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[发明专利]一种栅极硬掩膜层的去除方法-CN202211525724.9在审
发明人：张栖瑜;司静;傅怡;宁宁;曾朝娇 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的栅极硬掩膜层的去除方法，在栅极的氧化物硬掩膜层去除前，通过形成一层具有高填充能力的有机绝缘层，将氧化物硬掩膜层和有源区覆盖，采用回蚀工艺刻蚀至氧化物硬掩膜层裸露，在氧化物硬掩膜层和有机绝缘层上覆盖光刻胶层，使得光刻胶层和有机绝缘层趋于平坦化，再通过曝光、显影以显露氧化物硬掩膜层，然后通过干法刻蚀或湿法刻蚀工艺去除栅极上方的氧化物硬掩膜层，最后去除有源区上方的光刻胶层和有机绝缘层。本发明使得第一栅极之间不会产生孔洞，消除了由于衬底上不同图形密度所造成有机绝缘层的厚度不同导致的对有源区产生损伤的可能，且在氧化物硬掩膜层刻蚀的过程中不会产生硬掩膜残留，提高器件产品的可靠性和良率。
一种栅极硬掩膜层去除方法

[发明专利]一种半导体引出结构的制备方法和半导体-CN202211515107.0在审
发明人：张舒;司静;曾朝娇;宁宁 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供半导体引出结构的制备方法和半导体，所述方法包括：在半导体的金属布线层沉积金属材料，得到初始引出电极；对所述初始引出电极进行多次蚀刻，得到上窄下宽且外表面呈弧形状的目标引出电极；在所述目标引出电极上制备保护层，得到半导体引出结构；本发明通过对沉积的初始引出电极进行多次蚀刻来改变其表面形态，从而得到具有上窄下宽且表面呈弧形状特征的目标引出电极，其外表面的形状特征可以更利于保护材料的堆积，提高保护层的厚度，防止保护层裂缝的产生，进而提高了半导体的性能和寿命。
一种半导体引出结构制备方法

[发明专利]一种涂层材料表面大面积结冰条件下固-冰界面断裂韧性的测试装置及方法-CN202010259448.0有效
发明人：沈一洲;陶杰;曾朝娇;谢欣瑜 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种涂层材料表面大面积结冰条件下固‑冰界面断裂韧性的测试装置及方法，所述测试方法采用的是单悬臂梁加载的原理，并利用金属基片的弯曲应力诱导了固‑冰界面处微裂纹的萌生与扩展，旨在对以金属为基底的涂层材料表面与冰层之间的界面断裂行为进行观察，获得冰层与基体表面间的界面断裂韧性。本发明的有益之处在于：该测试方法可以准确地评价大面积构件涂层材料的防冰性能，操作简单，方便，实现了对大面积结冰条件下的固‑冰界面的断裂韧性进行客观评价的目的，对防冰表面的工业化应用及发展具有重要的意义；该测试装置，结构简单，设计精妙，操作简单，具有很好的使用效果。
一种涂层材料表面大面积结冰条件下界面断裂韧性测试装置方法

[发明专利]一种面向大面积除冰低界面韧性多孔材料及其制备方法-CN202010100962.X在审
发明人：沈一洲;陶杰;曾朝娇;侯文卿;何兆儒 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C04B41/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向大面积除冰低界面韧性多孔材料及其制备方法，其特征在于，所述制备方法通过在光滑聚合物表面下引入均匀多孔结构，降低了材料的界面韧性从而促进了固冰界面处裂纹的萌生与扩展，进而有效地降低了大面积冰层在基体表面的粘附强度，制备得到的一种面向大面积除冰低界面韧性多孔材料表面光滑，有效地避免了表面微纳结构等引起的冰层与基体的机械互锁效应，在相同面积大小的冰层覆盖下，能够提供更低的冰粘附强度，对于大面积工程应用表面的防冰工作具有重要的意义。
一种面向大面积除冰界面韧性多孔材料及其制备方法