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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]刻蚀组合物以及利用其制造半导体器件的方法-CN201210546406.0有效
发明人：曺成爀;洪权;朴滢淳;金奎显;韩智惠;林廷训;李珍旭;朴宰完;郑灿槿 -专利权人：爱思开海力士有限公司;韩国首尔步瑞株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种包括甲硅烷基磷酸酯化合物、磷酸以及去离子水的刻蚀组合物，以及一种包括利用所述刻蚀组合物的刻蚀工艺的制造半导体器件的方法。本发明的刻蚀组合物显示了氮化物膜相对于氧化物膜的高刻蚀选择性。因此，在利用本发明的刻蚀组合物来去除氮化物膜时，可以通过控制氧化物膜的刻蚀速率来容易地控制有效场氧化物高度（EFH）。另外，可以防止因氧化物膜的损坏或氧化物膜的刻蚀所造成的电气特性的恶化，并且可以防止产生颗粒物，由此确保刻蚀工艺的稳定性和可靠性。
刻蚀组合以及利用制造半导体器件方法

[发明专利]在半导体器件中形成铜布线的方法-CN201210379942.6无效
发明人： 朴滢淳;郭鲁正;廉胜振;柳春根;郑钟九;金成准 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体器件中形成铜布线和防止铜离子迁移的方法。所述方法包括：对已经进行了所述CMP工艺的所述铜层和所述层间电介质进行后清洗工艺，其中所述后清洗工艺包括使用烷基季铵盐的化学清洗。后清洗工艺完成之后，防止了铜离子随时间的迁移，由此改善了半导体器件的可靠性。
半导体器件形成布线方法

[发明专利]在半导体器件中形成铜布线的方法-CN200910143122.5无效
发明人： 朴滢淳;郭鲁正;廉胜振;柳春根;郑钟九;金成准 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体器件中形成铜布线和防止铜离子迁移的方法。所述方法包括：对已经进行CMP工艺之后的用于形成铜布线的铜层进行后清洗工艺。所述后清洗工艺包括使用柠檬酸基化学品进行一次化学清洗。然后使用抗坏血酸基化学品对已经进行所述一次化学清洗的所述铜层进行二次化学清洗。后清洗工艺完成之后，防止了铜离子随时间的迁移，由此改善了半导体器件的可靠性。
半导体器件形成布线方法

[发明专利]存储器件及其制造方法-CN200510064441.9无效
发明人：张世亿;郑台愚;金瑞玟;金愚镇;朴滢淳;金荣福;梁洪善;孙贤哲;黄应林 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-04-15 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明关于一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括：具有沟槽的衬底；形成在所述沟槽下方的位线接触结；形成在所述沟槽外的多个储存节点接触结；及多个栅结构，每个所述栅结构形成在位于所述位线接触结及一个所述储存节点接触结之间的衬底上。特别地，所述沟槽的每个侧壁成为各个沟道的一部分，由此所述胞区内晶体管的沟道长度被延长。亦即，每两个所述储存节点接触结与所述沟道区之间的距离增大。由此，所述储存节点接触结的漏电流水平降低，从而提高了数据的保持时间。
存储器件及其制造方法

[发明专利]制造凹式栅极结构的方法-CN200410101203.6无效
发明人：长世亿;赵兴在;金愚镇;朴滢淳;金瑞珉;郑台愚 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明是关于一种用以制造凹式栅极结构的方法。该方法包含下列步骤：选择性蚀刻衬底，以形成多个开口；在开口和衬底上形成栅极氧化物层；在栅极氧化物层上形成第一导电硅层，以形成多个其高度与期望的图案形成之后的剩余厚度相等或更大的谷；平坦化第一导电硅层，直到得到期望图案形成后的剩余厚度，以使谷被移除；在平坦化后的第一导电硅层上形成第二导电层；及选择性蚀刻第二导电层，第一导电硅层和栅极氧化物层，以形成多个凹式栅极结构。
制造栅极结构方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200410063572.0无效
发明人：李相益;辛钟汉;朴滢淳 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-07-12 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造半导体器件的方法，这种方法包括如下步骤：在半导体基板上形成栅极；在半导体基板表面上形成接合区；在所得的半导体基板构造上形成第一BPSG层；对第一BPSG层进行化学机械抛光过程；在第一BPSG层上形成第二BPSG层；形成定位填充接触体；在所得的半导体基板构造上沉积多晶硅层；对多晶硅层、第二BPSG层与氮化物硬质掩膜进行第二次化学机械抛光过程。使用对于氮化物层具有高抛光选择性的酸性泥浆来进行化学机械抛光过程，因此可除去在晶胞区与周围区的阶段差，因而简化半导体制造方法，并去除去了凹陷现象。
制造半导体器件方法

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