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[发明专利]一种通信接收装置、制造方法及电子设备-CN202210148431.7有效
发明人：王厚有;冯永波;蔡明洋;林国强 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H04B10/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种通信接收装置、制造方法及电子设备，其至少包括：基板；处理芯片，设置在基板上，且处理芯片电性连接有终端设备；光电器件，设置在基板上，且光电器件电性连接于处理芯片，以接收光信号，且光电器件包括接收区和传导区，传导区连接接收区；以及滤色层，设置在光电器件接收光信号的一侧，滤色层上设置有滤色片，滤色片允许单色光通过，且滤色片和接收区沿着光线入射的方向依次排布。本发明提供了一种通信接收装置、制造方法及电子设备，实现了多通道、高效、稳定的可见光通信接收。
一种通信接收装置制造方法电子设备

[发明专利]一种通信发射装置、系统、制造方法及电子设备-CN202210148432.1有效
发明人：王厚有;冯永波;周晓峰;王棒 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H04B10/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种通信发射装置，其至少包括：驱动芯片，以输出有阵列驱动信号；发光器件，电性连接于驱动芯片；过渡层，设置在发光器件上，且过渡层包括透光区，透光区允许发光器件的射出光线穿过；液晶器件，设置在过渡层上，且液晶器件电性连接于驱动芯片，液晶器件根据阵列驱动信号，以调整发光器件的射出光线；以及滤光层，设置在液晶器件上，且滤光层上设置有滤光片，滤光片允许液晶器件导出光线中的单色光通过。本发明提供了一种通信发射装置、系统、制造方法及电子设备，能实现多通道、高效、稳定的可见光通信。
一种通信发射装置系统制造方法电子设备

[发明专利]3D CMOS图像传感器及其形成方法-CN202210852983.6有效
发明人：周成;王厚有 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D CMOS图像传感器及其形成方法，涉及图像传感器领域，包括：衬底，衬底内包括至少一个光电二极管；阱区，阱区形成于光电二极管上方，并与光电二极管连接，阱区为薄膜空腔结构；浮置扩散区，浮置扩散区形成于衬底上且位于阱区上方并与阱区连接；以及，传输栅，传输栅浮置于衬底上方且将阱区包围。通过将所述传输栅和浮置扩散区浮置于所述衬底上方，不占用衬底内光电二极管的面积，相对于传统2D平面结构，可以避免所述传输栅和浮置扩散区占用光电二极管面积,并且浮置扩散区可以自由扩展面积，增加满阱容量。采用薄膜空腔结构构成阱区，阱区无需作额外的离子注入掺杂，有利于降低工艺难度。
cmos 图像传感器及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法及半导体结构-CN202210418608.0有效
发明人：林政纬;徐玉婷;王振择;杨智强 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，且本发明提出一种半导体器件的制造方法及半导体结构，包括：提供一衬底；形成半导体层于衬底上；形成介电层于半导体层上；形成光阻层于介电层上；以第二阱区内的光阻层为掩膜，向第一阱区植入离子，形成第一掺杂区，并刻蚀部分介电层，以暴露出第一栅极、第一掺杂区和部分第一阱区；移除第二阱区内的光阻层；以第一阱区内的光阻层为掩膜，向第二阱区植入离子，形成第二掺杂区，并刻蚀部分介电层，以暴露出第二栅极、第二掺杂区和第二阱区；移除第一阱区内的光阻层；以及形成覆盖层于半导体层的暴露区域上。本发明提出的半导体器件的制造方法及半导体结构，减少了半导体器件的制备时间。
一种半导体器件制造方法半导体结构

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202210694366.8有效
发明人：宋富冉;黄厚恒;周儒领 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，本发明未在器件表面生长刻蚀停止层，而是直接沉积第一层间介质层，且不经过研磨，直接在第一层间介质层上形成研磨阻挡层，以避免研磨凹陷。第一层间介质层和研磨阻挡层的表面形貌均呈高低起伏的状态，切合器件表面形貌。则在刻蚀接触孔时，单位时间内刻蚀后的形貌仍切合器件表面形貌。则接触孔的底部不残留第一层间介质层，无需进行过刻蚀，则不会造成器件的膜层被吃穿，避免漏电流。且研磨阻挡层上还形成第二层间介质层，以作为研磨牺牲层。则在研磨过程中，牺牲层和研磨阻挡层的共同作用下，可有效缓解研磨凹陷的问题，以避免后续形成的金属互连结构存现塌陷，导致金属连线短路，提高了产品良率。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202210754353.5有效
发明人：大田裕之;中野纪夫 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一表面、第二表面以及第三表面，且所述第二表面和所述第三表面设置在所述第一表面两侧，所述第二表面低于所述第一表面，所述第三表面与所述第二表面位于同一水平面；浅沟槽隔离结构，所述第二表面位于所述第一表面和所述浅沟槽隔离结构之间，所述第二表面上方形成凹槽部；栅极，设置在所述第一表面上；源极，设置在所述第二表面下方的衬底中；漏极，设置在所述第三表面下方的衬底中；第一侧墙，设置在所述栅极的两侧且分别延伸至所述第二表面和所述第三表面。通过本发明提供的一种半导体器件及其制造方法，可提高半导体器件的性能。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]晶圆测试方法-CN202210856114.0在审
发明人：熊小玲;曲厚任;彭长青;张生义 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆测试方法，包括：提供包括器件单元区和切割道区的衬底，所述衬底上形成有金属层，所述金属层包括形成于切割道区内的第一测试焊盘；在所述金属层上形成具有第一开口的第一钝化层，所述第一开口形成于切割道区内且暴露所述第一测试焊盘；对晶圆进行晶圆允收测试；在第一钝化层上形成覆盖所述第一测试焊盘的第二钝化层。本发明先制备具有第一开口的第一钝化层，通过第一开口暴露切割道区内的第一测试焊盘，以便进行晶圆允收测试，并在测试完成后形成覆盖第一钝化层及第一测试焊盘的第二钝化层，减少或避免了晶圆在后续分片切割过程中切割道区存在裸漏金属的情况，从而避免因切割偏移导致的金属层卷边，避免芯片失效。
测试方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202210664390.7有效
发明人：宋富冉;黄厚恒;周儒领;韩飘飘;金磊 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有连接结构和晶体管；在衬底表面形成层间介质层，以覆盖连接结构和晶体管；在层间介质层中形成多个接触孔，以分别暴露出部分衬底表面、部分连接结构以及部分晶体管；形成接触孔侧壁结构，以覆盖每个接触孔的侧壁；执行至少两次湿法清洗；其中，最后一次湿法清洗为采用液氨浸泡处理；填充所有接触孔，以形成多个金属插塞。即通过形成接触孔侧壁结构，以阻隔酸溶液与接触孔暴露出的膜层，避免发生寄生化学反应，影响接触效果。且液氨浸泡不仅能去除接触孔底部产生的寄生氧化层以及氟，降低接触电阻，还能降低金属硅化物层的氧化速率，并保证接触孔底部关键尺寸控制在预设范围内。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种半导体结构的制造方法-CN202210785556.0有效
发明人：陶磊;周成;程挚;蔡明洋;王厚有 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构的制造方法，属于半导体制造技术领域，且所述半导体结构的制造方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成多个零位对准标记；在所述衬底上形成图案化光阻层，所述图案化光阻层覆盖所述零位对准标记和部分所述衬底；以所述图案化光阻层为掩膜，对所述衬底植入离子，形成掺杂区；在所述衬底上沉积隔离层，且所述隔离层覆盖所述掺杂区；以及对所述掺杂区进行高温退火。通过本发明提供的一种半导体结构的制造方法，可提高半导体结构的质量。
一种半导体结构制造方法

[发明专利]高压晶体管仿真模型及建模方法-CN202210229031.9有效
发明人：高锡龙;郭千琦;曾权飞 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供一种高压晶体管仿真模型及建模方法。所述仿真模型及建模方法在BSIM仿真模型的基础上，在高压晶体管的漏极端串联一个可变电阻，在一定温度条件下，所述可变电阻的阻值与所述高压晶体管的栅源电压和漏源电压的多项式函数成正比。通过高压晶体管的测试数据提取所述可变电阻的关系式，并被SPICE工具调用，可得到优化后的BSIM仿真模型，实验数据表明，使用该优化后的BSIM仿真模型对高压晶体管的特性曲线进行仿真可以改善仅采用通用BSIM仿真模型仿真时存在的不收敛的问题，有助于提升高压器件设计的效率和准确性，缩短产品设计周期及降低成本。
高压晶体管仿真模型建模方法

[发明专利]晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法-CN202210894742.8在审
发明人：陶磊;郭育清;张燚;王厚有 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法和背照式图像传感器的形成方法，所述晶圆键合方法包括：提供一晶圆键合结构，晶圆键合结构包括器件晶圆和承载晶圆，器件晶圆包括第一衬底和位于第一衬底上的第一键合层，承载晶圆包括第二衬底和位于第二衬底上的第二键合层，所述第一键合层与所述第二键合层键合；对晶圆键合结构进行气泡检查，并判断气泡是否合格；若不合格，对晶圆键合结构进行解键合处理以获得分离的器件晶圆和承载晶圆；对器件晶圆进行湿法清洗工艺处理，以去除第一键合层中的表层部分；对器件晶圆和承载晶圆进行重新键合。在返工流程中，通过湿法清洗工艺去除了第一键合层中的含水量高的表层部分，降低了重新键合后的气泡。
晶圆键合方法以及背照式图像传感器形成

[发明专利]一种图像传感器及其制造方法-CN202210525533.6有效
发明人：王志伟;马忠祥;谢荣源 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器及其制造方法，属于半导体制造技术领域，且所述图像传感器的制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成多个浅沟槽，且所述浅沟槽将所述衬底区分为多个感光区域；蚀刻所述感光区域，形成具有弧形表面的所述感光区域；在所述浅沟槽内填充隔离介质，形成浅沟槽隔离结构；以及在所述感光区域内注入离子，形成光电二极管。通过本发明提供的一种图像传感器及其制造方法，可提高图案传感器的感光效果。
一种图像传感器及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202210603268.9有效
发明人：郑大燮;汪常亮;汪文婷 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，并公开了一种半导体结构及其制造方法，其至少包括：提供一衬底，并形成浅槽隔离结构于衬底上；向衬底内注入第一离子，形成阱区，阱区包括高压区和低压区；氧化高压区和低压区的表层，形成高度氧化区和低度氧化区；在高度氧化区和低度氧化区内形成栅极；向阱区内注入第二离子，形成第一掺杂区和第二掺杂区，且第一掺杂区位于栅极的覆盖区域，第二掺杂区位于栅极两侧；以及向第二掺杂区内注入第三离子，形成源极区和漏极区。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能改善半导体结构的逆窄宽度性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种MIM电容及其形成方法-CN202210089607.6有效
发明人：游咏晞;吴启明;郑志成 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种MIM电容及其形成方法，本发明通过分次刻蚀所述第一光刻胶层，并钝化处理所述直角台阶，以形成钝角台阶，从而形成MIM电容。本发明通过对顶层金属层的直角台阶钝化处理，减少MIM电容的压应力集中，避免裂缝的产生，从而提高了芯片良率，改善了半导体器件的可靠性。
一种 mim 电容及其形成方法

[发明专利]一种半导体结构的制造方法-CN202210541143.8在审
发明人：杨军 -专利权人： 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成硬质掩膜层；刻蚀所述硬质掩膜层至所述阻挡层，形成第一开口；在所述第一开口和所述第一开口一侧的所述硬质掩膜层上，向所述衬底一侧蚀刻，形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；其中，所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽的深度差，等于所述硬质掩膜层的厚度与所述衬底和所述硬质掩膜层的刻蚀选择比的乘积。通过本发明提供的一种半导体结构的制造方法，可优化半导体结构的制造工艺。
一种半导体结构制造方法

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