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[发明专利]离子注入工艺中的基片背面注入方法-CN200910201910.5无效
发明人： 朱伟诚;郑刚;施向东 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入工艺中的基片背面注入方法，包括如下步骤：(1)对基片的正面进行贴膜；(2)将基片反转倒置，调整离子注入机的搬送机制；(3)应用离子注入机进行基片的背面注入；(4)注入后的基片进行反转和剥膜，完成背面注入的基片。该方法通过正面贴膜工艺，调整离子注入机的搬送机制，成功实现了基片的背面注入，该方法具有较高的可操作性和生产效率。
离子注入工艺中的背面方法

[发明专利]在金属钛基片衬底上生长钛酸锶钡薄膜的方法-CN200710038741.9无效
发明人：程晋荣;朱伟诚;孟中岩;俞圣雯 -专利权人：上海大学
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种在金属钛基片衬底上生长钛酸锶钡薄膜的方法，属铁电性能材料制备工艺方法技术领域。本发明方法的特点是在金属钛基片衬底上，通过引入镍酸镧缓冲层，即在金属钛和钛酸锶钡薄膜间引入镍酸镧中间缓冲层，且用溶胶－凝胶法在大气环境下生长介电性能良好的钛酸锶钡薄膜。本发明方去的主要步骤为：(1)钛基片的预处理；(2)镍酸镧溶胶和钛酸锶钡溶胶的制备；(3)旋转法甩胶成膜、(4)热处理，热处理温度范围为100～720℃，于700～720℃时为晶化温度，制得具有钙钛矿晶相结构的薄膜。本发明方法制得的Ti/LNO/BST复合结构的材料具有优异的介电性能，可作为压控调谐微波器件中的元件应用。
金属钛基片衬底生长钛酸锶钡薄膜方法