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[发明专利]半导体工艺用组合物和使用其的半导体器件的制造方法-CN202310384103.1在审
发明人：洪承哲;明康植;朴韩址;韩德洙;崔容寿 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：提供一种半导体工艺用组合物和使用其的半导体器件的制造方法等。本实施方式的半导体工艺用组合物包括抛光颗粒和凹陷控制添加剂。所述凹陷控制添加剂包括第一凹陷控制添加剂和第二凹陷控制添加剂。所述第一凹陷控制添加剂包括具有甜菜碱基和水杨基的化合物或其衍生物，所述第二凹陷控制添加剂包括唑类化合物。基于100重量份的所述抛光颗粒，所述第一凹陷控制添加剂的含量为0.07重量份以上，基于100重量份的所述抛光颗粒，所述第二凹陷控制添加剂的含量为0.13重量份以下。根据本实施方式，可以更有效地执行抛光工艺，并且在对在外部暴露有多个不同膜质的表面进行抛光时，可以实现平坦抛光的表面而没有各个膜质之间的厚度偏差。
半导体工艺组合使用半导体器件制造方法

[发明专利]半导体工艺用组合物和基板的抛光方法-CN202310384135.1在审
发明人：韩德洙;洪承哲;朴韩址;金桓铁;李亨株 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用组合物和基板的抛光方法。所述半导体工艺用组合物包括：抛光颗粒，用氨基硅烷类化合物进行表面改性；铜腐蚀抑制剂，包含唑类化合物；铜表面保护剂，包含具有甜菜碱基和水杨基的化合物或其衍生物；及表面活性剂，在分子中含有氟；经过表面改性的所述抛光颗粒的表面具有氨基硅烷基团。根据本实施方式，可以更有效地进行抛光工艺，尤其，在适用于具有穿通电极的基板的抛光工艺时，可以使凹陷、腐蚀及突起等缺陷最小化。并且，在抛光在外部暴露有多个不同膜质的表面时，可以实现平坦抛光结果而没有各个膜质之间的厚度偏差。
半导体工艺组合抛光方法

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法-CN202180083215.2在审
发明人： 朴韩址;韩德洙;权璋国;洪承哲 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光用组合物的半导体器件的制造方法，具体地，涉及可用于抛光非晶质碳膜(ACL，Amorphous carbon layer)的抛光组合物，所述抛光组合物可以对非晶质碳膜表现出高抛光速率，并且在45℃以上不出现抛光速率降低的问题，长时间储存稳定性增加，并能防止抛光工艺中产生的碳残留物(Carbon residue)吸附在半导体基板上，还能防止抛光垫的污染。此外，本发明还能够提供一种适用半导体工艺用抛光组合物的半导体器件的制造方法。
半导体工艺抛光组合制备方法以及适用半导体器件制造

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法-CN202180082951.6在审
发明人： 朴韩址;韩德洙;权璋国;洪承哲 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法，具体地，所述抛光组合物能够应用于非晶质碳膜(ACL，Amorphous carbon layer)的抛光工艺中，并能够表现出高抛光速率；能防止抛光工艺中的碳残留物(Carbon residue)再次吸附在半导体基板上，由此防止缺陷的发生；并且，还具有优异的储存稳定性。此外，本发明还能够提供一种适用半导体工艺用抛光组合物的半导体器件的制造方法。
半导体工艺抛光组合制备方法以及适用半导体器件制造

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法-CN202180083214.8在审
发明人： 朴韩址;韩德洙;权璋国;洪承哲 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光用组合物的半导体器件的制造方法，其中，就包含抛光颗粒、加速剂和稳定剂的本发明的抛光组合物而言，将抛光组合物在60℃以上长时间储存后，粒子间也不会发生凝集现象，故长时间储存稳定性优异；并且作为应用于非晶质碳膜(Amorphous carbon layer)的抛光工艺中的抛光组合物，能够表现出高抛光率，还能防止抛光工艺中产生的碳残留物(Carbon residue)吸附在半导体基板上，并能防止抛光垫的污染。此外，本发明还能够提供一种适用半导体工艺用抛光组合物的半导体器件的制造方法。
半导体工艺抛光组合制备方法以及适用半导体器件制造

[发明专利]半导体工艺用组合物、其制造方法和半导体器件制造方法-CN202310072545.2在审
发明人：洪承哲;韩德洙;朴韩址;金桓铁;金圭勋;郑恩先 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用组合物、其制造方法和半导体器件制造方法。本发明涉及一种半导体工艺用组合物，其适用于半导体晶片的抛光工艺，更具体而言，适用于涉及半导体晶片的抛光工艺的半导体工艺，所述半导体工艺用组合物包含抛光颗粒，在pH 6的条件下，所述抛光颗粒的ZETA电位为‑50mV至‑10mV，并且由以下第1式表示的ZETA电位变化率为6mV/pH至30mV/pH，第1式：ZETA电位变化率(mV/pH)＝|(Z6‑Z5)/(p6‑p5)|，在所述第1式中，所述p6为pH 6，所述p5为pH 5，所述Z6为在所述pH 6条件下的ZETA电位，所述Z5为在所述pH 5条件下的ZETA电位。
半导体工艺组合制造方法半导体器件

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物制备方法和使用抛光组合物的半导体元件的制备方法-CN202180053079.2在审
发明人： 朴韩址;韩德洙;权璋国;洪承哲 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物和使用抛光组合物的半导体元件的制备方法，可提供一种制备方法，应用于非晶碳膜的CMP工艺，表现出高抛光率，并防止CMP工艺中的碳残留物再吸附至半导体基板，以及防止抛光垫的污染，并通过稳定化抛光组合物内的加速剂，使保存稳定性优异。另外，可提供使用半导体工艺用抛光组合物的半导体元件的制备方法。
半导体工艺抛光组合制备方法使用元件

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制备方法-CN202210858730.X在审
发明人：洪承哲;韩德洙;朴韩址;金圭勋;郑恩先;权璋国;李亨株 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物和半导体器件的制备方法。提供一种包括胺类抛光率增强剂的半导体工艺用抛光组合物，所述半导体工艺用抛光组合物包括抛光颗粒，所述抛光颗粒包括所述胺类抛光率增强剂。所述半导体工艺用抛光组合物在所述抛光颗粒的表面周围还包括胺类表面改性剂，并且基于整体组合物，所述胺类抛光率增强剂中的胺基的含量和所述胺类表面改性剂中的胺基的含量的和为0.0185重量％以上。所述半导体工艺用抛光组合物在掺硼多晶硅层的抛光中可以实现目标范围的抛光率和缺陷防止性能。
半导体工艺抛光组合以及半导体器件制备方法

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制造方法-CN202210454337.4在审
发明人：洪承哲;韩德洙;权璋国;朴韩址 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制造方法。本发明涉及半导体工艺用抛光组合物以及使用抛光组合物的基板抛光方法，其能够提高掺硼多晶硅膜的抛光率，提高抛光选择比，防止抛光工艺中可产生的晶片缺陷，并改善晶片表面的粗糙度。此外，本发明涉及制造使用半导体工艺用抛光组合物来抛光的基板的方法。
半导体工艺抛光组合以及半导体器件制造方法

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制造方法-CN202210347716.3在审
发明人：洪承哲;韩德洙;朴韩址;权璋国 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制造方法。所述半导体工艺用抛光组合物在抛光工艺中防止抛光颗粒重新吸附于晶片上，从而防止晶片缺陷，抛光率、选择比等提高，并且分散性提高。另外，当使用半导体工艺用抛光组合物来制备半导体器件时，即使在钨、扩散防止膜、绝缘膜全部存在的表面，也能够以优异的选择比进行平坦化。
半导体工艺抛光组合以及半导体器件制造方法

[发明专利]半导体工艺用组合物和半导体器件的制造方法-CN202210009062.3在审
发明人：洪承哲;韩德洙;朴韩址 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：提供一种半导体工艺用组合物和半导体器件的制造方法，所述半导体工艺用组合物适用于半导体晶片的抛光工艺以实现优异的抛光性能，最小化待抛光面的缺陷，并且在彼此不同的多个膜质暴露于外部的表面的抛光中，可以实现平坦的抛光结果而没有各膜质之间的偏差，所述半导体工艺用组合物包括抛光颗粒和一种以上的添加剂，适用于具有硅通孔的半导体晶片的表面抛光。
半导体工艺组合半导体器件制造方法

[发明专利]半导体工艺用抛光组合物、基板和半导体器件的制造方法-CN202111612498.3在审
发明人：洪承哲;韩德洙;金桓铁;朴韩址;李亨株 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本实施方式提供一种半导体工艺用抛光组合物、基板和半导体器件的制造方法等。本实施方式可以提供半导体工艺用抛光组合物，其抛光率、选择比等提高，且分散性得到改善，还可提供适用该半导体工艺用抛光组合物来抛光的基板的制造方法。
半导体工艺抛光组合半导体器件制造方法

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