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[发明专利]半导体器件以及包括半导体器件的显示装置-CN201780018370.X有效
发明人： 朴鲜雨;韩明浩;赵炫旻;宋俊午;金青松;文智炯;李尚烈 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：实施例公开了一种半导体器件，包括：发光结构，包括：第一导电型半导体层；多个有源层，设置为在所述第一导电型半导体层上彼此间隔开；以及多个第二导电型半导体层，分别设置在所述多个有源层上；第一电极，电连接到所述第一导电型半导体层；以及多个第二电极，分别电连接到所述多个第二导电型半导体层，其中：所述多个有源层包括：第一有源层、第二有源层和第三有源层；所述发光结构包括：第一发光部，包括所述第一有源层；第二发光部，包括所述第二有源层；以及第三发光部，包括所述第三有源层；所述第一有源层发出蓝色波长带的光，所述第二有源层发出绿色波长带的光；以及所述第二有源层的高度与所述第一有源层的高度不同。
半导体器件以及包括显示装置

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的显示装置-CN201780072900.9有效
发明人：李尚烈;金青松;文智炯;朴鲜雨;赵炫旻 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一个实施例公开了一种半导体器件，包括：多个发光单元；多个波长转换层，分别设置在所述多个发光单元上；分隔件，设置在所述多个发光单元之间和所述多个波长转换层之间；多个滤色器，分别设置在所述多个波长转换层上；以及黑矩阵，设置在所述多个滤色器之间。
半导体器件包括显示装置

[发明专利]发光器件-CN201780076015.8有效
发明人：黄盛珉;朴鲜雨;李昌炯 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装和照明装置。根据实施例的发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；钝化层，该钝化层被布置在发光结构上；以及绝缘反射层，该绝缘层被布置在钝化层上。钝化层可以包括在发光结构的上表面上布置的第一区域，以及在第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和有源层的侧表面上布置的第二区域。绝缘反射层可以被布置在第一区域上，并且绝缘反射层的端部可以被布置成与第一区域的端部分开。
发光器件

[发明专利]半导体器件-CN201780034118.8有效
发明人：李尚烈;金青松;文智炯;朴鲜雨;宋俊午 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：根据一个实施例的半导体器件可以包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、设置在第一导电型半导体层上的有源层、以及设置在有源层上的第二导电型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，并包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第二电极，设置在第二导电型半导体层上，并电连接到漏电极和第二导电型半导体层；第一接合焊盘，设置在发光结构上，并电连接到第一导电型半导体层；第二接合焊盘，设置在晶体管上，并电连接到源电极；以及第三接合焊盘，设置在晶体管上，并电连接到栅电极。
半导体器件

[发明专利]发光器件-CN201680047563.3有效
发明人： 朴鲜雨;金明燮 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一个实施例中公开的发光元件包括：支撑基板，具有多个焊盘以及在所述多个焊盘之外的黑色矩阵层；多个发光芯片，其中至少一个发光芯片设置在所述多个焊盘中的至少一个上；以及设置在所述支撑基板上并覆盖所述焊盘、所述黑色矩阵层和所述发光芯片的透光树脂层。
发光器件

[发明专利]发光元件-CN201680030499.8有效
发明人： 朴鲜雨;成东炫;李大熙;李炳雨;崔光基;韩载天 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：根据一个实施例所的公开是发光元件，该发光元件包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二导电层，其被电连接到第二半导体层；第一导电层，其包括通过第二导电层和发光结构被电连接到第一半导体层的多个通过电极；绝缘层，其用于使多个通过电极与有源层、第二半导体层以及第二导电层电绝缘；以及电极焊盘，其被布置在第二导电层的暴露区域中，其中多个通过电极在被电连接到第一半导体层的第一区域的面积上不同。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201680030296.9有效
发明人： 朴鲜雨;成东炫;李大熙;李炳雨;崔光基;韩载天 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：根据一个实施例所公开的是发光元件，该发光元件包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二导电层，其被电连接到第二半导体层；第一导电层，其被布置在经过发光结构和第二导电层的多个通孔中，并且包括被电连接到第一半导体层的多个通过电极；绝缘层，其用于将多个通过电极与有源层、第二半导体层和第二导电层电绝缘；以及电极焊盘，其被布置在第二导电层的暴露区域中，其中在多个通过电极之间布置的第二导电层离电极焊盘越远，第二导电层的宽度变得越大。
发光元件