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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶体管和具有该晶体管的显示装置-CN201710817570.3有效
发明人：林志勋;金宰范;朴晙皙;孙暻锡;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了一种晶体管和一种具有该晶体管的显示装置。所述晶体管包括：半导体层，包括沟道部、第一接触部和第二接触部；栅电极，面对浮置栅极；浮置栅极，设置在半导体层和栅电极之间浮置栅极与半导体层和栅电极绝缘。浮置栅极包括氧化物半导体。
晶体管具有显示装置

[发明专利]用于锂二次电池的正极活性材料、其制造方法及包括其的锂二次电池-CN201780054623.9有效
发明人：李台会;金东辰;金民汉;金一奭;朴度炯;朴晙皙;林沃奎;全圭兰;崔田真 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于锂二次电池的正极活性材料、其制造方法以及包括其的锂二次电池，所述正极活性材料包括锂镍复合氧化物，其中所述锂镍复合氧化物的单元晶格的c轴晶格参数满足下式1：[式1]
用于二次电池正极活性材料制造方法包括

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及相关制造方法-CN201710790406.8有效
发明人： 朴晙皙;林志勋;金宰范;林俊亨;孙暻锡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。
薄膜晶体管阵列面板相关制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及相关制造方法-CN202210555540.0在审
发明人： 朴晙皙;林志勋;金宰范;林俊亨;孙暻锡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。
薄膜晶体管阵列面板相关制造方法

[发明专利]用于可再充电锂电池的正极活性材料和包括其的可再充电锂电池-CN201810819323.1有效
发明人：金民汉;金东辰;金一奭;朴度炯;朴晙皙;李台会;林沃奎;全圭兰;崔田真 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：公开了用于可再充电锂电池的正极活性材料和包括其的可再充电锂电池，所述正极活性材料包括芯和设置在所述芯的表面上的功能层，所述芯包括由化学式1表示的化合物，其中所述功能层包括一种与所述芯的晶体结构不同种类的晶体结构，和其中所述正极活性材料包括约100ppm至约400ppm的硫，在化学式1中，0.9≤a≤1.1，0.5≤x≤0.93，0y≤0.3，0z≤0.3，x+y+z＝1，以及Me为Mn或Al。[化学式1]LiaNixCoyMezO2。
用于充电锂电池正极活性材料包括

[发明专利]薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置-CN202110346338.2在审
发明人：孙尙佑;文然建;金明花;金兑相;朴根徹;朴晙皙;林俊亨;崔惠临 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置。为了实现薄膜晶体管基板内载流子迁移率增加的薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置，本发明的薄膜晶体管基板包括：有源层，布置于基板上，并且包括第一半导体物质层、布置于所述第一半导体物质层上并包括金属原子的导体层以及布置于所述导体层上的第二半导体物质层；栅极绝缘层，布置于所述有源层上；以及栅极电极，布置于所述栅极绝缘层上，并且至少一部分重叠于所述有源层。
薄膜晶体管配备显示装置

[发明专利]晶体管基底和包括晶体管基底的显示装置-CN201980069816.0在审
发明人：文然建;朴晙皙;金光淑;金明花;金兑相;朴根彻;全景辰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种晶体管基底可以包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一缓冲层，设置在基底的第一区域上，并且包括氮化硅；第二缓冲层，设置在第二区域和第一缓冲层的第一区域上，并且包括氧化硅；第一晶体管，布置在第二缓冲层的第一区域上，并且包括第一氧化物半导体层和与第一氧化物半导体层叠置的第一栅电极；以及第二晶体管，布置在第二缓冲层的第二区域上，并且包括第二氧化物半导体层和与第二氧化物半导体层叠置的第二栅电极。
晶体管基底包括显示装置

[发明专利]显示装置-CN201980063011.5在审
发明人：全景辰;朴晙皙;金光淑;金兑相;文然建;朴根徹;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示装置包括：基体基底，包括第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域；第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管，布置在基体基底上并且分别包括第一有源图案至第三有源图案；第一像素电极至第三像素电极，分别电连接到第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管，并且分别设置在第一子像素区域至第三子像素区域中；蓝色发光层，设置在第一像素电极至第三像素电极上，并且发射蓝光；第一颜色转换图案，在发光层上设置在第一子像素区域中；第二颜色转换图案，在发光层上设置在第二子像素区域中；以及红色滤色器层，设置在发光层与第一有源图案至第三有源图案之间。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN202010691419.1在审
发明人：金明花;朴晙皙;具素英;金兑相;文然建;朴根彻;林俊亨;全景辰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种显示装置。所述显示装置包括连接到扫描线和与扫描线交叉的数据线的像素，其中，像素包括：发光元件；驱动晶体管，被构造为根据从数据线施加的数据电压控制供应到发光元件的驱动电流；以及第一开关晶体管，被构造为根据施加到扫描线的扫描信号将数据线的数据电压施加到驱动晶体管。驱动晶体管包括：第一有源层，包括氧化物半导体；以及第一氧化物层，设置在第一有源层上并且包括氧化物半导体。第一开关晶体管包括包含氧化物半导体的第二有源层，第一氧化物层不设置在第二有源层上。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN202010698674.9在审
发明人： 朴晙皙;文然建;金明花;金兑相;金亨俊;朴根彻;孙尙佑;林俊亨;全景辰;崔惠临 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种显示装置。所述显示装置包括连接到扫描线和与扫描线相交的数据线的像素，其中，像素中的每个包括：发光元件；驱动晶体管，根据从数据线施加的数据电压来控制供应到发光元件的驱动电流；以及开关晶体管，根据从扫描线施加的扫描信号将数据线的数据电压施加到驱动晶体管。驱动晶体管包括具有氧化物半导体的第一有源层和在第一有源层下方的第一栅电极。开关晶体管包括具有与第一有源层的氧化物半导体相同的氧化物半导体的第二有源层和在第二有源层下方的第二栅电极。驱动晶体管和开关晶体管中的至少一个包括在有源层中的每个上方的氧化物层。
显示装置

[发明专利]钴氧化物、锂钴氧化物、制备它们的方法、和锂二次电池-CN201610274713.6有效
发明人：金志炫;权善英;朴晙皙;朴度炯 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C01G51/04 文献下载
摘要：钴氧化物、锂钴氧化物、制备它们的方法、和锂二次电池，其中所述钴氧化物包括具有约25MPa‑约50MPa的颗粒强度的颗粒，具有约14μm‑约18μm的粒径D10，且具有小于约15μm的在粒径D90与粒径D10之间的粒径差。
氧化物制备它们方法二次电池

[发明专利]显示装置-CN202010139380.2在审
发明人： 朴晙皙;金兑相;文然建;朴根徹;林俊亨;全景辰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：根据发明的一个方面，提供了一种显示装置。所述显示装置包括：多个像素，分别结合到扫描线和与扫描线相交的数据线，其中，多个像素中的至少一些像素包括驱动晶体管和开关晶体管，驱动晶体管包括：基底；第一绝缘层，设置在基底上；第一有源层，设置在第一绝缘层上；第一栅电极，设置在第一有源层上；以及第一源电极和第一漏电极，电连接到第一有源层，第一漏电极与第一源电极间隔开第一距离，并且开关晶体管包括：第二栅电极，设置在基底与第一绝缘层之间；第二有源层，与第一有源层设置在同一层上；以及第二源电极和第二漏电极，电连接到第二有源层，第二漏电极与第二源电极间隔开与第一距离不同的第二距离。
显示装置

[发明专利]有机发光显示装置和驱动该有机发光显示装置的方法-CN201910977252.2在审
发明人：文然建;朴晙皙;金光淑;金兑相;朴根徹;林俊亨;全景辰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G09G3/3258 文献下载
摘要：提供了一种有机发光显示装置以及一种驱动该有机发光显示装置的方法。所述有机发光显示装置可以包括显示面板、源极驱动电路和电压发生器。显示面板可以包括包含用于驱动有机发光二极管的驱动晶体管的像素电路。驱动晶体管可以具有包括第一栅电极和第二栅电极的四个独立端子。源极驱动电路可以将数据电压提供到像素电路。电压发生器可以将独立偏置电压施加到驱动晶体管的第二栅电极，以控制驱动晶体管的驱动电压范围。
有机发光显示装置驱动方法

[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法-CN201910880054.4在审
发明人： 朴晙皙;孙暻锡;林俊亨;加纳正隆 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供一种显示装置和一种制造所述显示装置的方法，所述显示装置包括：基体基底；第一薄膜晶体管，设置在基体基底上；过孔绝缘层，设置在第一薄膜晶体管上；以及发光结构，设置在过孔绝缘层上。第一薄膜晶体管包括：第一栅电极；氧化物半导体，与第一栅电极叠置并且包括锡(Sn)；蚀刻停止件，设置在氧化物半导体上，并且包括不包含锡(Sn)的氧化物半导体材料；第一源电极，与氧化物半导体接触；以及第一漏电极，与氧化物半导体接触，并且与第一源电极间隔开。
显示装置制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201910832800.2在审
发明人： 朴晙皙;金兑相;文然建;朴根徹;林俊亨;全景辰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；栅极驱动器，在非显示区域中设置在基底上，并且包括生成栅极信号并将栅极信号输出到显示区域的多个级；开关晶体管和驱动晶体管，在显示区域中设置在基底上；以及发光二极管，连接到驱动晶体管，其中，多个级中的每个级可以包括多个晶体管，其中，驱动晶体管的沟道层包括第一氧化物半导体材料，包括在多个级中的每个级中的多个晶体管的沟道层包括第二氧化物半导体材料，其中，第一氧化物半导体材料与第二氧化物半导体材料不同，并且其中，第二氧化物半导体材料可以包括锡。
显示装置及其制造方法

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