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[发明专利]一种激光增材设备的送粉称粉装置-CN202310825129.5在审
发明人：谢寿春;蔡国双;李冠海 -专利权人：南京辉锐光电科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B22F12/57 文献下载
摘要：本发明公开一种激光增材设备的送粉称粉装置，涉及激光增材技术领域，以解决轻细粉末无法均匀送出，且不能实现多路粉末的在线称重的问题。所述激光增材设备的送粉称粉装置包括振动送粉组件、称粉组件和控制系统，振动送粉组件包括至少一个振动槽和振动器，振动器用于控制对应的振动槽振动；称粉组件包括至少一个称料斗和称重器，称料斗设置于对应的振动槽的下方，称重器用于称量称料斗内的粉末的重量；振动器和称重器均与控制系统电连接，控制系统用于接收称重器传输的电信号，并控制振动器的振动。本发明提供的激光增材设备的送粉称粉装置用于对轻细粉末进行送粉和实时称粉，实现轻细粉末的均匀送粉和多路粉末的在线称重。
一种激光设备送粉称粉装置

[发明专利]一种基于光纤输出光斑图像的光纤错位检测方法-CN202310439155.4在审
发明人：陈星宇;刘艳;唐伟伟;李冠海;陈效双 -专利权人：国科大杭州高等研究院;北京交通大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光纤输出光斑图像的光纤错位检测方法，包括：(1)激光器向待检测光纤一端轴向发射激光信号；(2)光学相机接收待检测光纤末端输出的光斑图像；(3)对得到的光斑图像进行处理，获得其对应的径向能量密度曲线；(4)根据径向能量密度曲线主峰的偏移状态，获取光纤错位检测结果。本发明可以应用在某些不方便对光纤传输结构进行调整、检测的情况下，利用这种方法，可以从输出端去分析检查光纤传输过程中是否出现光纤的断裂、光纤间的错位情况等。
一种基于光纤输出光斑图像错位检测方法

[发明专利]一种对非理想刻蚀工艺制备介质超表面的补偿设计方法-CN202210123406.3有效
发明人：王文娟;诸毅诚;陈平平;陆卫;李冠海;陈效双;曲会丹;周敏;孙京华;郭子路;李阳俊;沈学础 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对非理想刻蚀工艺制备介质超表面的补偿设计方法，该方法基于介质超表面的结构，制备工艺以及等效介质理论提出。通过本发明，一旦知晓了刻蚀工艺在设计要求的刻蚀深度下，不同线宽的版图刻蚀出来的结构形状和尺寸，以本发明给出的补偿方法为指导，在该加工工艺参数不变的前提下，对曝光版图的图形尺寸进行调整，就能够一定程度上减小不理想的刻蚀工艺带来的效率损失。本发明中修正补偿的参数仅包括所设计的曝光版图中图形尺寸的参数。该补偿设计方法能够减少研发基于刻蚀工艺制备介质超表面的周期和成本，并且能够提高基于刻蚀工艺制备的介质超表面的性能。
一种理想刻蚀工艺制备介质表面补偿设计方法

[发明专利]一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法-CN202310359356.3有效
发明人：韩利;刘昌龙;张拾;张力波;施超凡;李冠海;陈效双 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法，将机械剥离的具有高迁移率的铊镍硒纳米片为基本结构单元转移到本征高阻硅和二氧化硅衬底上，然后利用紫外光刻技术和电子束蒸发技术制作源、漏电极，通过超声引线键合等工艺制备出高灵敏超宽带探测的铊镍硒光电探测器。本发明的一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法是基于铊镍硒纳米片的光电探测器，具有高响应率、可见到中波红外的宽谱光电探测、空气稳定性高、集成度高、工艺成熟及可重复等优点。
一种具有宽频光电响应探测器件及其制备方法

[发明专利]一种基于光波导结构的图像边缘检测方法-CN202310286963.1在审
发明人：章郑扬;唐伟伟;何家乐;李冠海;陈效双 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06T7/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光波导结构的图像边缘检测装置和方法，包括：(1)将待检测图像中的每个像素点的像素值信息转化为激光强度信息；(2)通过激光器和光强调整元件逐个将每个像素块对应的激光强度信息输入至对应的光学波导算子结构；(3)光学波导算子结构对输入的光强信息进行调控；(4)收集光学波导算子结构输出的像素点对应的光强信息，并将对应的光强信息转化为像素信息，完成对图像边缘的检测。利用该方法，目前可以实现双通道的图像边缘检测，与传统电学检测方法相比，速度有很大提升，对目标图像轮廓有很好的检出效果，轮廓清晰、细节更加丰富。对图片进行两个波段进行输入检测，均能够识别出图像轮廓。
一种基于波导结构图像边缘检测方法

[发明专利]一种工件熔覆方法、终端设备及工件熔覆系统-CN202210411626.6有效
发明人：韩彦龙;吴志玮;黄河;齐欢;李冠海 -专利权人：南京辉锐光电科技有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明公开一种工件熔覆方法、终端设备及工件熔覆系统，涉及激光熔覆技术领域，用于降低控制系统的复杂程度，适用于规格统一工件的批量熔覆，提高产能。工件熔覆方法包括：获取待熔覆工件的结构信息；获取待熔覆工件在熔覆工位时的位置信息；根据待熔覆工件的结构信息和待熔覆工件在熔覆工位时的位置信息，确定并预先存储熔覆设备的熔覆参数策略；根据熔覆参数策略，控制熔覆设备对待熔覆工件进行熔覆。终端设备包括处理模块和通信模块，工件熔覆系统包括熔覆设备以及上述的终端设备。
一种工件方法终端设备系统

[发明专利]一种工件熔覆装置及系统-CN202210459599.X有效
发明人：韩彦龙;黄河;齐欢;李冠海;吴志玮 -专利权人：南京辉锐光电科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明公开一种工件熔覆装置及系统，涉及激光熔覆技术领域，用于减少对工件的无效熔覆，提升熔覆质量，节约资源投入。工件熔覆装置，包括第一轨道、支撑组件、熔覆组件、夹持组件和校准组件。其中，第一轨道沿第一方向延伸，第一轨道沿第一方向设置有熔覆工位和收纳工位。支撑组件沿第一方向滑动设置于第一轨道，支撑组件在熔覆工位和收纳工位之间往复移动。熔覆组件随动地设置于支撑组件，用于在熔覆工位熔覆工件。夹持组件设置于熔覆工位，用于夹持工件。夹持组件用于驱动工件绕夹持组件的轴线旋转以及调整工件的轴线相对熔覆组件的轴线的角度α。校准组件设置于熔覆工位，用于检测工件的圆跳动并校准工件的轴线与夹持组件的旋转轴线的同轴度。
一种工件装置系统

[发明专利]一种基于石墨烯复合超表面的超快光学偏振开关、调控方法及应用-CN202310201263.8在审
发明人：徐雷君;唐伟伟;张力波;李冠海;陈效双 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯复合超表面的超快光学偏振开关，结构具体包括：衬底；设置在衬底上的绝缘介质层；设置在绝缘介质层上的石墨烯层；设置在石墨烯层上的光学超结构；所述光学偏振开关具有光学各向异性，同时与探测光满足波矢匹配，能够增强入射的探测光，实现对石墨烯的光学介电常数在时域空间的精确调控。本发明石墨烯和探测光的照射下，实现在中红外波段的光学偏振调控，并且大大提高了偏振开关的开关速度。本发明中的偏振开关结构简单，器件的制备工艺与传统的CMOS工艺兼容，在未来的集成光学的多功能与小型化应用领域中将发挥重要作用。
一种基于石墨复合表面光学偏振开关调控方法应用

[实用新型]一种铊镍硒和硒化铋异质结构光电探测器-CN202222815912.7有效
发明人：韩利;张力波;张拾;施超凡;刘昌龙;李冠海;陈效双 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本实用新型的一种铊镍硒和硒化铋异质结构光电探测器，所述探测器自下而上设置有：电绝缘基底、铊镍硒纳米片和源、漏电极，铊镍硒纳米片上端的两侧是源、漏电极层，铊镍硒纳米片作为光敏元件，源、漏电极层与相应的引线电极相连用于连接外部测试电路，所述铊镍硒纳米片的一侧的上端设置硒化铋层，硒化铋层与铊镍硒纳米片搭建异质结结构。本实用新型的一种铊镍硒和硒化铋异质结构光电探测器通过垂直堆叠结构，在实现上述非对称性接触的同时，实现了势垒的非对称，大的电势差进一步增加净的光电流，提高了器件的性能。
一种铊镍硒硒化铋异质结构光电探测器

[发明专利]一种基于拓扑绝缘体的等离子体全息超表面及其构建方法-CN202310154620.X在审
发明人：杨程森;唐伟伟;韩利;李冠海;陈效双 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于拓扑绝缘体的等离子体全息超表面及其构建方法。该超表面包括衬底以及设置在衬底上周期性排布的结构单元；所述结构单元由各向异性的一个或多个具有拓扑绝缘体特性的纳米砖构成。本发明利用拓扑绝缘体在可见光波段内的宽谱表面等离激元共振，避免了传统金属等离子体超表面极高的欧姆损耗，同时利用拓扑绝缘体在可见光波段内激发的表面等离激元共振和复振幅型全息图设计，实现了整个可见光波段的宽谱偏振无关的全息成像。此外，基于等离子体超表面所设计的纳米结构单元为亚波长级，具有结构简单，体积小，重量轻，集成化程度高的优点。
一种基于拓扑绝缘体等离子体全息表面及其构建方法

[实用新型]一种铊镍硒光电探测器-CN202222843801.7有效
发明人：张拾;张力波;韩利;施超凡;刘昌龙;李冠海;陈效双 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铊镍硒光电探测器，所述探测器自下而上设置：电绝缘基底、铊镍硒纳米片和源、漏电极，铊镍硒纳米片上端的两侧是源、漏电极层，铊镍硒纳米片作为光敏元，源、漏电极层与相应的引线电极相连用于连接外部测试电路，所述电绝缘基底包括本征高阻硅衬底及其上覆盖的二氧化硅层，所述的铊镍硒纳米片为机械剥离的单分子层，所述的源、漏电极为金属复合电极。本实用新型的一种铊镍硒光电探测器是基于铊镍硒纳米片的光电探测器，具有高响应率、可见到中波红外的宽谱光电探测、空气稳定性高、集成度高、工艺成熟及可重复等优点。
一种铊镍硒光电探测器

[发明专利]一种场操控可调的光电灵敏性探测器件、制备方法及其应用-CN202210307309.X在审
发明人：施超凡;张拾;刘昌龙;章郑扬;杨程森;李冠海;陈效双 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种场操控可调的光电灵敏性探测器件、制备方法及其应用，覆盖有二氧化硅的硅衬底上通过干法转移二硫化钨纳米片，二硫化钨纳米片上制备场操控电极，两端制备源漏电极，二硫化钨纳米片用作场操控电极和两端源漏电极的光敏导电沟道，施加电压至场操控电极和源漏电极，通过非对称的电场增大光响应电流、降低暗电流。本发明提供了一种提高探测器的响应率的一种场操控可调的光电灵敏性探测器件、制备方法及其应用。
一种操控可调光电灵敏性探测器件制备方法及其应用

[发明专利]一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法-CN202211312743.3在审
发明人：韩利;张力波;张拾;施超凡;刘昌龙;李冠海;陈效双 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法，将机械剥离的具有高迁移率的铊镍硒纳米片为基本结构单元转移到本征高阻硅和二氧化硅衬底上，然后利用紫外光刻技术和电子束蒸发技术制作源、漏电极，通过超声引线键合等工艺制备出高灵敏超宽带探测的铊镍硒光电探测器。本发明的一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法是基于铊镍硒纳米片的光电探测器，具有高响应率、可见到中波红外的宽谱光电探测、空气稳定性高、集成度高、工艺成熟及可重复等优点。
一种具有宽频光电响应探测器件及其制备方法

[发明专利]一种工件圆跳动检测方法、装置及设备-CN202210923493.0在审
发明人：徐政锋;蔡国双;韩彦龙;李冠海 -专利权人：南京辉锐光电科技有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明公开一种工件圆跳动检测方法、装置及设备，本发明涉及机械部件测量领域，用于解决现有技术中检测圆跳动精度误差大的问题。包括：将激光位移传感器安装在距离工件预设距离处，对工件进行非接触式距离测量；驱动工件按照设定转速进行转动，并控制激光位移传感器采用激光技术测量自身到工件表面的距离；按照预设频率读取设定周期内激光位移传感器测量的距离值；基于采集到的距离值构建正弦曲线；基于正弦曲线，采用微积分计算工件对应的圆跳动值。本方案通过激光测距采集激光位移传感器到工件圆环的距离，并通过微积分计算的方法，得出圆跳动值，以反复校准工件与重新测量圆跳动，以达到减小圆跳动目的，提高测量精度。
一种工件跳动检测方法装置设备

[发明专利]一种耐击穿平面型雪崩单光子探测器及其制备方法-CN202210848023.2在审
发明人： 李冠海;李鑫;陈健;陈金;郁菲茏;赵增月;陶玲;李志锋;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐击穿平面型雪崩单光子探测器及其制备方法，包括衬底、缓冲层、P型层、I型层、N型层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层和P型层依次生长在衬底上、N型层和I型层形成在P型层中；光子从P型衬底入射，P型衬底上的阴极引出端接电源的负极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层上的阳极引出端接电源的正极。本发明结构简单，易于制备，可以使器件在高偏压下获得高增益。
一种击穿平面雪崩光子探测器及其制备方法

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