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[发明专利]一种小型化SIW谐振腔及其构成的宽阻带SIW滤波器-CN202010883184.6有效
发明人：董元旦;朱谊龙;杨涛 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：本发明公开了一种小型化SIW谐振腔及其构成的宽阻带SIW滤波器，提出了一种新型的容性加载方案，在传统SIW谐振腔的基础上，通过将腔体中心的部分底层金属向内凹陷，也就是减小部分底层金属与底层金属之间的间距，对SIW谐振腔的TE101模进行电容性加载，从而使得TE101模的谐振频率降低，实现了SIW谐振腔的小型化。由于容性加载的位置位于腔体中心，该容性加载对TE201和TE102模的谐振频率几乎没有影响，从而使得该高次谐振频率远离主模频率；通过将三个谐振腔体进行级联构成三阶滤波器，可实现的滤波器的小型化设计，同时也使滤波器具有宽阻带特性。
一种小型化 siw 谐振腔及其构成宽阻带滤波器

[发明专利]一种带通或带阻可重构的HMSIW滤波器-CN201910549653.8有效
发明人：董元旦;杨涛;朱谊龙 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明公开了一种带通或带阻可重构的半模基片集成波导(HMSIW：Half Mode Substrate Integrated Waveguide)滤波器,包括两层介质基板、设置在两层介质基板之间的中间金属层、分别设置在介质基板表面的底层金属和顶层金属；所述顶层金属包括微带结构，所述底层金属与中间金属层之间的介质基板开有多个连接孔，并在中间金属层两侧均开有耦合槽，构成半模基片集成波导谐振腔结构。本发明采用半模基片集成波导的结构，使得滤波器的面积缩小一半，利于滤波器的小型化，更易于系统集成。
一种带阻可重构 hmsiw 滤波器

[发明专利]一种小型化基片集成波导高阶滤波器-CN201910652490.6有效
发明人：董元旦;朱谊龙;杨涛 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种小型化基片集成波导滤波器,包括基板，分别作为输入和输出连接到基板的微带线结构；所述基板下表面整块敷铜，所述基板上表面刻蚀有开槽结构，且开槽结构相对于基板中心呈旋转对称，并在基板上表面形成两个开口谐振器。同时，本发明还公开了一种基于小型化基片集成波导滤波器的高阶滤波器，在两个开口谐振器之间增加高阶谐振器，可以进一步提高滤波器的矩形度，提升滤波器的选频性能。采用本发明通过在基板表面刻蚀S形结构开槽，等效为两个短路的四分之一波长谐振器，构成一个二阶带通滤波器，实现了滤波器的小型化。
一种小型化集成波导滤波器

[发明专利]一种UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器-CN202010222267.0有效
发明人：董元旦;朱谊龙 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器，包括一个基片集成波导谐振腔、两个位于输入输出端口的UIR谐振器以及位于输入输出端口的微带线馈电结构，微带线馈电结构与UIR谐振器连接，两个UIR谐振器对称地置于基片集成波导谐振腔的两侧。本发明实现了三阶的双通带滤波响应，在两个通带内分别形成三个传输极点，本发明的高阶滤波器具有陡峭的边带衰减与更高的带外抑制性能。
一种 uir 加载三阶双通带基片集成波导滤波器

[实用新型]一种小型化SIW谐振腔及其构成的宽阻带SIW滤波器-CN202021835945.2有效
发明人：董元旦;朱谊龙;杨涛 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型化SIW谐振腔及其构成的宽阻带SIW滤波器，提出了一种新型的容性加载方案，在传统SIW谐振腔的基础上，通过将腔体中心的部分底层金属向内凹陷，也就是减小部分底层金属与底层金属之间的间距，对SIW谐振腔的TE101模进行电容性加载，从而使得TE101模的谐振频率降低，实现了SIW谐振腔的小型化。由于容性加载的位置位于腔体中心，该容性加载对TE201和TE102模的谐振频率几乎没有影响，从而使得该高次谐振频率远离主模频率；通过将三个谐振腔体进行级联构成三阶滤波器，可实现的滤波器的小型化设计，同时也使滤波器具有宽阻带特性。
一种小型化 siw 谐振腔及其构成宽阻带滤波器

[发明专利]一种基于基片集成波导的同轴谐振腔及其滤波器-CN202010222108.0有效
发明人：董元旦;朱谊龙 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01P7/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于基片集成波导的同轴谐振腔及其滤波器，包括紧密贴合的两层厚度不同且四周均设置有金属化过孔的PCB板，以及中心短路的金属化圆盘。滤波器包括第一同轴谐振腔、第二同轴谐振腔、第三同轴谐振腔和第四同轴谐振腔，以及输入输出端口结构。本发明利用谐振腔的同轴谐振模式形成通带，该滤波器工作于同轴谐振模式，四个谐振腔构成四阶的滤波器；本发明通过在非相邻腔体之间引入交叉耦合，能在滤波器的通带右侧产生一个传输零点，提高滤波器的上边带的选择性。本发明通过以上设计，其滤波器具有抑制基片集成波导同轴谐振腔高次模式的特性，带外抑制度高，具有较宽阻带抑制性能。
一种基于集成波导同轴谐振腔及其滤波器

[发明专利]一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器-CN202011030860.1有效
发明人：董元旦;朱谊龙;杨涛 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于微带与基片集成波导混合的小型化宽阻带滤波器，将一个、或者两个终端短路的微带谐振器级联在两个基片集成波导谐振腔之间，构成三阶、或者四阶混合结构的滤波器，滤波器整体呈旋转对称结构。所提供的小型化宽阻带滤波器能实现较高的品质因数，维持较低的插入损耗，同时具备小型化的特点，滤波器具有较宽的阻带带宽，较高的选择性。
一种基于微带集成波导混合小型化宽阻带滤波器

[发明专利]一种具有高次模抑制的小型化基片集成波导滤波器-CN201911109575.6有效
发明人：董元旦;朱谊龙;杨涛 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高次模抑制的小型化基片集成波导滤波器，结合了SIW与带状线技术，将带状线谐振器级联在两个SIW谐振腔之间，从而阻碍TE201模和TE102模在两个SIW谐振腔之间的耦合，使得所设计的滤波器具有抑制SIW高次模的特性，从而具有宽阻带抑制性能。同时，本发明通过利用SIW的双层叠层结构以及带状线谐振器的使用，能够实现SIW滤波器的小型化设计。此外，本发明通过在SIW谐振腔的不同位置刻蚀矩形槽，可以引入额外的传输零点，提高滤波器的选择性。
一种具有高次模抑制小型化集成波导滤波器

[发明专利]一种高品质因素的SAW谐振器及其构成的SAW滤波器-CN201910043071.2有效
发明人：董元旦;杨涛;朱谊龙 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种高品质因素的SAW(生表面波，surface acoustic Wave)谐振器及其构成的SAW滤波器,SAW谐振器包括压电基片、设置在压电基片上的叉指换能器和短路反射栅，且短路反射栅设置在叉指换能器两端；所述叉指换能器又包括汇流条、设置在汇流条上的叉指电极和Busbar，叉指电极和Busbar相互间隔交替设置；所述Busbar为多对，且其宽度从中心位置到两端呈渐变状态线性渐变增加。SAW滤波器由n个串联的谐振器，和n/2或者更多的个并联的谐振器级联而成。本发明通过改变叉指换能器上的结构，形成宽度渐变的Busbar结构，从而具有高品质因素(Q)值。
一种品质因素 saw 谐振器及其构成滤波器

[发明专利]一种叉指结构加载的基片集成波导滤波器-CN202010849942.2有效
发明人：董元旦;朱谊龙;杨涛 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本发明涉及波导技术领域，是一种叉指结构加载的基片集成波导滤波器，包括输入端口、输出端口、叉指结构和基片集成波导谐振腔结构；所述基片集成波导谐振腔结构设置在所述输入端口和输出端口之间；所述基片集成波导谐振腔结构包括顶层金属、底层金属和介质板层，所述介质板层上设置有阵列的金属化过孔，所述金属化过孔连通所述顶层金属和底层金属，以形成基片集成波导谐振腔；设置有至少两个所述基片集成波导谐振腔结构：相邻所述谐振腔之间设置有感性耦合窗；所述叉指结构设置在所述输入端口、输出端口和感性耦合窗中的一个或多个位置，减小滤波器尺寸，并且提高滤波器的选择性。
一种结构加载集成波导滤波器

[实用新型]小型化基片集成波导滤波器及其高阶滤波器-CN201921136549.8有效
发明人：董元旦;朱谊龙;杨涛 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型化基片集成波导滤波器，包括基板，分别作为输入和输出连接到基板的微带线结构；所述基板下表面整块敷铜，所述基板上表面刻蚀有开槽结构，且开槽结构相对于基板中心呈旋转对称，并在基板上表面形成两个开口谐振器。同时，本实用新型还公开了一种基于小型化基片集成波导滤波器的高阶滤波器，在两个开口谐振器之间增加高阶谐振器，可以进一步提高滤波器的矩形度，提升滤波器的选频性能。采用本实用新型通过在基板表面刻蚀S形结构开槽，等效为两个短路的四分之一波长谐振器，构成一个二阶带通滤波器，实现了滤波器的小型化。
小型化集成波导滤波器及其

[实用新型]一种SIW滤波器及HMSIW滤波器-CN201921145341.2有效
发明人：董元旦;朱谊龙;杨涛 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于均匀阻抗谐振器加载的SIW滤波器及HMSIW滤波器,包括基板，基板包括上表面和下表面，还包括微带线结构；所述基板上表面设置有SIW结构或HMSIW结构，并在SIW结构或HMSIW结构中间刻蚀有矩形槽，构成均匀阻抗谐振器；所述均匀阻抗谐振器和微带线结构在基板表面形成两个终端短路的半波长谐振器或四分之一播出谐振器，并构成二阶带通滤波器。采用本发明能够在实现小型化的同时，并且能够实现宽阻带抑制性能。
一种 siw 滤波器 hmsiw

[发明专利]一种用于宽带电磁分布探测的频谱关联超分辨方法-CN201710324317.4有效
发明人：谢树果;郝旭春;朱谊龙;李雁雯 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G06T3/40 文献下载
摘要：一种用于宽带电磁分布探测的频谱关联超分辨方法，可实现对于1～6GHz的宽带辐射源形成的图像进行恢复。首先根据未知辐射源的降质图像在仿真软件中建立模型，获取不同频率的点扩展函数，然后对不同频率的点扩展函数进行空间的二维傅里叶变换，记录空间上的截止频率宽度，然后绘制出在对应的频率‑宽度曲线图；对获取的宽带电磁分布图像进行二维傅里叶变换并求出空间上的截止频率宽度，在仿真得到的曲线上确定辐射源的最高频率；用最高频率分量对应的点扩展函数来对图像进行处理，采用窄带超分辨算法中的L_R迭代方法对降质图像进行图像恢复。本发明克服了传统窄带超分辨算法与电磁分布探测系统不兼容的情况，能对宽带辐射源中的最高频率进行识别并有效提高了图像的分辨率。
一种用于宽带电磁分布探测频谱关联分辨方法

[实用新型]带通或带阻可重构的HMSIW滤波器-CN201920953345.7有效
发明人：董元旦;杨涛;朱谊龙 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带通或带阻可重构的半模基片集成波导(HMSIW：Half Mode Substrate Integrated Waveguide)滤波器,包括两层介质基板、设置在两层介质基板之间的中间金属层、分别设置在介质基板表面的底层金属和顶层金属；所述顶层金属包括微带结构，所述底层金属与中间金属层之间的介质基板开有多个连接孔，并在中间金属层两侧均开有耦合槽，构成半模基片集成波导谐振腔结构。本实用新型采用半模基片集成波导的结构，使得滤波器的面积缩小一半，利于滤波器的小型化，更易于系统集成。
带阻可重构 hmsiw 滤波器

[实用新型]一种UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器-CN202020424048.6有效
发明人：董元旦;朱谊龙 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器，包括两个基片集成波导谐振腔、一个UIR谐振器以及位于输入输出端口的共面波导馈电结构，共面波导馈电结构与基片集成波导谐振腔连接，UIR谐振器位于两个基片集成波导谐振腔之间。本实用新型实现了三阶的双通带滤波响应，在两个通带内分别形成三个传输极点，本实用新型的高阶的滤波器具有陡峭的边带衰减与更高的带外抑制性能。
一种 uir 加载三阶双通带基片集成波导滤波器

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