|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 3个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]硅基导电材料及其制造方法-CN98811697.9无效
-
春山俊一;山下治;贞富信裕;西乡恒和
-
住友特殊金属株式会社;春山俊一
-
1998-08-14
-
2001-01-17
-
H01L35/14
- 在室温下,其电阻率为10－3(Ω.m)或者更低并且是基于半导体硅的硅基导电材料,而且还能够进行生产并且进行处理,这在以前是不能实现的。通过在硅中添加量相对较多的各种元素,可以获得电阻率为10－6(Ω.m)或者更低的导电材料,这个电阻率对导体来说是很普通的。通过离子束注入技术和成形技术,可以以一种所需图案在一种半导体硅衬底上形成导电材料。其形状不仅可以是一种衬底状,一种棒状,或者一种线状,而且还可以是分布在一种树脂或者玻璃中的、很细的颗粒形状,它可以用于很多需要导电的应用中,包括需要一种导电片材料的应用中。
- 导电材料及其制造方法
|
