专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种晶体生长连续加料装置-CN202022356950.1有效
  • 夏钰坤;夏宗仁;曹义育;曹远虎;程红鹏;张婷;夏文英 - 江西匀晶光电技术有限公司
  • 2020-10-21 - 2021-07-16 - C30B7/14
  • 本实用新型公开了一种晶体生长连续加料装置,包括反应容器,反应容器的侧壁上固设有加热器,反应容器内设有容腔,容腔的侧壁中间位置固设有水份测试仪,容腔的侧壁上端固设有液位计,反应容器的外壁上固设有信号发射器,水份测试仪、液位计均连接信号发射器;反应容器的上侧设有输液管,输液管连接液体箱,液体箱固设在操作箱的右侧底端;输液管上设有阀门,阀门与操作箱内的控制器相连,操作箱的外壁上设有操作面板,操作面板上固设有信号接收器,信号接收器与控制器相连。本实用新型提供一种晶体生长连续加料装置,这种装置可以实时监测晶体生长状况,当晶体生长的溶液不足时,能及时补充,保证了晶体的质量,提高了生产效率。
  • 一种晶体生长连续加料装置
  • [实用新型]一种晶体生长温度控制系统-CN202022395215.1有效
  • 夏钰坤;夏宗仁;曹义育;曹远虎;程红鹏;张婷;夏文英 - 江西匀晶光电技术有限公司
  • 2020-10-26 - 2021-06-15 - C30B35/00
  • 本实用新型公开了一种晶体生长温度控制系统,包括晶体生长炉和控制器,晶体生长炉内设有坩埚,坩埚的底端连接有旋转装置,坩埚的左侧设有平行于晶体生长炉的升降装置,升降装置上滑动连接有第一加热板,坩埚的右侧设有第二加热板,第二加热板包括上部加热区、中部加热区和下部加热区,下部加热区与第一加热板的加热面积相等,坩埚的后方设有多个非接触式温度传感器,多个非接触式温度传感器的感应端分别与坩埚的上部、中部和下部对应,控制器内设有第一通讯模块,控制器连接有远程控制端。本实用新型通过控制器控制第一加热板在升降装置上移动,最终达到调控热场的目的,第二加热板可以针对坩埚不同部位提高温度,旋转装置使得坩埚受热均匀。
  • 一种晶体生长温度控制系统
  • [实用新型]一种晶体生长装置-CN202022227418.X有效
  • 夏钰坤;夏宗仁;曹义育;曹远虎;程红鹏;张婷;夏文英 - 江西匀晶光电技术有限公司
  • 2020-10-09 - 2021-06-08 - C30B15/20
  • 本实用新型公开了一种晶体生长装置,包括炉体,炉体内设置有容腔,容腔内固设有坩埚,炉体、坩埚之间设置有导热层,容腔的底端和侧壁上均固设有加热器,炉体的底端设置有炉盖,炉盖的内壁上固设有气压传感器、温度传感器,气压传感器、温度传感器均连接处理器,处理器连接控制器,控制器固设在控制面板上,控制面板固设在炉盖的顶端外壁上;炉体的容腔内设置有伸缩杆,伸缩杆的顶端连接控制器,伸缩杆的底端设置有晶粒块。本实用新型提供一种晶体生长装置,这种晶体生长装置结构简单,操作方便,能够对晶体的生长环境实时监测,并进行调节,保证晶体在适宜的环境下生长,改善了晶体的品质和质量,提高了生产效率,降低了生产成本。
  • 一种晶体生长装置
  • [实用新型]一种晶体生长炉测温总成-CN202022395213.2有效
  • 夏钰坤;夏宗仁;曹义育;曹远虎;程红鹏;张婷;夏文英 - 江西匀晶光电技术有限公司
  • 2020-10-26 - 2021-06-08 - G01J5/00
  • 本实用新型公开了一种晶体生长炉测温总成,包括炉体,所述炉体底端设置有第一电机,所述第一电机的输出端转动连接有与所述炉体平行的坩埚轴,所述坩埚轴连接有坩埚,所述坩埚的左侧设置有垂直于所述炉体的多个滑轨,多个所述滑轨上均滑动连接有电热板,所述炉体外侧壁上设置有多个第二电机,所述第二电机连接有用于移动所述电热板的第一丝杆,所述坩埚的右侧设置有多个第一红外测温仪,多个所述第一红外测温仪与多个所述电热板分别位于同一高度,所述炉体的顶端设置有第二红外测温仪,所述第二红外测温仪与所述坩埚的顶端相对。本实用新型通过坩埚右侧的第一红外测温仪和坩埚上侧的第二红外测温仪准确的测量相应部位坩埚的温度。
  • 一种晶体生长测温总成
  • [发明专利]一种掺镁铌酸锂单晶的生长方法及装置-CN202010707383.1在审
  • 夏钰坤;夏宗仁;曹远虎;曹义育;夏文英 - 江西匀晶光电技术有限公司
  • 2020-07-21 - 2020-11-06 - C30B15/14
  • 一种掺镁铌酸锂单晶的生长方法及装置,该方法包括以下步骤:(1)掺镁铌酸锂多晶的制备;(2)单晶的生长;(3)退火、极化;(4)晶体检测,得到成品单晶;该生长方法用的装置是高纯度的Pt圆形坩埚处于热场中心,其外围同心设置导电圆筒,导电圆筒外围同心设置保温圆形坩埚,保温圆形坩埚外围同心设置感应加热线圈,高纯度Pt圆形坩埚底部设置锅底保温层,Pt圆形坩埚与导电圆筒间,以及导电圆筒与保温圆形坩埚之间填充保温粉或保温层;该方法结合具有热响应快、贵金属损耗低、温场稳定的装置所生长的单晶内部生长层少,脉理条纹少,散射颗粒少,应力小,头尾成分偏差小。
  • 一种掺镁铌酸锂单晶生长方法装置

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