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[发明专利]具有多个沟道层的非易失性存储器件-CN201911017190.7有效
发明人：刘香根;宋姝璃;李世昊;李在吉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多个沟道层的非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底；单元电极结构，其设置在衬底上并包括交替层叠的层间绝缘层和栅电极层；沟槽，其穿过衬底上的单元电极结构；电荷储存结构，其设置在沟槽的侧壁表面上；和沟道结构，其相邻于电荷储存结构设置并沿平行于侧壁表面的方向延伸。沟道结构包括单独的空穴传导层和相邻的且单独的电子传导层。设置在控制电介质层上的控制沟道层是电子传导层的一部分，该控制沟道层被配置为电连接到沟道结构和电荷储存结构。控制电介质层和电荷阻挡层是分立的，但是从控制沟道结构到电荷储存结构是连续的。
具有沟道非易失性存储器

[发明专利]垂直存储器件及其制造方法-CN201910979076.6有效
发明人：李在吉;宋姝璃;刘香根;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B51/00 文献下载
摘要：本申请提供一种垂直存储器件及其制造方法。根据一个方面的垂直存储器件包括衬底，设置在衬底上的第一栅电极结构以及在基本上垂直于衬底的第一方向上与第一栅电极结构间隔开的第二栅电极结构，设置在第一栅电极结构与第二栅电极结构之间的沟道接触电极层，以及沿第一方向延伸并与沟道接触电极层以及第一栅电极结构和第二栅电极结构接触的沟道层。
垂直存储器件及其制造方法

[发明专利]包括铁电层和电介质结构的半导体器件及其制造方法-CN202210991048.8在审
发明人：具元泰;徐东益;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一电极；铁电层，该铁电层设置在第一电极上并且实现负电容；电介质结构，该电介质结构设置在铁电层上并包括交替叠置的第一电介质层和第二电介质层；以及第二电极，该第二电极设置在电介质结构上。铁电层和电介质结构被配置为彼此串联电连接。铁电层和电介质结构共同具有非铁电特性。
包括铁电层电介质结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括包含金属-有机框架的层间绝缘结构的半导体装置-CN202210186198.1在审
发明人：具元泰;韩在贤;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请涉及包括包含金属‑有机框架的层间绝缘结构的半导体装置。根据本公开的实施方式的半导体装置包括：基板；栅极结构，其设置于基板上方；介电结构，其在基板上方设置为接触栅极结构的侧壁表面；以及沟道层，其在基板上方设置在介电结构的侧壁表面上。栅极结构包括交替层叠的栅电极层和层间绝缘结构。层间绝缘结构包括金属‑有机框架层。
包括包含金属有机框架绝缘结构半导体装置

[发明专利]带止回功能的减压阀-CN202210740491.8在审
发明人：刘运东;郭宗斌;郗开冲;彭琳;李世昊;迟鹏新;张振超;黄士伟;刘巍 -专利权人：中车制动系统有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： F16K17/02 文献下载
摘要：本发明提供一种带止回功能的减压阀，包括：阀体：包括进气口和出气口，内部形成腔体，进气口和出气口与腔体连通；阀盖：安装在阀体上，与阀体配合形成阀体腔，进气接头：安装在阀体的进气口处，进气接头的进气口与阀体进气口连通；止回结构：设置在进气接头的进气口处，在进气口压力大于阀体腔内部压力时，所述止回结构打开，进气口打开，当阀体腔压力大于进气口压力时，所述止回结构关闭，进气口关闭。减压阀可节省压缩空气，同时保证维持下游压力稳定，可将减压阀产品做成模块化、系列化，节省成本。
带止回功能减压阀

[发明专利]包括铁电层的半导体器件及其制造方法-CN202110823533.X在审
发明人：李在吉;徐东益;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本公开提供了一种包括铁电层的半导体器件及其制造方法。根据实施例的半导体器件包括：衬底；位线结构和源极线结构，分别在垂直于衬底表面的方向上延伸；半导体层，其设置在平行于衬底表面的平面上在位线结构与源极线结构之间；第一铁电层，其设置在半导体层的第一表面上；以及第一栅电极层，其设置在第一铁电层上。
包括铁电层半导体器件及其制造方法

[发明专利]告警类型关联规则的生成方法、装置及系统、存储介质-CN202110542595.3有效
发明人：史济源;张亮;李世昊;包德伟;李健 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G06F16/174 文献下载
摘要：本申请公开了一种告警日志压缩方法、装置及系统、存储介质，属于通讯技术领域。包括：获取通讯网络中的第一网络设备产生的历史告警日志集合；基于历史告警日志集合中的历史告警日志的产生时间戳，对历史告警日志集合进行划分，得到多个历史告警日志子集合，每个历史告警日志子集合中的所有历史告警日志在时序上连续；确定历史告警日志集合中的告警类型与多个历史告警日志子集合的对应关系；基于对应关系对历史告警日志集合中的告警类型进行聚类处理，以生成至少一个关联规则；基于至少一个关联规则对多个待处理告警日志进行压缩处理，以得到告警类型为根因告警类型的告警日志。本申请解决了关联规则的挖掘效率较低且时间代价较大的问题。
告警类型关联规则生成方法装置系统存储介质

[发明专利]一种数据处理方法以及数据处理设备-CN202111084804.0在审
发明人：包德伟;谢于明;李世昊;李健;程康 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06F16/18 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种数据处理方法以及数据处理设备，用于根据相同类型的多条日志确定该多条日志对应的日志类型的日志模板，即解析规则；然后根据该日志模板提取该多条日志的变量生成结构化日志。即不再需要人工设置解析规则，免除了运行过程对解析规则的人工维护与更新。本申请实施例方法包括：数据处理设备获取日志集合；所述数据处理设备确定所述日志集合中N条日志属于第一类型，所述N为正整数；所述数据处理设备根据所述N条日志确定与所述第一类型对应的日志模板，所述第一类型对应的日志模板用于指示所述N条日志的变量位置；所述数据处理设备根据所述变量位置从所述N条日志中的一条或多条日志提取变量生成结构化日志。
一种数据处理方法以及设备

[发明专利]半导体器件-CN202110271975.8在审
发明人：徐东益;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：第一电极；第二电极；以及多层叠层，其介于第一电极与第二电极之间并且包括晶种层和高k电介质层，其中，晶种层和高k电介质层各自可以具有岩盐晶体结构，以及其中高k电介质层可以呈现出五十(50)或更高的介电常数(k)。
半导体器件

[发明专利]一种数据处理方法以及数据处理设备-CN201610948580.6有效
发明人：包德伟;谢于明;李世昊;李健;程康 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G06F16/18 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种数据处理方法以及数据处理设备，用于根据相同类型的多条日志确定该多条日志对应的日志类型的日志模板，即解析规则；然后根据该日志模板提取该多条日志的变量生成结构化日志。即不再需要人工设置解析规则，免除了运行过程对解析规则的人工维护与更新。本申请实施例方法包括：数据处理设备获取日志集合；所述数据处理设备确定所述日志集合中N条日志属于第一类型，所述N为正整数；所述数据处理设备根据所述N条日志确定与所述第一类型对应的日志模板，所述第一类型对应的日志模板用于指示所述N条日志的变量位置；所述数据处理设备根据所述变量位置从所述N条日志中的一条或多条日志提取变量生成结构化日志。
一种数据处理方法以及设备

[发明专利]具有电阻变化层的非易失性存储器件及其操作方法-CN202010889134.9在审
发明人：韩在贤;李世昊;刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：根据实施例的非易失性存储器件包括衬底、设置在衬底上的电阻变化层、设置在电阻变化层上的栅电极层、以及设置在衬底中并接触电阻变化层的不同部分的第一电极图案层和第二电极图案层。电阻变化层包括可移动氧空位和可移动金属离子。
具有电阻变化非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]具有三维结构的非易失性存储器件-CN202010889151.2在审
发明人：韩在贤;刘香根;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：根据一个实施例的非易失性存储器件包括衬底和栅极结构，该栅极结构设置在衬底上并包括孔图案。该栅极结构包括交替层叠的至少一个栅电极层与至少一个层间绝缘层，并且该栅电极层相对于层间绝缘层朝向孔图案的中心突出。非易失性存储器件包括：第一功能层，其在孔图案内部沿着栅极结构的侧壁表面设置；第二功能层，其设置在孔图案内部的第一功能层上；以及沟道层，其在孔图案内部沿垂直于衬底的方向延伸，并且设置为接触第二功能层的单元部分。第二功能层的单元部分间接覆盖栅电极层的侧壁表面。
具有三维结构非易失性存储器

[发明专利]具有电阻变化结构的三维非易失性存储器件及其操作方法-CN202010721299.5在审
发明人：韩在贤;李世昊;刘香根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：非易失性存储器件包括具有上表面的衬底和设置在该衬底上方的沟道结构。所述沟道结构包括至少一个沟道层图案和至少一个层间绝缘层图案，二者在垂直于所述上表面的第一方向上交替地层叠，并且所述沟道结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。所述非易失性存储器件包括：电阻变化层，其设置在所述衬底上方并且在所述沟道结构的一个侧壁表面的至少一部分上；栅极绝缘层，其设置在所述衬底上方并且在所述电阻变化层上；以及多个栅极线结构，其设置在所述衬底上方，各自与所述栅极绝缘层的第一表面接触，并且被设置成在第二方向上彼此间隔开。
具有电阻变化结构三维非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]具有阻变层的非易失性存储器件及其操作方法-CN202010723090.2在审
发明人：韩在贤;刘香根;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：根据一个实施例的非易失性存储器件包括：衬底；阻变层，其设置在所述衬底之上；栅绝缘层，其设置在所述阻变层上；栅电极层，其设置在所述栅绝缘层上；以及第一电极图案层和第二电极图案层，其分别设置在所述衬底上并且设置为接触所述阻变层的不同部分。
具有阻变层非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]具有铁电层的非易失性存储器件-CN202010651872.X在审
发明人：韩在贤;李在吉;刘香根;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：根据实施例的非易失性存储器件包括具有上表面的衬底以及设置在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括沿垂直于上表面的第一方向交替层叠的至少一个栅电极层图案与至少一个栅极绝缘层图案。栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。非易失性存储器件包括被设置在栅极结构的一个侧壁表面的至少一部分上的铁电层。栅极结构的一个侧壁表面形成基本平行于第一方向和第二方向的平面。非易失性存储器件包括：沟道层，其设置在铁电层上；以及源电极结构和漏电极结构，其被设置为与沟道层接触并且在第二方向上彼此间隔开。
具有铁电层非易失性存储器

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