专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种NEA光电阴极制备工艺-CN201410351946.2无效
  • 曾卢;游华亮 - 四川天微电子有限责任公司
  • 2014-07-23 - 2014-10-22 - H01J9/02
  • 本发明公开了一种NEA光电阴极制备工艺,包括对P型GaN材料进行高温Cs/O循环激活和低温Cs激活,高温Cs/O循环激活步骤之前还包括化学清洗、高温加热净化,高温Cs/O循环激活和低温Cs激活之间还包括低温加热净化,低温Cs激活步骤之后还包括低温Cs/O循环激活;化学清洗包括将样品进行超声波清洗;高温加热净化包括顺序进行的升温步骤、保温步骤和降温步骤;低温加热净化包括低温升温步骤、低温保温步骤和低温降温步骤;高温加热净化、高温Cs/O循环激活、低温Cs激活步骤、低温加热净化、低温Cs/O循环激活步骤激活真空度均在10-7至5×10-6Pa。本工艺激活程度直观、便于控制,利于产品的产品性能。
  • 一种nea光电阴极制备工艺
  • [发明专利]有利于缩短激活时间的GaAs光电阴极激活工艺-CN201410351892.X无效
  • 周代富;游华亮;曾卢 - 四川天微电子有限责任公司
  • 2014-07-23 - 2014-10-22 - H01J9/02
  • 本发明公开了一种有利于缩短激活时间的GaAs光电阴极激活工艺,包括Cs源激活和O源激活,在激活过程中,所述Cs源激活连续进行,所述O源激活间断进行:在激活过程中,Cs源一直处于开启状态,并在激活过程中连续测量光电流变化,在光电流达到峰值时开启O源激活,待光电流出现新的峰值后,停止O源激活;所述Cs源激活的激活电流在激活过程内突变增加,且在0-5min后保持平稳,平稳后的电流值为1.2至1.8A范围内的任意值;所述O源激活的激活电流不大于1.4A;重复上述过程直至光电流不再上升。本工艺激活所用时间较短,还有利于防止O源过量对阴极造成的损害,便于得到高质量的GaAs光电阴极。
  • 有利于缩短激活时间gaas光电阴极工艺

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