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[发明专利]基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构-CN202210026167.X在审
发明人：阳小明;李天倩;曹太强;吴健;李佰强;杨志国 -专利权人：西华大学
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构，包括结构上面的源电极、栅电极、漏电极；源电极下面有p+、n+区域，p+区域用于消除寄生NPN晶体管效应，n+区域用于收集沟道流过来的电子；栅电极下面有双扩散形成的P阱，为n沟道；当栅电压大于阈值电压时，栅氧层下面形成电子层，器件导通；漏极下面为n+区域；栅电极、漏电极之间为漂移区，用于提高器件关断时的耐压；漂移区的下方为低载流子寿命层；低载流子寿命层下面是埋氧层，将漂移区和衬底作了电气隔离；埋氧层下面是P型衬底，器件底部为衬底电极。该发明广泛应用于高压SOI横向功率器件与集成电路；以较低的成本提高了SOI功率器件的耐压。
基于载流子寿命提高 soi 横向功率器件耐压结构

[发明专利]一种交错缺口正八边形双频带电磁超材料结构-CN201510618568.4有效
发明人： 李天倩;阳小明;马波;陈洪源;杜晓风;邱锡强;万洪;雍明阳;田野 -专利权人：西华大学
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种交错缺口正八边形双频带电磁超材料结构，包括：介质基板；在所述介质基板的一面蚀刻设有内正八角形金属片和外正八角形金属片，内正八角形金属片的最大半径小于外正八角形金属片的最小半径，所述内、外正八边形金属片的边间隔均具有一个缺口，且内、外正八边形金属片的缺口呈交错状态分布；在所述介质基板的另一面水平刻蚀设有一金属条，所述金属条的长度为介质基板的长度。采用本发明的技术方案，可满足双频带性能指标的应用场合。
一种交错缺口八边形双频电磁材料结构

[发明专利]一种SOI横向功率器件耐压结构及其制备方法-CN201510527397.4有效
发明人： 李天倩;阳小明;马波;陈洪源;杜晓风 -专利权人：西华大学
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOI横向功率器件耐压结构，包括衬底层、埋氧层、有源层，埋氧层设置于衬底层与有源层之间，在埋氧层和衬底层之间设有浓度从源到漏减小的P型掺杂层。本发明所公开的耐压结构有效提高器件动态耐压，降低比导通电阻和开关功耗以及器件工作温度，在高压、高频智能功率集成电路等领域具有广泛的适用性。
一种 soi 横向功率器件耐压结构及其制备方法

[实用新型]一种基于超材料结构的微带阵列天线-CN201620318321.0有效
发明人： 李天倩;杜晓风;阳小明;雍明阳;田野;万洪 -专利权人：西华大学
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种基于超材料结构的微带阵列天线，包括通过绝缘支撑柱平行设置在第二介质基板上的第一介质基板；所述第一介质基板的上表面设有超材料阵列覆层；所述第二介质基板的上表面设有微带阵列天线层，所述微带阵列天线层包括馈电网络和多个微带天线单元，所述馈电网络与所述微带天线单元相连接。本实施在传统微带天线基础上，进行阵元的组合及优化，设计出较优良的微带阵列天线层，与单个微带天线相比，本实施的微带阵列天线可提高天线的方向性和增益；同时，设计与所述微带阵列天线层在相同频段上能够达到双负性质的超材料阵列覆层，可以提高天线的聚焦能力，进而最终能使天线具有良好的方向性、增益系数以及传输效率。
一种基于材料结构微带阵列天线

[实用新型]一种交错缺口正八边形双频带电磁超材料结构-CN201520746980.X有效
发明人： 李天倩;马波;阳小明;陈洪源;杜晓风;邱锡强;万洪;雍明阳;田野 -专利权人：西华大学
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种交错缺口正八边形双频带电磁超材料结构，包括：介质基板；在所述介质基板的一面蚀刻设有内正八角形金属片和外正八角形金属片，内正八角形金属片的最大半径小于外正八角形金属片的最小半径，所述内、外正八边形金属片的边间隔均具有一个缺口，且内、外正八边形金属片的缺口呈交错状态分布；在所述介质基板的另一面水平刻蚀设有一金属条，所述金属条的长度为介质基板的长度。采用本实用新型的技术方案，可满足双频带性能指标的应用场合。
一种交错缺口八边形双频电磁材料结构

[实用新型]一种SOI横向功率器件耐压结构-CN201520648848.5有效
发明人： 李天倩;马波;阳小明;陈洪源;杜晓风 -专利权人：西华大学
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SOI横向功率器件耐压结构，包括衬底层、埋氧层、有源层，埋氧层设置于衬底层与有源层之间，在埋氧层和衬底层之间设有掺杂层，掺杂层的浓度从源到漏逐渐减小。本实用新型所公开的耐压结构有效提高器件动态耐压，降低比导通电阻和开关功耗以及器件工作温度，在高压、高频智能功率集成电路等领域具有广泛的适用性。
一种 soi 横向功率器件耐压结构

[实用新型]一种带三角槽的SOI-LDMOS高压功率器件-CN201420590925.1有效
发明人：阳小明;李天倩;卿朝进;蔡育 -专利权人：西华大学
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带三角槽的SOI—LDMOS高压功率器件。本实用新型争对现有技术SOI—LDMOS器件关断时，漏极电压将在埋氧层下方诱导出电子反型层，它会阻止等势线穿过埋氧层，导致击穿过早发生在硅层，纵向耐压难以提高的问题，公开了一种带三角槽的SOI—LDMOS高压功率器件。其主要是通过在漂移区下方的埋氧层上蚀刻出的三角形沟槽；这样在漂移区下方，就存在一个埋氧层斜面，它可以束缚带正电的空穴，形成高浓度的正面电荷，这些电荷大大提高了器件纵向耐压。而且，器件漂移区厚度从源到漏线性增加，根据RESURF(降低表面电场)原理，横向电场因受到调制而变得均匀，有利于提高横向耐压和抑制比导通电阻的快速增加。
一种三角 soi ldmos 高压功率器件

[发明专利]一种可调谐微波负折射率材料-CN200810147694.6无效
发明人：文光俊;黄勇军;李天倩 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01P1/215 文献下载
摘要：一种可调谐负折射率材料，属于微波材料技术领域。由等效负磁导率的片状绝缘型亚铁磁材料和片状等效负介电常数的材料周期性层叠而成；所述片状绝缘型亚铁磁材料为钇铁石榴石类亚铁磁材料，其介电常数为13.8，饱和磁化强度为1830Gs，损耗角正切为0.0004，厚度为1mm～2mm；所述片状等效负介电常数的材料为沉积在厚度为0.254mm～0.508mm的聚四氟乙烯玻璃纤维电路基板上的相互平行的金属线构成的金属线阵列，每条金属线的厚度为0.018mm～0.035mm，宽度为0.2mm，金属线间的间隔为1.508mm～2mm。本发明所构造的负折射率材料，其工作频率宽；实现负折射率的频带可随外加磁场大小的改变而改变。该种材料在隐身材料、天线工程、微波、毫米波器件等领域将有着广阔的应用前景。
一种调谐微波折射率材料

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