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[发明专利]一种CMOS图像传感器的双模式精细增益配置方法-CN202111264687.6有效
发明人：李婷;何杰;曹天骄;徐晚成;袁昕;张曼;崔双韬;雷婉;杨靓;李海松 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器的双模式精细增益配置装置及方法，可变采样电容阵列输入侧连接采样信号，输出侧连接反馈运算阵列，实现多种倍数的增益补偿，配合可变反馈电容和恒定反馈电容，能够实现1以下倍数的增益补偿，解决了现有增益配置的步进粗和仅支持正向配置的缺陷，实现精细步进增益和正负增益双向调整，根据实际情况增加可变采样电容阵列中开关电容的数量进而能够实现更高倍数的增益补偿，提高了通用性和精度；本方法，满足高质量成像对光线微弱变化的增益校准需求，提出增益校准算法流程，根据图像输出实际灰度值，通过对比本发明中真值表，确定增益校准配置和校准方法，步骤简单，可快速选择需要得可变采样电容阵列，实现增益补偿。
一种 cmos 图像传感器双模精细增益配置方法

[实用新型]一种休闲钓鱼观光船-CN202320759570.3有效
发明人：马磊;曹天骄 -专利权人： 曹天骄
申请日： 2023-04-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B63B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种休闲钓鱼观光船，涉及观光农业技术领域，包括观光船体，所述观光船体的两侧均固定连接有网箱，所述网箱的前端外侧固定连接有尖型挡板，所述网箱一端内腔的底部固定连接有吃食台，所述网箱的内腔且位于吃食台的上方安装有水下摄像机，所述网箱内腔的底部安装有透明板，所述观光船体上表面的中部设置有餐桌，所述观光船体的上表面且位于餐桌的两侧均安装有钓鱼座凳。该休闲钓鱼观光船，在使用时游客可以一边观光一边钓鱼，享受船上垂钓的乐趣，且游客不用事先携带钓具，随时可以取用钓鱼，同时每钓一条鱼就能马上知道重量以及钓鱼的适时总重量，增加了钓鱼的兴致。
一种休闲钓鱼观光

[发明专利]一种面向品拼接工艺的可复用版图和拼接补偿校准装置-CN202310179255.8在审
发明人：李婷;何杰;曹天骄;徐晚成;袁昕;张曼;崔双韬;雷婉;杨靓;李海松 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：本发明提供一种面向品拼接工艺的可复用版图和拼接补偿校准装置，包括多级依次连接的拼接块，每一级拼接块一一对应连接有斜坡生成补偿电路，斜坡生成补偿电路连接有A/D转换电路；拼接块中均排列设置有多级电路组，每级电路组中包括两根信号电路；拼接块中的首级电路组接入对应的斜坡生成补偿电路组，仅其余级电路组与下一级拼接块的多级电路组依次连接，且首级拼接块之后的所有拼接块的多级电路组接入信号的数量逐级递减；本申请每一级拼接块为可复用版图，通过可复用版图将光刻版数目降低为一套，有效解决了超大面阵图像传感器采用多套光刻版的高成本问题，以及不同拼接块之间的工艺差异问题，同时，斜坡生成补偿电路能够大幅优化成像质量。
一种面向拼接工艺可复用版图补偿校准装置

[发明专利]一种覆盖可见光波段和红外波段的光电探测器-CN202110222735.9有效
发明人：李婷;唐磊;杨靓;时光;何杰;崔双韬;张先娆;徐晚成;李海松;张曼;曹天骄;袁昕 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供了一种覆盖可见光波段和红外波段的光电探测器，包括光电探测器本体，所述光电探测器本体包括靠近光线由顶至底设置的第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆；所述第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆依次叠加设置；所述第一晶圆上装配有若干个可见光像元和读出电路；所述第二晶圆上装配有若干个红外读出电路；所述第三晶圆上装配有若干个红外像元阵列；第一晶圆与第二晶圆硅片键合设置，所述第三晶圆通过第一晶圆与第二晶圆硅片键合后互联设置，实现可见光波段图像和红外波段图像的探测，该光电探测器结构简单，操作方便，便于在复杂的光照条件下进行成像，满足星体追踪，目标识别，深空探测等多领域的应用需求。
一种覆盖可见光波段红外光电探测器

[发明专利]一种超大面阵红外图像传感器的成像均匀度的校准装置及方法-CN202211230357.X在审
发明人：李婷;何杰;曹天骄;徐晚成;袁昕;张曼;崔双韬;雷婉;杨靓;李海松 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H04N25/671 文献下载
摘要：本发明公开了一种超大面阵红外图像传感器的成像均匀度的校准装置及方法，属于红外图像传感器成像领域。本发明通过优化Gpol信号的传输方向，补偿地电平的浮地效应，通过二者的逆向传输，实现Gpol信号和地电平电压变化趋势一致的目标；另一方面，通过差异监测机制，检测Gpol信号和地电平的电压差异，通过配置Gpol信号的对地漏电二极管级联数目，调整Gpol信号从中间到两侧的压降程度，达到Gpol信号和地电平电压变化趋势相同且幅值一致的目标，保证Gpol信号与地电平之间的压差恒定，实现高均匀成像。本发明有效解决了传统图像传感器由于大面阵浮地效应而引起的Gpol信号和地电平压差异不恒定问题。
一种大面红外图像传感器成像均匀校准装置方法

[发明专利]一种LVDS用高速数据传输预加重电路及其控制方法-CN202010121621.0有效
发明人：李闯泽;吴龙胜;何杰;李婷;曹天骄 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：一种LVDS用高速数据传输预加重电路及其控制方法，采用两条预加重电流源电路、两个高增益宽带运算放大器以及四个预加重状态切换开关形成基本电路架构，在经典桥型开关电流源拓扑结构基础上增加四个预加重状态切换开关以及一个高增益宽带运算放大器实现对高速数据信号传输过程中高频分量进行幅度增强，以补偿高速信号传输过程信号幅值信息的衰减。本发明能够实现高速数据传输时明显提升共模电压的负反馈调节速度和精度，通过双高增益和宽带运放设计能够解决高速数据传输时共模信号恶化的问题，同时能够有效改善差分信号波形一致性差的问题，达到提升LVDS发送器电路整体信号完整性和减小误码率目的。
一种 lvds 高速数据传输加重电路及其控制方法

[发明专利]一种时钟发生器电路-CN202010426147.2有效
发明人： 曹天骄;刘晓轩;李婷;李海松;吴龙胜 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H03K4/501 文献下载
摘要：本发明公开了一种时钟发生器电路，属于时钟发生器领域。本发明的时钟发生器电路，选择器由S和SN两开关控制，用于选择由偏置电压产生电路输出的参考高电平或参考低电平，比较器的两端分别接选择器的输出和锯齿波，参考电平小于锯齿波时，比较器输出高电平，选择器的两开关S＝0，SN＝1，使选择器输出参考高电平REFH，锯齿波电压不断增大，直至参考电平大于锯齿波，比较器翻转，输出低电平；参考电平大于锯齿波时，过程类似，以上翻转一直持续，从而形成振荡，振荡频率可由REFH和REFL的压差或锯齿信号产生模块的产生速率动态调节。
一种时钟发生器电路

[发明专利]一种用于超大面阵超低温红外图像传感器的电平移位结构-CN202211339506.6在审
发明人：李婷;何杰;曹天骄;徐晚成;袁昕;张曼;崔双韬;杨靓;李海松 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于超大面阵超低温红外图像传感器的电平移位结构，包括转换信号输入管；电平钳位管的栅端接收电平VREF，电平钳位管的源端分别连接反馈管的源端、反向N管的栅端、反向P管的栅端；电平钳位管的漏端连接转换信号输入管的源端；转换信号输入管的漏端接地；转换信号输入管的栅端接IP；反馈管的漏端与上拉管的源端相接，上拉管的栅端接IP，上拉管的漏端接电源VDD；反向P管的源端接电源VDD，反向P管的漏端连接反向N管的源端，反向N管的漏端接地；电平VREF由电平VREF钳位匹配电压产生电路产生。保证转换信号输入管(低阈值管)的源漏电压不超过1.2V，确保该器件工作在正常的电压区间，避免击穿风险。
一种用于大面超低温红外图像传感器电平移位结构

[发明专利]一种背照式像元抗总剂量加固结构和制备方法-CN202210907860.8在审
发明人：李婷;何杰;徐晚成;曹天骄;袁昕;张曼;崔双韬;杨靓;李海松 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式像元抗总剂量加固结构和制备方法，包括NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区；所述NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区呈匚型结构，NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区对称设置，所述NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区开口方向背离共有的有源区。解决在较小像元级电路面积约束的条件下的抗辐照加固问题。面向小尺寸背照式像元电路结构设计，满足空间用超大规模背照式图像传感器的抗辐照需求。
一种背照式像元抗总剂量加固结构制备方法

[发明专利]一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构及其实现方法-CN202210737686.7在审
发明人：吕智军;李婷;何杰;李海松;徐晚成;崔双韬;曹天骄;袁昕;张曼;杨靓 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构及其实现方法，像元结构中阱注入区、传输管阈值调整注入层和PD注入区设置在外延层上，传输管阈值调整注入层的一侧设置有栅氧化层和栅极，FD区位于阱注入区内部，高k介质层覆盖器件表面，钝化层淀积在器件表面。通过淀积高k介质层与反射金属层，利用金属与半导体之间的功函数差，在半导体PD注入区的表面感应出空穴，并通过将金属层与外延层共同接到电源地，实现对PPD表面感生空穴层的电位钳制，从而避免了通过高剂量离子注入的方式形成光电二极管表面的钳位层，有效的减少了PPD表面由于注入损伤引入的缺陷，减少了光电二极管中光电子在表面的复合，提升了像素单元的量子效率。
一种增强吸收背照式抗辐照 ppd 结构及其实现方法

[发明专利]一种用于带隙基准源的高低温补偿电路-CN202111250905.0有效
发明人：刘晓轩;李海松;曹天骄;李婷;杨靓 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于带隙基准源的高低温补偿电路，高温电流比较器的正极与PTAT电流镜像电路的第一输出端连接，负极与CTAT电流镜像电路的第一输出端连接，输出端通过高温补偿支路开关与PTAT补偿电流源连接；低温电流比较器的正极与PTAT电流镜像电路的第一输出端连接，负极与CTAT电流镜像电路的第二输出端连接，输出端通过低温补偿支路开关与CTAT补偿电流源连接；电流求和电路的第一输入端与高温补偿支路开关连接，电流求和电路的第二输入端与低温补偿支路开关连接，PTAT电流镜像电路的第二输出端和CTAT电流镜像电路的第三输出端均与电流求和电路的第三输入端连接，本发明能够大幅提高带隙基准源在全温度范围内的输出精度。
一种用于基准低温补偿电路

[发明专利]一种自适应像素级高动态CMOS图像传感器及其实现方法-CN202210550325.1在审
发明人：李婷;何杰;曹天骄;徐晚成;杨靓;崔双韬;张曼;袁昕;雷婉;刘晓轩;张凯 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种自适应像素级高动态CMOS图像传感器及其实现方法，由像素阵列输出光电信号，将光电信号分别输入至列级ADC读出电路和像素级ADC电路；列级ADC读出电路中的比较器分别接收光电信号和斜坡信号，比较结果通过计数器传输至数据合成器；像素级ADC电路中的比较单元分别接收光电信号和参考信号，比较结果通过寄存器单元处理后，分别输送至控制单元和数据合成器，控制单元生成控制时长数据并将其反馈至像素阵列，数据合成器中产生最终结果输出。将像素级ADC电路的高实时性特点和列级ADC读出电路的高精度特点有机结合，由数据合成器输出最终结果，在光线快速变化时，实现高动态成像需求。
一种自适应像素动态 cmos 图像传感器及其实现方法

[发明专利]一种埋层沟道背照式抗辐照像元加固结构和制备方法-CN202210688398.7在审
发明人：吕智军;李婷;李海松;何杰;徐晚成;崔双韬;曹天骄;袁昕;张曼;杨靓 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种埋层沟道背照式抗辐照像元加固结构和制备方法，包括外延层；外延层上刻蚀形成STI槽，外延层上进行阱注入形成STI阱注入区与传输管阱注入区，STI槽设置在STI阱注入区中；外延层上通过离子注入分别依次形成P埋层注入区、N埋层沟道注入区和传输管阈值调整注入区；P埋层注入区与传输管阱注入区相连接；外延层的下表面淀积有栅氧化层和多晶硅栅极；外延层通过自对准注入工艺分别形成N型PD注入区、N型FD注入区和P型钳位层注入区；FD注入区的下表面淀积有FD欧姆接触金属形成欧姆接触；外延层的下表面外侧淀积有钝化层。使实际的光电子传输沟道与栅氧化层/半导体界面分离，提升像元的抗辐照能力。
一种沟道背照式抗辐照加固结构制备方法

[发明专利]一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法-CN202011166168.1有效
发明人：李婷;何杰;崔双韬;张先娆;徐晚成;张曼;曹天骄;袁昕;李倩敏;时光 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，属于仿真分析领域。一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，包括以下步骤：1)对ADC比较器的翻转进行仿真分析，得出翻转区间偏移；2)计算所述翻转区间偏移分布在ADC计数器的一个时钟周期内的概率和跨越多个时钟周期的概率，并计算由此而引起的CMOS图像传感器噪声电压；3)将所述CMOS图像传感器噪声电压和对应的概率相乘，得到由ADC固有噪声引起的CMOS图像传感器噪声的计算值。本发明的分析方法，确定了由ADC固有噪声而引起CMOS图像传感器的整体噪声，在设计阶段有利于明确设计值是否满足设计要求，为噪声设计改进提供依据。
一种用于 cmos 图像传感器 adc 固有噪声分析方法

[发明专利]一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法-CN202210550326.6在审
发明人：李婷;何杰;张曼;杨靓;徐晚成;曹天骄;崔双韬;袁昕;刘晓轩;张凯 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法，包括像元阵列、采样放大单元、比较单元、DAC码值产生器、DAC斜坡产生器、寄存处理单元和输出电路单元；对像元阵列的模拟信号采样放大后得到输入信号，将其传输至比较单元一输入端，DAC码值产生器的数字码值传输至DAC斜坡产生器，将斜坡信号传输至比较单元另一输入端，斜坡信号大于输入信号时，比较单元产生翻转信号，寄存处理单元存储此时的数字码值，对其进行处理后，将结果输出。码值产生器兼具数码产生和计数功能，避免传统计数器在A/D转换时产生大量翻转和计数，有效降低图像传感器整体功耗和由于高功耗而产生的热量聚集现象，提升了温度敏感型图像传感器性能。
一种功耗 cmos 图像传感器结构及其实现方法

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