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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210278460.5在审
发明人：金吉松;朱占魁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底；第一介质层，位于所述基底上；沟槽，位于所述第一介质层中；导电层，位于所述沟槽的底部和侧壁上，所述导电层用于作为电阻结构；第二介质层，填充于形成有所述导电层的所述沟槽内。本发明实施例有利于提高所述电阻结构的等效导电截面积，有利于减小电阻结构占用的横向面积，进而有利于器件的小型化。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]线圈骨架L型端子压入工装-CN201811325434.3有效
发明人： 朱占魁;张德山;牟艳波 -专利权人：沈阳维用零件有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B25B27/02 文献下载
摘要：线圈骨架L型端子压入工装属于压入工装技术领域，尤其涉及一种线圈骨架L型端子压入工装。本发明提供一种生产效率高、产品质量好的线圈骨架L型端子压入工装。本发明包括底板，其结构要点底板上设置有插针下块，插针下块上端一侧设置有插针固定板，插针下块上端另一侧设置有插针动板，插针动板初始位置与插针固定板相接，插针动板上与插针固定板接触面设置有L型端子插入槽。
线圈骨架端子工装

[发明专利]一种半导体器件的形成方法-CN202010231966.1有效
发明人：钱亚峰;张婉娟;朱占魁;李晓波 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括提供器件版图，分别对各初始栅极插塞槽图形周围阈值区域内的源漏插塞槽图形进行扫描，从而获得各初始栅极插塞槽图形的密度参数；根据密度参数，分别对各初始栅极插塞槽图形进行补偿，得到栅极插塞槽修正图形，且栅极插塞槽修正图形的特征尺寸随密度参数的增大而减小；刻蚀平坦层和介质层以形成栅极插塞槽。采用上述方案，在源漏插塞槽的密度较大的区域，刻蚀介质层和平坦层的速率较小，避免了在刻蚀形成栅极插塞槽时出现过刻蚀的问题。在源漏插塞槽的密度较小的区域，刻蚀介质层和平坦层的速率较大，避免了在刻蚀形成栅极插塞槽时出现刻蚀不足的问题。由此，最终形成的栅极插塞槽的形貌更均匀。
一种半导体器件形成方法

[发明专利]装配式建筑墙体连接结构及装配式建筑墙体-CN202310368165.3在审
发明人：李广辉;王柳洋;张源;乔金昊;楚利召;廖志勇;阎立;刘卫巍;郑伟;郭兵兵;蔡超;费勇;赵亚飞;张元卿;朱占魁;陈书颂 -专利权人：河南省第一建筑工程集团有限责任公司
申请日： 2023-04-08 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： E04B2/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种装配式建筑墙体连接结构及装配式建筑墙体，主要包括设置在第一墙体板上的第一滑槽、设置在第二墙体板上的第二滑槽；第一滑槽内设置有第一弹性件，第一弹性件一端连接在第一滑槽的内壁上，另一端安装有第一滑块，第一滑块在第一弹性件的带动下沿第一滑槽的一侧壁滑动；第二滑槽内设置有第二弹性件，第二弹性件一端连接在所述第二滑槽的内壁上，另一端安装有第二滑块，第二滑块在第二弹性件的带动下沿所述第二滑槽的一侧壁滑动；所述第一滑块与第二滑块相扣合进而使第一墙体板和第二墙体板相连接。本申请通过第一滑块和第二滑块可拆卸扣合在一起，实现墙体板之间的可拆卸连接，有利于后期墙体板的回收利用，避免了资源浪费。
装配式建筑墙体连接结构

[实用新型]一种Y字型可旋转式注浆结构-CN202320144116.7有效
发明人：何小送;韩震;魏海斌;刘佳佳;朱占魁;王峰;何先虎;陈东丰;江龙;姜博宇;蔡贺;马建领;陈成;牟洋 -专利权人：中铁二十二局集团轨道工程有限公司;吉林大学;中铁二十二局集团有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： E21D11/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Y字型可旋转式注浆结构，包括管体组件、动力组件和支撑组件。本实用新型的有益效果是：通过Y字型注浆管进行旋转注浆，形成了扇形注浆面，注浆均匀且范围大，并设置有驱动旋转电机带动注浆管进行旋转，可实现在扇形的注浆面上往复注浆，提高了注浆效果及质量；另外，在注浆管道上安装有压力表，可实时监控注浆压力，保证注浆质量。
一种字型旋转式注浆结构

[实用新型]一种模具加工辅助设备-CN202221625267.6有效
发明人：郭伟;朱占魁 -专利权人：广东联塑科技实业有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B23Q3/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及模具加工领域，提出一种，包括基座和托盘；所述基座包括安装面和转接面，所述安装面用于连接机床工作台，所述转接面用于连接所述托盘；所述托盘的下表面开设有若干第一开孔，所述第一开孔内设置有锥套；所述转接面上设置有与所述锥套匹配的定位夹紧器，所述基座通过所述定位夹紧器和锥套连接所述托盘。在对模具工件进行不同工序加工时，将模具工件安装在托盘上，并将带有模具工件的托盘通过相匹配的定位夹紧器与锥套安装在不同的机床工作台的基座上，只需对模具工件进行一次夹装，即可在不同的机床工作台上完成不同工序的加工，提高了模具加工的工作效率。
一种模具加工辅助设备

[实用新型]一种自动切水口模具-CN202220815222.9有效
发明人： 朱占魁;罗贻泽 -专利权人：海南联塑科技实业有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B29C45/38 文献下载
摘要：本实用新型属于模具技术领域，更具体地，涉及一种自动切水口模具,包括顺次连接的前模板、后模板以及模具底板，前模板设置有型腔以及与型腔相连通的流道，前模板与后模板之间为分型面，模具底板上设置有与型腔相连并用于顶出产品的顶出系统，还包括活动穿设于后模板内的切刀系统，顶出系统与切刀系统相连并带动切刀系统沿垂直于分型面方向运动以切断流道与型腔的连接。本实用新型可实现自动切水口，且切刀无需外置动力源，结构较为简单，成本低。
一种自动水口模具

[实用新型]一种基于大断面的临时支撑组件-CN202123355691.1有效
发明人：王鑫平;杨树民;邹思鹏;朱占魁;戚腾舞;何先虎;吕程林;吉星宇;江龙;高东;黄胜宝;李哲;郭周峰 -专利权人：中铁二十二局集团轨道工程有限公司;中铁二十二局集团有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： E21D19/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于大断面的临时支撑组件，包括腰梁、对撑连杆、立柱、支护钢板、底板、对接钢板、紧固螺栓、通孔和螺钉。本实用新型的有益效果是：护钢板的上端呈向内倾斜状，且支护钢板的上端开设有用于穿过螺钉的通孔，可使螺钉穿过支护钢板后嵌入所支撑区域的洞内壁上，进而实现对支撑部位的固定；支护钢板与所支撑区域的洞内壁之间的缝隙处填充有C喷射混凝土，对缝隙进行喷实，且当混凝土凝固后，可将所嵌入的螺钉进行进一步的固定，进而可实现稳固的支撑；腰梁、对撑连杆以及立柱均为I22a工字钢，使临时支撑组件刚度增大，整体受力性能提高；对中洞未开挖时的土压力的轴向被动受压能力大大提升。
一种基于断面临时支撑组件

[实用新型]一种环绕式水路模具-CN202123024378.X有效
发明人： 朱占魁 -专利权人：广东联塑科技实业有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B29C45/73 文献下载
摘要：本实用新型涉及模具领域，更具体地，涉及一种环绕式水路模具。一种环绕式水路模具，包括型芯、设有第一容置腔的型腔镶件以及设有第二容置腔的模具板，所述型芯位于所述第一容置腔中并与所述型腔镶件的内壁形成用于产品成型的胶位，所述型腔镶件位于所述第二容置腔中所述型腔镶件的外周面上设有第一螺旋状运水槽，所述第一螺旋状运水槽与所述第二容置腔的内壁面之间形成有用于与外接水路相连通的第一运水流道。本实用新型结构简单，通过环绕式运水使产品的冷却效果更好，使产品的收缩更加均匀，进而避免了产品收缩时因冷却不均造成产品变形大问题。
一种环绕水路模具

[实用新型]一种拱顶衬砌断面分开衬砌结构-CN202123353943.7有效
发明人：戚腾舞;杨树民;王鑫平;郭建波;邹思鹏;朱占魁;高东;孙敏钧;高司加;冯战兵;赵春钰;孙德金;马小帅 -专利权人：中铁二十二局集团轨道工程有限公司;中铁二十二局集团有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： E21D11/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种拱顶衬砌断面分开衬砌结构，包括门架组件、模板组件、支撑组件、行走组件和液压组件。本实用新型的有益效果是：顶模板上安装有与混凝土输送泵相接的注浆管，便于进行注浆操作施工；轨道与下纵梁的梁身之间还支撑有若干个支撑千斤顶，使该结构工作时，与行走组件共同承受自重、混凝土重量和施工时产生的冲击力，改善门架纵梁的受力情况，保证工作时门架的稳定性和可靠性；液压组件与外设的液压系统通过液压油输送管道进行连接，并采用手动换向阀进行转向，且液压组件的各个油缸均设置有液压锁，并采用一个换向阀控制，来实现油缸的伸缩，利用液压锁对升降油缸进行锁闭，保证模板在定位标高处不下滑。
一种拱顶衬砌断面分开结构

[发明专利]一种地铁大断面暗挖隧道双侧壁导坑的方法-CN202210015723.3在审
发明人：王鑫平;杨树民;邹思鹏;朱占魁;戚腾舞;何先虎;吕程林;吉星宇;江龙;高东;黄胜宝;李哲;郭周峰 -专利权人：中铁二十二局集团轨道工程有限公司;中铁二十二局集团有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： E21D9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种地铁大断面暗挖隧道双侧壁导坑的方法，包括导洞划分、左侧导洞开挖施工、右侧导洞开挖施工、中部导洞开挖施工、开挖监测、支护结构监测、土体密实度检测。本发明的有益效果是：在大断面地铁隧道的施工过程中，双侧壁导坑法施工可以有效减小初期支护结构的变形，有利于隧道结构的稳定；且能够更好的控制地表和拱顶的变形。本发明对于双侧壁导坑法的研究将对大断面地铁隧道的工法选择提供一定的借鉴意义，也为双侧壁导坑法的应用与进一步推广提供理论基础。
一种地铁断面隧道侧壁导坑方法

[实用新型]一种用于盾构侧向始发的填充装置-CN202122541401.6有效
发明人：王盛印;杨树民;朱占魁;周富宽;李子辰;何先虎;陈剑兵 -专利权人：中铁二十二局集团轨道工程有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： E21D9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于盾构侧向始发的填充装置，包括储料组件、导料组件、填充组件、支撑组件。本实用新型的有益效果是：撑组件由多个支撑板组装而成，支撑板由弧形板、连接在弧形板下表面两端的端头连接板、连接在相邻两个端头连接板之间的加强筋板构成，且所述端头连接板上开设有多个连接孔，可根据具体需要填充的钢套筒的高度，选择组装相应个数的支撑板；支撑组件的前端设置有开口竖直向下的出料端口，且所述填充管道的前端安插在出料端口内，将出料端口对准钢套筒顶端预留的灌料口，即可精准的将料液填充至钢套筒内部；转杆的杆身上设置有螺旋叶片，通过转动电机带动转杆进行转动，进而可使螺旋叶片输送料液，避免堵塞在出料管内。
一种用于盾构侧向始发填充装置

[实用新型]一种不同断面过渡用隧道结构-CN202121790276.6有效
发明人：苏伟;苗壮;席博阳;陈宇;吴强;韩璐;冯山群;方伟;易志伟;赵福全;朱占魁 -专利权人：中国铁路设计集团有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： E21D9/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种不同断面过渡用隧道结构，包括相互分离的两个过渡段，过渡段及隧道端头之间采用接缝连接；所述过渡段采用直墙带拱加厚式衬砌，直墙带拱加厚式衬砌截面包括直墙式外轮廓和待变化结构断面内轮廓，两个过渡段的直墙式外轮廓尺寸相同，两个过渡段的待变化结构断面内轮廓分别和与其相接的待衔接隧道端头的内轮廓尺寸相同，过渡段的直墙式外轮廓和待变化结构断面内轮廓之间能够包含待变化结构断面外轮廓，待变化结构断面内轮廓和待变化结构断面外轮廓之间形成的待变化结构断面具有和与其相接的待衔接隧道端头的断面相同的尺寸。本实用新型既能完成衔接变化断面又能满足行车舒适性，同时兼顾成本及施工方便性。
一种不同断面过渡隧道结构

[发明专利]一种利用异形钢套筒侧向补充始发方法及设备-CN202111219113.7在审
发明人：李海生;杨树民;朱占魁;黄明利;周富宽;何先虎;徐骏青;张慧 -专利权人：中铁二十二局集团轨道工程有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： E21D9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用异形钢套筒侧向补充始发方法及设备，包括竖井施工、平移横通道施工、盾构端头注浆加固以及盾构吊装平移、盾构始发。本发明的有益效果是：能够在地面空间狭小有限且保证不影响地面交通的情况下内满足盾构机的始发要求，本设计结构安全稳定，避免了地面道路交通导改、管线改移，降低对城市周边环境的影响，满足盾构始发和掘进阶段下料、运输等需求，加快了施工进度，增加了通道利用率，节约了施工成本；将盾构平移通道由垂直角度调整为斜角，使得平移通道可作为施工期间材料及渣土的运输通道，大大提升了通道利用率；且盾构机由横移变为前移，平移通道净宽相应减小，工期缩短。
一种利用异形钢套侧向补充始发方法设备

[发明专利]一种半导体结构的形成方法-CN202010191214.7在审
发明人： 朱占魁;张力;钱亚峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括：向第二初始顶层掩模层中注入掺杂离子,在第二初始顶层掩模层中形成掺杂区；刻蚀去除掺杂区以外的第二初始顶层掩模层，且使掺杂区形成第二顶层掩模层；以第二顶层掩模层为掩模刻蚀第二初始底层掩模层，使第二初始底层掩模层形成第二底层掩模层；减小第二底层掩模层和第二顶层掩模层的宽度之后，以第二底层掩模层和第二顶层掩模层为掩模刻蚀第一初始掩模结构，使第一初始掩模结构形成第一掩模结构。采用上述方案，第一掩模结构的图形线宽尺寸减小。而第一掩模结构用于作为刻蚀基底的掩模，使得在基底中形成的图形尺寸减小，满足工艺的需求。由此，半导体器件的性能得到了提升。
一种半导体结构形成方法

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