下步骤：步骤一、上料保护；步骤二、混和输气；步骤三、低温排气；步骤四、加料制备；步骤五、混和；本发明涉及三(二甲胺基)环戊二烯基锆制备技术领域。该三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法，通过利用驱动组件、混和组件和导气组件的配合，对氮气和二甲胺气体进行混和后，直接导入到反应釜内腔的底部，配合第一气体分散组件，延长二甲胺气体在正丁基锂的正己烷溶液中的停留时长，配合双向破碎清理组件打散氮气和二甲胺气体在正丁基锂的正己烷溶液中构成的气泡，保证二甲胺气体的充分反应，为二甲胺气体的精准添加提供保障的同时，还保证了反应釜中的有效惰性氛围。
二甲胺基环戊二烯基锆及其制备方法

[发明专利]一种高导热结构复合材料的制备方法-CN202310555849.4在审
发明人：赵大方;李斌太;李建恒;邱杨;李向苏;鲁文廓;孙田培 -专利权人：中国航空制造技术研究院
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B29C70/36 文献下载
摘要：本发明涉及高导热树脂基复合材料技术领域，具体涉及一种高导热结构复合材料的制备方法。该方法包括步骤：将树脂膜与高导热纤维交替铺放后压实，复合得到预制体；将预制体沿垂直于Z向的方向切割，得到带有Z向纤维的树脂膜；采用RFI工艺将带有Z向纤维的树脂膜渗入纤维铺层，得到高导热复合材料。该高导热结构复合材料的制备方法的目的是解决复合材料的厚度方向热导率提升难度大的问题。
一种导热结构复合材料制备方法

[发明专利]一种栅极氧化层对准标记的装置及其形成方法-CN202310769418.8有效
发明人：汪海燕;卢迪锋;李建恒;朱思坤 -专利权人：合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设备技术领域，具体为一种栅极氧化层对准标记的装置及其形成方法，包括硅片，硅片的顶部依次设有氧化硅、光致抗蚀剂和金属层，金属层的顶部设有栅极氧化层，光致抗蚀剂位于栅极氧化层的左右两侧设有对准标记，光致抗蚀剂位于栅极氧化层的下方左右两侧设有用于防止金属层对对准标记覆盖的挡板组件，光致抗蚀剂位于对准标记上设有叠加标记，叠加标记的高度等于金属层和光致抗蚀剂之和，本发明通过叠加标记代替被覆盖的对准标记进行识别，可以针对金属层比较厚情况下进行对准，而且叠加标记的高度根据半导体以及器件电性的特点，在硅片上喷射相应的金属层体积，使得金属层刚好在叠加标记水平端上相平齐，方便叠加标记的轮廓清晰。
一种栅极氧化对准标记装置及其形成方法

[实用新型]一种装配式节能建筑结构-CN202320638759.7有效
发明人：辛纪宏;闫景峰;任毅;李建恒;王德忠;张全胜 -专利权人：呼和浩特市兴业建筑工程有限责任公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： E04B2/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种装配式节能建筑结构，属于装配式建筑结构领域。一种装配式节能建筑结构，包括：框架，其内部呈矩阵式均布有水平梁；同侧的所述水平梁通过竖直梁连接；所述框架的底部固定安装有固定片；所述固定片设置有腰形孔。封板，所述框架对称设置有所述封板；所述封板对称固定安装有连接柱；所述连接柱均设置有有卡槽；与现有技术相比，本申请的装配式节能建筑结构通过设置可分离的框架和封板，在重新布局楼层空间时，不需要通过采用大锤、冲击钻或气钻从上往下打进行拆除；可以通过先拆除封板，后拆除框架的方式挪动用于分隔空间的墙壁；拆除后的框架和封板可以二次使用，减少了建筑垃圾的产生，从而起到节能环保的作用。
一种装配式节能建筑结构

[实用新型]一种票务系统用自助票务机-CN202320519334.4有效
发明人：吴晨铭;张逸帆;李建恒 -专利权人：河南易斯莱盾信息科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G07B1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种票务系统用自助票务机，涉及票务机技术领域，一种票务系统用自助票务机，包括票务机，所述票务机的表面开设有取票槽，取票槽的内壁滑动连接有防护板，防护板的内侧滑动连接有滑杆，滑杆远离防护板的一端固定连接在票务机的内侧，滑杆的表面滑动套接有第一弹簧，该票务系统用自助票务机，通过操作者对取票槽内侧的票取出后，则防护板通过被压缩第一弹簧的弹力性能推动下对取票槽形成阻挡覆盖，这样的方式改善了传统票务机上取票槽不具备防护效果而易积攒灰尘的弊端，进而保障了取票槽进行防护操作的简易性，保障了票务机上取票槽进行取用和密封操作的灵活性，降低了灰尘积攒取票槽内易造成灰尘粘附需要清理的繁琐性。
一种系统自助票务机

[发明专利]减少等离子体引起的损坏的工艺-CN201880066193.7有效
发明人： 李建恒;赵来;翟羽佳;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/786 文献下载
摘要：本文所描述的实施方式提供了薄膜晶体管(TFT)和工艺以减少在TFT中的等离子体引起的损坏。在一个实施方式中，缓冲层设置在衬底上方，并且半导体层设置在所述缓冲层上方。栅介质层设置在所述半导体层上方。所述栅介质层在界面处接触所述半导体层。栅电极204设置在所述栅介质层上方。所述栅介质层具有约5e10cm‑2eV‑1至约5e11cm‑2eV‑1的Dit和约0.10V至约0.30V的磁滞以改善所述TFT的性能能力，同时具有在约6MV/cm与约10MV/cm之间的击穿场。
减少等离子体引起损坏工艺

[发明专利]组合物和使用所述组合物沉积含硅膜的方法-CN202110661668.0有效
发明人： 李建恒;J·F·莱曼;雷新建;R·N·弗蒂斯;R·G·里德格韦;W·R·恩特莱 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本文描述了组合物和使用所述组合物在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的方法。在一个方面，所述组合物包含选自硅氧烷、基于三甲硅烷基胺的化合物、有机氨基乙硅烷化合物和环状三硅氮烷化合物的至少一种化合物。
组合使用沉积含硅膜方法

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