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[发明专利]绝缘体上硅的横向P型绝缘栅双极晶体管-CN200910212770.1有效
发明人：王钦;李海松;刘侠;杨东林;陈文高;祝靖;朱奎英;易扬波 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在N型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有P型漂移区，在P型漂移区中设有较高浓度的P型掺杂半导体区，这个较高浓度的P型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区，浓度高于P型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
绝缘体横向绝缘双极晶体管

[发明专利]绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法-CN201010600170.5有效
发明人：时龙兴;刘斯扬;祝靖;朱奎英;钱钦松;孙伟锋;陆生礼 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法，包括P型绝缘体上硅硅片，第一P型外延层右区设有P型埋层，而上方设有第二P型外延层，第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区，而左侧设有N型深阱和N型漂移区，N型漂移区内设N型缓冲层和P型阳极接触区，而P型沟道区内设N型阴极接触区和P型体接触区，N型漂移区上方设有第一场氧化层和栅氧化层，并且栅氧化层向右延伸至P型沟道区的上方，栅氧化层上方设有多晶硅，作为栅极，在制造中先在第一P型外延层右区注入形成P型埋层，然后在第二P型外延层右区注入形成P型高能离子注入层并且二者连通，浓度由下至上变大形成导电通路，能有效抑制闩锁效应的发生。
绝缘体横向绝缘双极晶体管及其制备方法

[发明专利]一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管-CN201010600772.0无效
发明人：钱钦松;刘斯扬;魏守明;孙伟锋;时龙兴;张丽;朱奎英 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有P型外延层，在P型外延层的上部设有第一低压P型阱、第一低压N型阱和第二高压N型阱，在第一低压P型阱内设有P型阳区，在第二高压N型阱内设有N型阴区，在N型阴区上连接有阴极金属，在P型阳区上连接有阳极金属，其特征在于，在所述的第二高压N型阱内部的上表面还设有连接于阴极金属的P型阴区，且P型阴区紧贴着N型阴区的右边界，在所述的第一低压P型阱内设有第二P型缓冲阱，所述的P型阳区位于第二P型缓冲阱内。该器件可以有效地降低静电保护过程中的触发电压，并极大地提升器件的二次击穿电流，因而具有更好的鲁棒性。
一种应用于高压静电保护高鲁棒性反偏二极管

[实用新型]一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管-CN201020674918.1无效
发明人：钱钦松;刘斯扬;魏守明;孙伟锋;时龙兴;张丽;朱奎英 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有P型外延层，在P型外延层的上部设有第一低压P型阱、第一低压N型阱和第二高压N型阱，在第一低压P型阱内设有P型阳区，在第二高压N型阱内设有N型阴区，在N型阴区上连接有阴极金属，在P型阳区上连接有阳极金属，其特征在于，在所述的第二高压N型阱内部的上表面还设有连接于阴极金属的P型阴区，且P型阴区紧贴着N型阴区的右边界，在所述的第一低压P型阱内设有第二P型缓冲阱，所述的P型阳区位于第二P型缓冲阱内。该器件可以有效地降低静电保护过程中的触发电压，并极大地提升器件的二次击穿电流，因而具有更好的鲁棒性。
一种应用于高压静电保护高鲁棒性反偏二极管

[实用新型]绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管-CN201020674157.X无效
发明人：时龙兴;刘斯扬;祝靖;朱奎英;钱钦松;孙伟锋;陆生礼 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管，包括：P型绝缘体上硅硅片，其中第一P型外延层右区设有P型埋层，而上方设有第二P型外延层，第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区，而左侧设有N型深阱和N型漂移区，N型漂移区内设N型缓冲层和P型阳极接触区，而P型沟道区内设N型阴极接触区和P型体接触区，N型漂移区上方设有第一场氧化层和栅氧化层，并且栅氧化层向右延伸至P型沟道区的上方，栅氧化层上方设有多晶硅，作为栅极。
绝缘体横向绝缘双极晶体管

[实用新型]P型超结横向双扩散金属氧化物半导体管-CN201020673904.8无效
发明人：时龙兴;华国环;朱奎英;李明;钱钦松;孙伟锋;陆生礼 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种P型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由P型外延层和镶嵌在其中的N型半导体区构成，在N型体区上设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，超结结构上设有P型漏区，超结结构上方且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅自栅氧化层上方延伸至第一型场氧化层上方，P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有源极金属引线、栅极金属引线和漏极金属引线，且超结结构中的N型半导体区的深度沿从P型源区到P型漏区的方向上线性变小。
型超结横向扩散金属氧化物半导体

[实用新型]N型超结横向双扩散金属氧化物半导体管-CN201020674084.4无效
发明人：孙伟锋;王青;朱奎英;李明;钱钦松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种N型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有超结结构及P型体区，超结结构由N型外延层和镶嵌在其中的P型半导体区构成，在P型体区上设N型源区、P型体接触区及栅氧化层，超结结构上设有N型漏区，超结结构上方且位于N型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅自栅氧化层上方延伸至第一型场氧化层上方，N型源区、P型体接触区、N型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，N型源区、N型漏区、P型体接触区及多晶硅栅均接有源极金属引线、栅极金属引线和漏极金属引线，且超结结构中的P型半导体区的深度沿从N型源区到N型漏区的方向上线性变小。
型超结横向扩散金属氧化物半导体

[发明专利]P型超结横向双扩散金属氧化物半导体管-CN201010602345.6有效
发明人：时龙兴;华国环;朱奎英;李明;钱钦松;孙伟锋;陆生礼 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种P型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由P型外延层和镶嵌在其中的N型半导体区构成，在N型体区上设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，超结结构上设有P型漏区，超结结构上方且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅自栅氧化层上方延伸至第一型场氧化层上方，P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有源极金属引线、栅极金属引线和漏极金属引线，且超结结构中的N型半导体区的深度沿从P型源区到P型漏区的方向上线性变小。
型超结横向扩散金属氧化物半导体

[实用新型]降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体管-CN201020507540.6无效
发明人：孙伟锋;钱钦松;朱奎英;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置有N型埋层，P型阱区，N型阱区，N型漂移区，在P型阱区表面靠左侧上设置有P型接触区、N型源区和N型沟道注入区，P型阱区内设有P型注入区，且P型注入区的左端边界位于N型源区的下方，P型注入区的右端边界与漏端N型漂移区相邻。P型接触区和多晶硅电极通过互连金属连线相连接作为栅极。该结构大幅度的降低了N型耗尽型横向双扩散金属氧化物半导体管的阈值电压。在电路应用中漏极金属连线直接连接至高压电源，栅极金属连线接地，源极金属连线直接连接低压电路，为低压电路提供低压电源。
降压耗尽横向扩散金属氧化物半导体

[发明专利]降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体管-CN201010265890.0有效
发明人：孙伟锋;钱钦松;朱奎英;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置有N型埋层，P型阱区，N型阱区，N型漂移区，在P型阱区表面靠左侧上设置有P型接触区、N型源区和N型沟道注入区，P型阱区内设有P型注入区，且P型注入区的左端边界位于N型源区的下方，P型注入区的右端边界与漏端N型漂移区相邻。P型接触区和多晶硅电极通过互连金属连线相连接作为栅极。该结构大幅度的降低了N型耗尽型横向双扩散金属氧化物半导体管的阈值电压。在电路应用中漏极金属连线直接连接至高压电源，栅极金属连线接地，源极金属连线直接连接低压电路，为低压电路提供低压电源。
降压耗尽横向扩散金属氧化物半导体

[发明专利]绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管-CN200910212766.5有效
发明人：李海松;王钦;杨东林;刘侠;朱奎英;刘斯扬;易扬波 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管，包括P型掺杂半导体衬底，P型掺杂外延层，N型掺杂阱区，N型掺杂缓冲区域，器件的阳极接触区域和阴极接触区域都是由P型阳极接触区域和N型阳极接触区域在器件的宽度方向上相互交替排列形成的，当器件的栅极电压大于阈值电压后，电流既可以正向导通，也可以反向导通，并且器件的阳极接触区域和阴极接触区域是各自交叉对称的结构，缩短了器件的关断时间，减少了器件的关断功耗。
绝缘体正反横向绝缘双极晶体管

[发明专利]绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺-CN201010146508.4有效
发明人：钱钦松;朱奎英;孙伟锋;孙俊;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺，包括：a、在半导体衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型顶层单晶硅，在N型顶层单晶硅上生成表面氧化层，在表面氧化层表面涂光刻胶，在光刻胶上刻蚀出深硅槽大小的窗口；b、腐蚀裸露出的表面氧化层并露出要刻蚀的N型顶层单晶硅；c、利用表面氧化层作为刻蚀N型顶层单晶硅的掩蔽层，采用各向异性等离子干法刻蚀工艺，刻蚀出纵横比为7∶1.2至7∶3的深硅槽；紧接着完全腐蚀掉表面氧化层，同时腐蚀埋氧化层，使深硅槽的底部位置的下移深度为埋氧化层的厚度的15％-25％；d、采用湿氧法在深硅槽的侧壁上生长隔离氧化层；e、采用无掺杂的多晶硅来进行填充深硅槽。
绝缘体上硅深硅槽隔离结构制备工艺

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