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[发明专利]RRAM的后端金属互连结构及其制备方法-CN202210510007.2在审
发明人：李晓波;陈亮 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种RRAM的后端金属互连结构及其制备方法，其中的结构包括第一介电层以及设置在所述第一介电层上的第二介电层；其中，在所述第一介电层内设置有第一金属件，在所述第二介电层内设置有第二金属件；在所述第一介电层与所述第二介电层的交接面上设置有金属盖帽薄层，所述第一金属件通过所述金属盖帽薄层与所述第二金属件电性连接；并且，所述金属盖帽薄层的面积≥所述第一金属件的上表面的面积，所述金属盖帽薄层全覆盖所述第一金属件。本发明提供的RRAM的后端金属互连结构及其制备方法能够解决现有技术中为防止下层金属出现电迁移和应力迁移而引入新的器件稳定性弊端以及增阻弊端的问题。
rram 后端金属互连结构及其制备方法

[发明专利]隔离改进的2D1R工艺方法及2D1R阵列-CN202210108675.2在审
发明人：曹恒;仇圣棻 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种隔离改进的2D1R工艺方法及2D1R阵列，在SOI硅片上进行工艺处理以形成深隔离槽，并使深隔离槽与SOI硅片上的氧化层接触；再基于深隔离槽对所述SOI硅片进行离子注入以形成n阱区域与p阱区域；在n阱区域与p阱区域上进行工艺处理以形成浅隔离槽，并在浅隔离槽的两侧进行离子注入以形成n+有源区和p+有源区；通过接触孔将n+有源区、p+有源区与后段器件相连接，从而通过采用SOI技术，可以在降低隔离槽深度的条件下实现更好的阱与阱的隔离效果，同时也可以形成n阱与p阱交替存在的二极管阵列，改善了工艺窗口，实现更小单元尺寸的2D1R阵列。
隔离改进 d1r 工艺方法阵列

[发明专利]卷积运算电路及运算方法-CN202210242362.6在审
发明人：周煜梁 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F17/15 文献下载
摘要：本发明提供一种卷积运算电路及其运算方法，其中的卷积运算电路包括：控制逻辑、与控制逻辑连接的数据缓存模块和乘加器；其中，乘加器包括至少两个相互并联的运算模块，每个运算模块均包括一个信号输入端、至少两个相互并联的忆阻器，以及一个信号输出端；乘加器，用于对通过信号输入端进入运算模块的待处理数据进行卷积运算处理，以获取对应的运算结果；控制逻辑用于将信号输出端输出的运算结果读取至数据缓存模块中进行数据存储。利用上述发明能够灵活的实现多卷积权重的设置。
卷积运算电路方法

[发明专利]基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法-CN202210238402.X在审
发明人：曹恒;仇圣棻 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法及阵列，将p+有源区所在的第二个二极管通过CT与复位线相连接；并通过CT将第一个二极管的p型端与第二个二极管的n型端连接至metal层，将metal层与RRAM器件相连以形成RRAM阵列；其中，两个二极管和一个RRAM器件连结组成RRAM阵列中的存储单元；而后按照预设的操作表使RRAM阵列做读取、写入、擦除操作，如此，由于n阱与p阱存在反偏效应，两者的反偏击穿电压一般在10V以上，远远满足RRAM5V的应用场景，同时将每个二极管的阱端引出，降低阱作为字线和RESET线的电阻，从而降低IR DROP及增大驱动电流，并且采用与现有技术不同的2D1R操作方法，主动设定未选中位线，字线与RESET线的电压，提高器件的抑制性能。
基于驱动电流窗口改进 d1r 工艺方法

[发明专利]存储单元、存储阵列及加工方法-CN202210257532.8在审
发明人：曹恒;仇圣棻 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储单元、存储阵列及加工方法，其中的存储单元包括相互间隔设置的第一二极管和第二二极管；其中，第一二极管包括n阱以及与n阱连接的第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，第二二极管包括p阱以及与p阱连接的第二N型掺杂区和第二P型掺杂区；第一N型掺杂区与字线连接，第二P型掺杂区与RESET线连接；第一P型掺杂区以及第二N型掺杂区分别通过电阻存储器与位线连接。利用上述发明能够实现较小尺寸且具有较大驱动电流的存储阵列。
存储单元阵列加工方法

[发明专利]基于单线接口的非易失性存储器烧录系统、方法、设备-CN202111516893.1在审
发明人：高夫;周旭东;汪毅 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种基于单线接口的非易失性存储器烧录系统、方法、设备，首先通过充电泵抬升单线接口的电压以形成增高电压，再由电源管理模块监控该增高电压，以根据该增高电压形成监控信息，再根据监控信息判断增高电压是否有效，并根据增高电压是否有效调整非易失性存储器的烧录，如此，不需要额外的供电便可实现非易失性存储器烧录，减少对单线接口供电能力的依赖性，简化了非易失性存储器的供电系统，节省供电IO，降低成本。
基于单线接口非易失性存储器系统方法设备

[发明专利]电动车电池管理系统-CN202210513433.1在审
发明人：孟凡生;沈锴 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B60L58/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种电动车电池管理系统，包括充电认证单元和电池状态监测单元，所述充电认证单元包括设置在蓄电池侧的第一mcu、设置在充电器侧的第二mcu，所述第一mcu和所述第二mcu均连接有PUF模块和加密模块；所述电池状态监测单元包括连接在所述蓄电池和所述第一mcu之间的电池温度监测模块、过充监测模块、过放监测模块、蓄电池输入输出控制模块；所述第一mcu连接有定位模块、远程通信模块，所述远程通信模块向管理平台传输所述电池状态监测单元的信息。本发明对充电器和电池进行安全匹配后充电，并具有电池监测管理功能，避免了安全隐患。
电动车电池管理系统

[发明专利]RRAM的后端金属互连结构及其制备方法-CN202210508910.5在审
发明人：李晓波;杨芸 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种RRAM的后端金属互连结构及其制备方法，其中的结构包括第一介电层以及设置在所述第一介电层上的第二介电层；其中，在所述第一介电层内设置有第一金属件，在所述第二介电层内设置有第二金属件；在所述第一介电层与所述第二介电层的交接面上设置有金属盖帽薄层，所述第一金属件通过所述金属盖帽薄层与所述第二金属件电性连接；并且，所述金属盖帽薄层的面积≥所述第一金属件的上表面的面积，所述金属盖帽薄层全覆盖所述第一金属件。本发明提供的RRAM的后端金属互连结构及其制备方法能够解决现有技术中为防止下层金属出现电迁移和应力迁移而引入新的器件稳定性弊端以及增阻弊端的问题。
rram 后端金属互连结构及其制备方法

[发明专利]正反压保护转轨电路-CN202210208868.5在审
发明人：周旭东 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种正反压保护转轨电路，包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管以及第四场效应管，其中，第一场效应管的漏极和第三场效应管的漏极连接后与第一输入端相连，第二场效应管的漏极和第四场效应管的漏极连接后与第二输入端相连；第一场效应管的栅极和第三场效应管的栅极连接后与第二输入端相连，第二场效应管的栅极和第四场效应管的栅极连接后与第一输入端相连；第一场效应管的源极与第二场效应管的源极连接后与高电位输出端相连，第三场效应管的源极与第四场效应管的源极连接后与低电位输出端相连。本发明提供的正反压保护转轨电路既能够实现片上CMOS工艺的集成，又能够有效防止芯片接入的电源由于极性相反而导致芯片直接烧坏。
正反保护转轨电路

[发明专利]基于密钥的通信方法及装置-CN202210257521.X在审
发明人：周煜梁 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本发明提供一种基于密钥的通信方法及装置，其中的方法包括：第一目标芯片的第一协商密钥生成阶段、第二目标芯片的第二协商密钥生成阶段，以及第一目标芯片和第二目标芯片的密钥通信阶段；其中，第一目标芯片的第一协商密钥生成阶段包括：基于第一目标芯片中预设的第一置换表对第一原始密钥进行置换处理，并获取与第一原始密钥对应的第一协商密钥；第二目标芯片的第二协商密钥生成阶段包括：基于第二目标芯片中预设的第二置换表对第二原始密钥进行置换处理，并获取与第二原始密钥对应的第二协商密钥；密钥通信阶段包括：第一目标芯片和第二目标芯片基于第一协商密钥和第二协商密钥进行通信。利用上述发明能够提高密钥交换的效率及灵活性。
基于密钥通信方法装置

[发明专利]物理不可克隆函数的产生电路-CN202210302492.4在审
发明人：鹿益铭 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本发明提供一种物理不可克隆函数的产生电路，包括两个或非门或两个与非门；其中，任意一个或非门/与非门的输出端与另外一个或非门/与非门的其中一个输入端连接；并且，两个或非门/与非门的另外一个输入端分别设置为异步置0端和异步置1端。利用上述发明能够产生稳定且高质量的物理不可克隆函数。
物理不可克隆函数产生电路

[发明专利]基于1T1R实现矢量乘法运算的电路构架及运算方法-CN202210311144.3在审
发明人：周煜梁;汪毅 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06F17/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于1T1R实现矢量乘法运算的电路构架，包括输入电路、1T1R计算阵列以及输出电路，其中，所述1T1R计算阵列包括至少两行运算单元，各行运算单元的输入端共节点后作为所述1T1R计算阵列的输入端与所述输入电路相连，各行运算单元的输出端与所述输出电路相连；并且，各行运算单元均包括至少两个相并联1T1R忆阻器单元，所述输入电路用于对各运算单元输入输入信号；所述输入信号与各行运算单元内的T1R忆阻器单元相作用实现矢量乘法运算并产生输出信号；所述输出信号存储至所述输出电路内。本发明提供的基于1T1R实现矢量乘法运算以解决单个忆阻器无法实现多bit运算的问题。
基于 t1r 实现矢量乘法运算电路构架方法

[发明专利]ReRAM卷积简化实现方法-CN202210334200.5在审
发明人：周煜梁 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06F17/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种ReRAM卷积简化实现方法，包括：依次获取待运算卷积中的各乘法运算公式；分别对各乘法运算公式中的输入数据和权重数据进行高低位拆分以将各乘法运算公式均转换为相应的乘法加和运算简化公式；通过所述乘法加和运算简化公式依次计算所述待运算卷积中的各乘法运算公式的计算结果；基于各乘法运算公式的计算结果实现所述待运算卷积的运算。本发明提供的ReRAM卷积简化实现方法能够解决现有的通过忆阻器实现卷积运算时精度低的问题。
reram 卷积简化实现方法

[发明专利]支持认证的正反插电子烟电路-CN202210513025.6在审
发明人：孟凡生 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： A24F40/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种支持认证的正反插电子烟电路，包括设置在烟杆中的主控芯片、A触点、B触点和结构相同的第一插接电路、第二插接电路，以及设置在烟弹中的认证芯片、加热电路、第一触点和第二触点，所述主控芯片包括功能相同的第一引脚组和第二引脚组，所述第一插接电路分别与所述第一引脚组和所述A触点连接，所述第二插接电路分别与所述第二引脚组和所述B触点连接；所述认证芯片和所述加热电路均与所述第一触点连接，所述第二触点与接地端连接。本发明采用两个触点完成烟杆和烟弹的电气连接和数据通信，并能够正反两插，节省成本方便用户。
支持认证正反电子电路

[发明专利]用于电阻式切换存储器装置的电容测量和设备-CN202111203217.9在审
发明人：哈古普·纳扎里安;昆邬 -专利权人： 昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：由编程电压范围和第一电容表征的双端子存储器装置，其中双端子存储器装置被并联耦合在地与第一公共节点之间；具有第二电容的第一电容器，其被耦合在地与第二公共节点之间；电压源，其被配置为提供低于编程电压范围的输入电压；第一运算放大器，其包括反相输入、非反向输入和输出，其中非反向输入被耦合到第一电压源，其中反相输入被耦合到第三公共节点，且其中输出被耦合到第四公共节点；第一电阻装置，其被耦合在第三公共节点与第四公共节点之间，且其中第一公共节点被耦合到第二公共节点和第三公共节点。
用于电阻切换存储器装置电容测量设备

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