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[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备-CN202110252871.2有效
发明人： 朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：公开了一种NOR型存储器件及其制造方法及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括：在衬底上竖直延伸的栅堆叠，栅堆叠包括栅导体层和存储功能层；以及围绕栅堆叠的外周、沿栅堆叠的侧壁延伸的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层相对于衬底分别处于不同的高度处。存储功能层介于第一半导体层与栅导体层以及第二半导体层与栅导体层与之间。第一半导体层和第二半导体层中的每一个包括在竖直方向上依次设置的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区。在栅堆叠与第一半导体层相交之处以及在栅堆叠与第二半导体层相交之处分别限定存储单元。
nor 存储器件及其制造方法包括电子设备

[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备-CN202110883406.9有效
发明人： 朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：公开了一种NOR型存储器件及其制造方法及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括：在衬底上竖直延伸的第一栅堆叠，包括栅导体层和存储功能层；以及围绕第一栅堆叠的外周、沿第一栅堆叠的侧壁延伸的第一半导体层。存储功能层介于第一半导体层与栅导体层之间。第一半导体层包括在竖直方向上依次设置的第一源/漏区、第一沟道区和第二源/漏区。在第一栅堆叠与第一半导体层相交之处限定存储单元。该NOR型存储器件还包括围绕第一半导体层的第一沟道区的外周的导电屏蔽层以及介于第一半导体层的第一沟道区与导电屏蔽层之间的电介质层。
nor 存储器件及其制造方法包括电子设备

[发明专利]侧壁互连结构中带散热管道的半导体装置及其制造方法及电子设备-CN202310993834.6在审
发明人： 朱慧珑;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种侧壁互连结构中带散热管道的半导体装置及其制造方法及包括这种半导体装置的电子设备。根据实施例，半导体装置可以包括：承载衬底，具有彼此相邻的第一区和第二区；第一区上的半导体器件；以及第二区上的互连结构。互连结构可以包括：电隔离层；电隔离层中在竖直方向上交替设置的互连线层与过孔层，其中，互连线层中设置有互连线，过孔层中设置有过孔，半导体器件中的至少一部分需要电连接的部件与互连结构中相应高度处的互连线和/或过孔在横向上通过各自的侧壁相接触并因此电连接；以及电隔离层中的散热管道，其中，散热管道包括横向延伸部分。
侧壁互连结构散热管道半导体装置及其制造方法电子设备

[发明专利]竖直型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备-CN202110252928.9有效
发明人： 朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：公开了一种竖直型存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。根据实施例，该存储器件可以包括：相对于衬底处于第一高度的第一源/漏层以及处于不同于第一高度的第二高度的第二源/漏层；连接第一源/漏层和第二源/漏层的沟道层；以及包括存储功能层的栅堆叠。存储功能层在沟道层的侧壁上延伸，并从沟道层的侧壁在面内延伸到第一源/漏层的侧壁和第二源/漏层的侧壁上。
竖直存储器件及其制造方法包括电子设备

[发明专利]半导体存储设备及其制造方法及包括存储设备的电子设备-CN201810992854.0有效
发明人： 朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储设备及其制造方法及包括该存储设备的电子设备。根据实施例，半导体存储设备可以包括：衬底；设置在衬底上的存储单元阵列，所述存储单元阵列中的存储单元按行和列排列，各存储单元包括竖直延伸的柱状有源区，柱状有源区包括分别位于上下两端的源/漏区以及位于源/漏区之间的沟道区；以及在衬底上形成的多条位线，各条位线分别位于相应存储单元列的下方，且与相应列中各存储单元下端的源/漏区电连接，其中，各存储单元还包括绕沟道区外周形成的栅堆叠，相应存储单元行中各存储单元的栅堆叠中的栅导体层沿着行的方向彼此连续地延伸从而构成相应的字线。
半导体存储设备及其制造方法包括电子设备

[发明专利]一种自对准纳米硅通孔结构及其制备方法-CN202310798552.0在审
发明人：陈献宇;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种自对准纳米硅通孔结构及其制备方法，方法包括：在已形成鳍片结构的硅衬底上生长包覆鳍片的第一SiO2层；在顶面生长牺牲层，在牺牲层上形成第一预设图案，刻蚀出平行于鳍片的初始沟槽，用第一填充物填充；在顶面形成第二预设图案，刻蚀出第一初始盲孔，用第二填充物填充；去除牺牲层及其内的第一填充物和第二填充物；在顶面生长第二SiO2层，去除填充物及对应位置的第二SiO2层，形成目标沟槽和第一目标盲孔；在目标沟槽和第一目标盲孔中填充第三填充物至鳍片中部后填充第四填充物；在顶面形成第三预设图案，刻蚀SiO2层和第四填充物至暴露出第三填充物，用第五填充物填充；从底面减薄至暴露出第一目标盲孔中的第三填充物，得到自对准纳米硅通孔结构。
一种对准纳米硅通孔结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备-CN201911243849.0有效
发明人： 朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。该半导体器件可以包括：衬底；依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区，围绕沟道区的外周形成有栅堆叠；其中，栅堆叠具有沿垂直于衬底的顶部表面的方向的改变的厚度。
半导体器件及其制造方法包括器件电子设备

[发明专利]C形有源区半导体器件及其制造方法及包括其的电子设备-CN201911254614.1有效
发明人： 朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：公开了一种C形有源区半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底上竖直延伸的沟道部；相对于衬底处于沟道部的上下两端且沿着沟道部的源/漏部，其中，源/漏部在相对于衬底的横向方向上向着沟道部的一侧延伸，从而源/漏部和沟道部构成C形结构；以及在所述C形结构的内侧壁上与沟道部相交迭的栅堆叠，其中，栅堆叠具有被所述C形结构围绕的部分。
有源半导体器件及其制造方法包括电子设备

[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备-CN202110253001.7有效
发明人： 朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：公开了一种NOR型存储器件及其制造方法及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括：在衬底上竖直延伸的栅堆叠，栅堆叠包括栅导体层和存储功能层；围绕栅堆叠的外周的有源区，有源区包括第一和第二源/漏区以及它们之间的第一沟道区以及第三和第四源/漏区以及它们之间的第二沟道区，其中，存储功能层介于栅导体层与有源区之间；分别从第一至第四源/漏区横向延伸的第一、第二、第三和第四互连层；以及相对于衬底竖直延伸以穿过第一至第四互连层的源极线接触部。源极线接触部与第一互连层和第二互连层之一电连接，且与第三互连层和第四互连层之一电连接。
nor 存储器件及其制造方法包括电子设备

[发明专利]NOR型存储器件及其制备方法与电子设备-CN202310659374.3在审
发明人： 朱慧珑;颜紫金 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10B43/40 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种NOR型存储器件及其制备方法与电子设备。本申请的存储器件包括衬底，位于衬底上方的存储单元层，存储单元层包括依次叠置的源/漏层和沟道层，以及在存储单元层内形成的相对于衬底竖直延伸以穿过存储单元层的栅堆叠，栅堆叠包含第一栅导体层及设于第一栅导体层外周的存储功能层，在栅堆叠下方设有外延晶体管，第二栅导体层作为外延晶体管的栅极且绕外延晶体管周向设置；外延晶体管用于控制并提供非工作状态下的第一栅导体层的电流加载，在该大电流下，第一栅导体层导电放热，器件的局部温度得到提高，达到给存储功能层退火的技术效果，最终修复了存储功能层损伤并延长了数据保持时间，提高了器件的可靠性。
nor 存储器件及其制备方法电子设备

[发明专利]半导体器件制造方法-CN202310505180.8在审
发明人： 朱慧珑;陈卓;刘金彪;李俊峰;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了一种制造半导体器件的方法。根据实施例，该方法可以包括：在晶体材料的衬底上依次形成沟道限定层和源/漏层；将沟道限定层和源/漏层构图为相对于衬底突出的脊状结构；通过淀积，在脊状结构的侧壁上形成沟道层；以及进行结晶处理，使沟道层重结晶。
半导体器件制造方法

[发明专利]具有连续栅长的竖直半导体器件及其制造方法及电子设备-CN202310431478.9在审
发明人： 朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：公开了一种具有连续栅长的竖直半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底上的半导体基部；半导体基部上相对于衬底竖直的第一竖直沟道部和第二竖直沟道部，第一竖直沟道部和第二竖直沟道部从半导体基部突出，在第一方向上彼此间隔开，且彼此自对准，其中，半导体基部在第一竖直沟道部和第二竖直沟道部之间连续延伸；分别在第一竖直沟道部和第二竖直沟道部上的第一源/漏部和第二源/漏部；以及栅堆叠，栅堆叠至少部分地设置于第一竖直沟道部、半导体基部和第二竖直沟道部上，以在第一源/漏部与第二源/漏部之间限定连续的沟道。
具有连续竖直半导体器件及其制造方法电子设备

[发明专利]侧壁互连结构中带散热管道的半导体装置及其制造方法及电子设备-CN202110181463.2有效
发明人： 朱慧珑;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种侧壁互连结构中带散热管道的半导体装置及其制造方法及包括这种半导体装置的电子设备。根据实施例，半导体装置可以包括：承载衬底，具有彼此相邻的第一区和第二区；第一区上的半导体器件；以及第二区上的互连结构。互连结构可以包括：电隔离层；电隔离层中的导电结构，其中，半导体器件中的至少一部分需要电连接的部件与互连结构中相应高度处的导电结构在横向上相接触并因此电连接；以及电隔离层中的散热管道。
侧壁互连结构散热管道半导体装置及其制造方法电子设备

[发明专利]NOR型存储器件及其制备方法及包括存储器件的电子设备-CN202310635657.4在审
发明人：颜紫金;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本公开提供一种NOR型存储器件及其制备方法及包括存储器件的电子设备，器件包括：在衬底上竖直延伸的多个栅堆叠，栅堆叠包括第一栅导体层和第一填充层；围绕栅堆叠的外周，并沿栅堆叠的侧壁延伸的至少一个器件层，器件层包括在竖直方向上设置的至少两个源/漏区和至少一个体区，源/漏区与体区间隔设置，在栅堆叠与体区相交之处限定存储单元；以及设置在器件层靠近栅堆叠一侧的竖直沟道，竖直沟道为单晶沟道，且与第一填充层相接触；其中，栅堆叠沿竖直方向的至少一个侧面为(100)晶面或(110)晶面；和/或体区包括第二填充层；或者体区包括第二栅导体层和第三填充层；其中，第一填充层与第三填充层中的至少一个为存储功能层。
nor 存储器件及其制备方法包括电子设备

[发明专利]FinFET及其制造方法及包括FinFET的电子设备-CN202310505243.X在审
发明人： 朱慧珑;陈卓;刘金彪;李俊峰;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法及包括这种FinFET的电子设备。根据实施例，FinFET可以包括：在衬底上沿第一方向延伸的鳍，鳍包括在第一方向上彼此相对的第一部分和第二部分以及位于第一部分与第二部分之间的中间部分，其中中间部分的顶面相比于第一部分和第二部分的顶面更靠近衬底，其中中间部分包括顶部以及分别从顶部在与第一方向相交的第二方向上的相对两侧向着衬底延伸的第一侧部和第二侧部；衬底上的隔离层，隔离层从鳍的中间部分与衬底之间穿过；以及隔离层上的栅堆叠，其中栅堆叠沿第二方向延伸以与鳍的中间部分相交。
finfet 及其制造方法包括电子设备

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