专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]数据处理方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质-CN202310659113.1在审
  • 曾裕;赖鼐;龚晖 - 珠海妙存科技有限公司
  • 2023-06-05 - 2023-10-13 - G06F3/06
  • 本申请公开了一种数据处理方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质,涉及数据处理技术领域,数据处理方法根据第一数据操作请求,检测随机存取存储器的数据存储区的剩余容量能否存储目标映射表;在检测到数据存储区的剩余容量能够存储目标映射表的情况下,将目标映射表存储于数据存储区。本申请实施例的数据处理方法将目标映射表存储于随机存取存储器的数据存储区,以使随机存取存储器能够存储更多映射表,当数据操作对应的目标映射表存储于随机存取存储器时,在进行数据操作时无需访问闪存存储器,因此,随机存取存储器存储更多映射表能够降低访问闪存存储器的次数,从而提高数据操作的效率。
  • 数据处理方法装置电子设备计算机可读存储介质
  • [发明专利]一种闪存虚拟块的分段擦除方法及系统-CN202211639781.X有效
  • 苏界伟;曾裕;赖鼐;龚晖 - 珠海妙存科技有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-10-13 - G06F3/06
  • 本发明公开了一种闪存虚拟块的分段擦除方法及系统,包括:申请一虚拟块,对虚拟块进行第一次擦除,擦除虚拟块中前两个子虚拟块;将前两个子虚拟块中第一个子虚拟块进行编程填满后,对前两个子虚拟块接下来的子虚拟块进行擦除;按顺序每编程填满一个子虚拟块,再擦除接下来的一个子虚拟块,直到所有子虚拟块都被擦除为止;其中,虚拟块包含若干子虚拟块。本发明将集中的擦除操作分摊到多次小规模的擦除操作,从而有效降低了对虚拟块进行擦除时存储器存在的超时风险,同时能兼顾FTL识别物理坏块和重启后容易找到最后编程页的要求;并且本发明所提供的分段擦除方法,超时风险不会随着虚拟块所包含物理块的增多而增加,从而进一步地降低超时风险。
  • 一种闪存虚拟分段擦除方法系统
  • [发明专利]闪存参数可视化方法、系统及存储介质-CN202310525840.9在审
  • 苏界伟;曾裕;赖鼐;龚晖 - 珠海妙存科技有限公司
  • 2023-05-10 - 2023-09-12 - G06F11/32
  • 本申请实施例提供了一种闪存参数可视化方法、系统及存储介质,属于闪存技术领域。方法包括:显示闪存的监测分析界面,依据被选择的显示方式在监测分析界面左侧区域显示闪存数据,闪存数据包括设备信息和异常信息;响应于设备信息点击操作,在监测分析界面右侧区域显示闪存数据的基本信息以及实时运行状况图;响应于异常信息点击操作,在监测分析界面右侧区域显示闪存数据的异常数据;响应于分析完成操作,在监测分析界面右侧区域显示目标分析结果,目标分析结果用于评价闪存的运行情况。本申请能够为开发人员提供方便直观的闪存实时运行和异常的可视化界面,并得到用于表征闪存内部运行状态的目标分析结果,提高了开发人员的开发效率。
  • 闪存参数可视化方法系统存储介质
  • [发明专利]芯片休眠状态检测方法和系统、电子设备和存储介质-CN202310537870.1在审
  • 莫旺潮;曾裕;赖鼐;龚晖 - 珠海妙存科技有限公司
  • 2023-05-12 - 2023-09-12 - G01R31/28
  • 本发明公开了一种芯片休眠状态检测方法、系统、电子设备和存储介质,涉及芯片检测技术领域。芯片休眠状态检测方法包括:在预设的第一时间段内,持续检测待检测芯片的电流和电压;根据待检测芯片的电流和电压,获得待检测芯片的休眠电流和休眠电压;根据休眠电流和休眠电压,计算待检测芯片的休眠时间和休眠功耗。根据本发明实施例的芯片休眠状态检测方法,通过持续检测待检测芯片的电流和电压,再根据检测到电流和电压的情况,获得待检测芯片在休眠状态下的电流和电压,能够进一步计算出待检测芯片的休眠时间和休眠功耗,从而判断出芯片在休眠状态下的功耗以及总的休眠时间等相关数据是否符合设计需求,从而完成对芯片的休眠功能的验证。
  • 芯片休眠状态检测方法系统电子设备存储介质
  • [发明专利]存储器的启动管理方法、系统、设备及存储介质-CN202310525781.5在审
  • 苏界伟;曾裕;赖鼐;龚晖 - 珠海妙存科技有限公司
  • 2023-05-10 - 2023-09-01 - G06F9/4401
  • 本申请实施例提供了一种存储器的启动管理方法、系统、设备及存储介质,属于存储器技术领域。该方法包括:获取任一闪存页内的比特数据,解析比特数据得到目标比特值以及对应的目标比例值;获取目标比特值的纠错范围;若目标比例值在纠错范围外,得到第一启动结果,根据第一启动结果停止闪存页启动操作;若目标比例值在纠错范围内,对比特数据执行硬件纠错操作,在硬件纠错成功时得到第二启动结果,根据第二启动结果完成闪存页启动操作;若硬件纠错失败,对比特数据执行软件纠错操作,在软件纠错成功时得到完成闪存页启动操作的第三启动结果,若软件纠错失败,得到停止闪存页的启动操作的第四启动结果。本申请能够提高存储器的启动速度。
  • 存储器启动管理方法系统设备存储介质
  • [发明专利]一种闪存的磨损平衡管理方法、系统、设备及介质-CN202310524640.1在审
  • 苏界伟;曾裕;赖鼐;龚晖 - 珠海妙存科技有限公司
  • 2023-05-10 - 2023-08-29 - G06F3/06
  • 本申请提供了一种闪存的磨损平衡管理方法、系统、设备及介质,属于存储设备技术领域。方法包括:确定用于进行磨损平衡的平衡周期,并获取在平衡周期内擦写闪存内所有数据块的擦写总数阈值;获取平衡周期内数据块擦写次数的热度阈值;在平衡周期内对闪存内的数据块进行擦写,并累计所有数据块的总擦写数和记录各个数据块即时的当前擦写次数,直至总擦写数超过擦写总数阈值;确定在平衡周期内当前擦写次数超过热度阈值的数据块为目标热数据块,并从多个当前擦写次数中选取对应的数据块为目标冷数据块;将目标热数据块中的数据交换至目标冷数据块中。本申请能够在短期内观察数据块的擦写,能够提前对热数据块进行磨损平衡,提高闪存的使用寿命。
  • 一种闪存磨损平衡管理方法系统设备介质
  • [发明专利]一种闪存数据的读取方法、系统、设备及介质-CN202310528987.3在审
  • 苏界伟;曾裕;赖鼐;龚晖 - 珠海妙存科技有限公司
  • 2023-05-10 - 2023-08-29 - G06F3/06
  • 本申请提供了一种闪存数据的读取方法、系统、设备及介质,属于存储设备技术领域。方法包括:获取多个闪存数据读取请求,并存放至预设的命令队列中;根据命令队列向闪存发出多个闪存数据读取请求;确定命令队列中的第一数据读取请求和第二数据读取请求;在闪存中使用cache操作读取第一数据读取请求,根据第一数据读取请求进入对应的忙碌状态,以读取第一映射表,并在忙碌状态中使用cache操作读取第二数据读取请求;当第一映射表读取完成后,根据第一映射表获取与第一数据读取请求对应的目标数据,并在根据第二数据读取请求进入对应的忙碌状态之前返回目标数据。本申请能够提高闪存的带宽利用率,提高闪存数据的读取速度。
  • 一种闪存数据读取方法系统设备介质
  • [发明专利]存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘-CN202310614374.1有效
  • 周坤;曾裕;赖鼐;龚晖 - 珠海妙存科技有限公司
  • 2023-05-29 - 2023-08-29 - G06F3/06
  • 本申请公开一种存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘,其中,加速启动方法包括当接收到启动指令,读取存储芯片的寿命信息;当寿命信息表征存储芯片的擦写次数小于擦写次数阈值,选取存储芯片中若干笔待读取数据,针对选取待读取数据,通过不同retry参数进行read retry,并统计不同retry参数下待读取数据被正确读取的笔数;将待读取数据被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数;以目标retry参数开始执行default read操作。在存储芯片的擦写次数较低的情况下启动,不进行默认参数的default read,能够加速了存储芯片的启动,减少了启动时间。
  • 存储芯片加速启动方法主控器件固态硬盘
  • [发明专利]一种减少闪存读耗时的方法及其系统-CN202310460422.6在审
  • 曾裕;龚晖;赖鼐 - 珠海妙存科技有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-08-18 - G06F3/06
  • 本发明提供一种减少闪存读耗时的方法及其系统,该方法包括接收下发的NAND Flash读命令,从NAND page中读取数据;在读取数据时,针对每个传输的字节计算“0”和“1”的个数,进行累加,并且在传输完成后,在寄存器中输出总数数量;对读取到的数据进行ECC纠错;若ECC纠错失败,判断该NAND page中“0”或者“1”的比例,若该NAND page中“0”或者“1”的比例不超过设定值N,则使用read retry方式重新读取该NAND page,尝试获取正确的数据,直到获取正确的数据或者尝试读取所有的重试值仍无法获取正确数据后,结束读操作;若ECC纠错成功,则正确读取数据,结束读操作。本发明在保证数据安全性的前提下可以降低Read Retry操作对NAND Flash设备的读性能的影响,读取数据速度快,读操作耗时小。
  • 一种减少闪存耗时方法及其系统
  • [发明专利]冷热数据的识别方法、系统及存储介质-CN202310588422.4有效
  • 曾裕;赖鼐;龚晖 - 珠海妙存科技有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-08-11 - G06F12/02
  • 本申请公开了一种冷热数据的识别方法、系统及存储介质,涉及存储技术领域,包括:获取待写入数据的逻辑块以及第一数据频次表;更新第一数据频次表中逻辑块的写入频次;判断当前时刻处于当前的重置周期的初始化时间段还是稳定时间段;当处于初始化时间段,通过第二数据频次表区分待写入数据为热数据还是冷数据;当处于稳定时间段,通过第一数据频次表区分待写入数据为热数据还是冷数据;将热数据存储进热区块;在当前的重置周期结束时,初始化当前重置周期第二数据频次表并将当前重置周期的第一数据频次表作为下一重置周期的第二数据频次表,将初始化的第二数据频次表作为下一重置周期的第一数据频次表。本申请能够有效区分冷数据和热数据。
  • 冷热数据识别方法系统存储介质

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