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[发明专利]存储器、存储器器件和制造方法-CN202210966695.3在审
发明人：宋明远;李乾铭;鲍新宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了存储器、存储器器件和制造方法。具体地，公开了一种包括底部电极桥和重叠并物理耦合到底部电极桥的自旋轨道扭矩结构的磁存储器器件及其制造方法。在一个实施例中，一种存储器包括在第一通孔上的第一电极；在第二通孔上的第二电极；结构物理耦合且电耦合到第一电极和第二电极的自旋轨道扭矩(SOT)结构，SOT结构与第一电极和第二电极重叠；以及在SOT结构上的磁隧道结(MTJ)。
存储器器件制造方法

[发明专利]磁性随机存取存储器及其制造方法-CN201811393096.7有效
发明人：魏惠娴;林仲德;蔡瀚霆;彭泰彦;戴品仁;李乾铭;赖昇志;温伟志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了由半导体器件形成的磁性隧道结单元的MRAM器件及其形成方法。在制造半导体器件的方法中，形成磁性随机存取存储器(MRAM)单元结构。MRAM单元结构包括底部电极、磁性隧道结(MTJ)堆叠件和顶部电极。在MRAM单元结构上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层。形成层间介电(ILD)层。在ILD层中形成接触开口，由此暴露第二绝缘覆盖层。去除第二绝缘覆盖层的部分和第一绝缘覆盖层的部分，由此暴露顶部电极。在与顶部电极接触的开口中形成导电层。
磁性随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]半导体器件、MRAM器件和制造存储器器件的方法-CN201910571607.8有效
发明人：林灿;李乾铭;应继锋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一些实施例中涉及存储器器件。该存储器器件包括磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，MRAM单元包括磁隧道结(MTJ)。MTJ器件包括层的堆叠件，包括设置在衬底上方的底部电极。晶种层设置在底部电极上方。缓冲层设置在底部电极和晶种层之间。缓冲层防止扩散物质从底部电极扩散到晶种层。本发明的实施例还涉及半导体器件、MRAM器件和制造存储器器件的方法。
半导体器件 mram 器件制造存储器方法

[发明专利]存储器元件及其制造方法-CN202210005309.4在审
发明人：黄彦霖;宋明远;李乾铭;林世杰;白奇峰;胡宸瑜;黄兆中;陈冠豪;蔡佳晋;邱郁芳;彭成玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本揭露提供一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括磁性穿遂结与自旋霍尔电极。磁性穿遂结包括自由层、参考层以及延伸于自由层与参考层之间的阻障层。自旋霍尔电极接触于磁性穿遂结且经配置以将电荷电流转换为用于写入磁性穿遂结的自旋电流。自旋霍尔电极由包括重金属元素与过渡元素金属的合金构成。重金属元素选自于具有填于5d轨域的一或多个价电子的金属元素，且轻过渡金属元素选自于具有部分填满3d轨域的一或多个价电子的过渡金属元素。
存储器元件及其制造方法

[发明专利]存储器装置-CN202210197132.2在审
发明人：黄彦霖;宋明远;李乾铭;林世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供一种存储器装置。存储器装置包括基底、自旋轨道扭矩层和磁性穿隧接面。磁性穿隧接面与自旋轨道扭矩层堆叠于基底之上，且包括合成自由层、阻障层和参考层。合成自由层包括合成反铁磁结构、第一间隔件层和自由层，其中合成反铁磁结构设置在自旋轨道扭矩层和自由层之间。阻障层设置在合成自由层旁。参考层设置在阻障层旁。
存储器装置

[发明专利]存储器件、形成存储器件的方法以及存储阵列-CN202111127724.9在审
发明人： 李乾铭;宋明远;黄彦霖;林世杰;李东颖;鲍新宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：提供一种存储器件及其形成方法。存储器件包括：选择器；磁性隧道结(MTJ)结构，设置在选择器上；自旋轨道扭矩(SOT)层，设置在选择器与MTJ结构之间，其中SOT层具有与选择器的侧壁对准的侧壁；晶体管，其中晶体管具有电耦合到MTJ结构的漏极；字线，电耦合到晶体管的栅极；位线，电耦合到SOT层；第一源极线，电耦合到晶体管的源极；以及第二源极线，电耦合到选择器，其中晶体管被配置成控制在位线与第二源极线之间流动的写入信号，且控制在位线与第一源极线之间流动的读取信号。
存储器件形成方法以及阵列

[发明专利]存储器装置及其形成方法-CN202210087798.2在审
发明人：徐振峰;李乾铭;李东颖;吴政宪;李亨元;鲍新宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一个存储器装置包括衬底、设置在衬底之上的晶体管、设置在晶体管之上且电性连接至晶体管的内连线结构，以及设置在内连线结构的两个相邻的金属化层之间的存储器堆叠。存储器堆叠包括设置在衬底之上且电性连接到位线的底部电极、设置在底部电极之上的存储器层、设置在存储器层之上的选择器层，以及设置在选择器层之上且电性连接到字线的顶部电极。此外，至少一个防潮层提供为与选择器层相邻并实体接触选择器层，且至少一个防潮层包括非晶材料。
存储器装置及其形成方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法、存储器器件-CN202210031492.5在审
发明人： 李乾铭;林世杰;黄彦霖;宋明远;李东颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：半导体器件包括一对有源器件、复合自旋霍尔电极和磁隧道结。复合自旋霍尔电极电连接至一对有源器件。磁隧道结设置在相对于该一对有源器件的复合自旋霍尔电极的相对侧上。自旋霍尔电极包括一对重金属层以及设置在该一对重金属层之间的间隔件层。该一对重金属层由亚稳态的重金属构成。间隔件层包括与该一对重金属层不同的第一材料。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、存储器器件。
半导体器件制造方法存储器器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110987417.1在审
发明人： 李乾铭;李东颖;吴政宪;鲍新宇;李亨元;陈映予 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体衬底及内连结构。内连结构设置在半导体衬底之上。内连结构包括第一导电线、第二导电线及双向阈值开关。第一导电线在第一方向上彼此平行地延伸。第二导电线堆叠在第一导电线之上且在与第一方向垂直的第二方向上彼此平行地延伸。双向阈值开关设置在第一导电线与第二导电线之间。双向阈值开关包含三元GeCTe材料。三元GeCTe材料实质上由碳、锗及碲组成。在三元GeCTe材料中，碳含量介于10原子百分比到30原子百分比范围内且锗含量介于10原子百分比到65原子百分比范围内。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110726349.3在审
发明人：林世杰;李乾铭;野口紘希;宋明远;黄彦霖;葛卫伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有第一侧和第二侧；第一晶体管，包括位于第一突起上方的第一栅极以及插入第一突起的第一源极区域和第一漏极区域；第一掩埋接触件，设置为与第一突起相邻并具有延伸到衬底中的至少一部分；第一接触塞，设置在第一漏极区域上方；第一导线，设置在第一接触塞上方并通过第一接触塞电连接至第一漏极区域；第一通孔，穿过衬底并连接第一掩埋接触件；以及第二导线，设置在衬底的第二侧上方并电连接至第一通孔。第一掩埋接触件电连接到第一源极区域或第一栅极。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]磁存储器件及其形成方法-CN202110476211.2在审
发明人： 李乾铭;林世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：磁存储器件包括自旋轨道扭矩(SOT)感应自旋霍尔电极和设置在自旋霍尔电极上的磁隧道结(MTJ)堆叠件的自由层，自由层是合成反铁磁结构。自由层具有磁矩，该磁矩相对于MTJ堆叠件的长轴倾斜，并且相对于电流流过自旋霍尔电极的方向倾斜。MTJ堆叠件内部产生磁场以切换自由层的状态。自由层包括通过间隔层与第二层隔开的第一层，其中第一层和第二层可以具有相同或不同的晶体结构。本申请的实施例提供了磁存储器件及其形成方法。
磁存储器及其形成方法

[发明专利]磁存储器件-CN202110476411.8在审
发明人：林世杰;李乾铭;宋明远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：磁存储器件包括自旋轨道扭矩(SOT)感应结构，该结构可以被应变和无种子并形成有垂直磁各向异性。磁隧道结(MTJ)堆叠件设置在SOT感应结构上。间隔层可以使SOT感应结构与MTJ堆叠件之间的层解耦或使MTJ堆叠件内的层解耦。SOT感应结构的一端可以耦合至第一晶体管，而SOT感应结构的另一端耦合至第二晶体管。
磁存储器

[发明专利]磁性存储器件、磁性存储器及其形成方法-CN202011169476.X在审
发明人：宋明远;林世杰;李乾铭;葛卫伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种磁性存储器件包括：磁性隧道结(MTJ)堆叠；自旋轨道力矩(SOT)感应配线，设置在MTJ堆叠之上；第一端子，耦合到SOT感应配线的第一端；第二端子，耦合到SOT感应配线的第二端；以及共享选择器层，耦合到第一端子。
磁性存储器件存储器及其形成方法

[外观设计]带港口设施维护可视化管理系统图形用户界面的电脑（智港通）-CN202030558796.9有效
发明人：苏汉柱;余依娜;张润康;黄丹;李乾铭;钟增泽 -专利权人：广州市港航工程研究所;广州秉正工程检测有限公司;广州中启软件科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：带港口设施维护可视化管理系统图形用户界面的电脑（智港通）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于运行程序及项目管理。3.本外观设计产品的设计要点：在于屏幕中间的图形用户界面内容。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.本外观设计产品电脑为现有设计，省略其他视图。6.图形用户界面的用途：主视图为“带港口设施维护可视化管理系统图形用户界面（智港通）”，系统完成登陆后直接进入功能模块设施管理界面，即主视图界面。点击主视图右侧“堆场”子功能，可以得到界面变化状态1，用于显示设施在项目中的现状分析数据；点击界面变化状态1上方功能按钮“检测维护‑定期检查”后进入到界面变化状态2，界面变化状态2属于“检查维护”功能的子功能，用户可以根据该界面对项目模型及详细情况进行查看；点击界面变化状态2上方功能按钮“检查维护‑水深测量”后进入界面变化状态3，用户根据该界面可对项目水深进行测量，并可以查看港池於变情况；点击界面变化状态3上方功能按钮“检查维护‑沉降位移”后进入界面变化状态4，用户可根据本界面得到项目的沉降位移数据；点击界面变化状态4上方功能按钮“检查维护‑维护建议”后进入界面变化状态5，用户可根据本界面提示内容进行项目维护；点击界面变化状态5上方功能按钮“港区风貌”后进入界面变化状态6，用户可根据界面对项目进行720°实景全景查看；点击界面变化状态5上方功能按钮“平台管理‑图层管理”，点击可进入界面变化状态7，用户点击本界面左边图层可对相应设施进行查看；点击界面变化状态7上方功能按钮“平台管理‑单位化绘制”可进入到界面变化状态8，用户可以在本界面对项目设施进行划分；点击界面变化状态8上方功能按钮“平台管理‑模型编辑”后进入到界面变化状态9，用户在本界面可对平台模型进行增删编辑；点击界面变化状态9上方功能按钮“平台管理‑数据维护”后进入到界面变化状态10，用户可在本界面得到项目的设施技术状态类别表，根据报表能够提高管理效率；点击界面变化状态9上方功能按钮“平台管理‑图上量算”后进入到界面变化状态11，用户可在该界面进行项目的各类量算；点击界面变化状态11上方功能按钮“平台管理‑仿真水面绘制”后进入到界面变化状态12，用户在本界面可以进行平台的水面仿真编辑。
港口设施维护可视化管理系统图形用户界面电脑智港通

[发明专利]气体供应装置及方法-CN201710063581.7有效
发明人： 李乾铭;陈俊吉;林世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种气体供应装置，包含一气体供应头、一第一盘体、一第二盘体以及一旋转致动器。第一盘体具有至少一开口。第一盘体的开口与第二盘体在气体供应头上的投影是重叠的。第二盘体包含多个扇形区域。该些扇形区域是沿着该第二盘体的角向方向排列的，该些扇形区域内的气孔分布不同。旋转致动器用以驱动第一盘体、第二盘体或其组合，使得第一盘体与第二盘体在角向方向上相对旋转。
气体供应装置方法

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