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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]与内天线结合的车辆防盗系统-CN200610080216.9有效
发明人： 日高修;三岛君治;本川诚 -专利权人：本田制锁有限公司
申请日： 2006-05-11 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01Q25/00 文献下载
摘要：在一种包括设置在锁芯附近的锁止系统以及无钥匙进入系统的车辆防盗系统中，锁止系统天线(5)被嵌件模制在环绕锁芯的钥匙开口(2)的环状构件(3)中，且无钥匙进入系统天线(9)结合在外壳(6、7)中，该外壳与环状构件一体形成。因此，锁止系统天线和无钥匙进入系统天线能容纳在共同的单元中，同时使它们适当地彼此分开。因此，两个天线无需任何专门的屏蔽装置就能顺利工作，同时可使系统的整体尺寸最小化。
天线结合车辆防盗系统

[发明专利]半导体集成电路及其制造方法-CN98117859.6无效
发明人：金谷宏行;日高修;奥和田久美;望月博 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1998-07-17 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：在混装FRAM的LSI中，使Pt电极和电容器加工容易，减少形成布线层的工序次数和器件的台阶高度差，使布线变得容易，介质膜特性不退化。本发明具备有埋入到第1绝缘膜挖进的第1槽内使表面平坦化的第1电极(3a)；在第1绝缘膜上淀积的第2绝缘膜(4)；对应于第1电极的上部在向第2绝缘膜内挖进的第2槽内依次进行淀积后使表面平坦化的强电介质膜(5a)和第2电极(6a)，具有由第1电极、强电介质膜和第2电极构成的强电介质电容器部分。
半导体集成电路及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件-CN97114532.6无效
发明人：望月博;奥和田久美;金谷宏行;日高修 -专利权人：东芝株式会社
申请日： 1997-07-09 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。该制造方法包括：在半导体基片上形成MOS晶体管的工序、形成第1绝缘膜的工序；在对应于MOS晶体管的漏极区的部分的第1绝缘膜上开出接触孔，在该接触孔的内部及第1绝缘膜上形成位线的工序；在位线上和第1绝缘膜上形成第2绝缘膜的工序；在对应于MOS晶体管的源极区的部分的第2绝缘膜和第1绝缘膜上有选择地开出接触孔并在该接触孔的内部埋入、形成电容器接触插件的工序；形成强电介质电容器的工序；形成连接强电介质电容器和电容器接触插件的电极布线的工序。由此，在制造具有位线先制作的上部电极连接结构的强电介质存储单元时能防止强电介质电容器特性劣化并可用联合使工序集成化。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN98104086.1无效
发明人：望月博;奥和田久美;金谷宏行;日高修 -专利权人：东芝株式会社
申请日： 1998-02-03 - 公布日： 1998-08-12 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体器件及其制造方法。包括在半导体基板表层部分形成具有由杂质扩散区结构的漏极区及源极区的MOS晶体管的步骤;在半导体基板上形成绝缘膜的步骤;在绝缘膜上有选择地对接触孔进行开口的步骤;将下端部与MOS晶体管的漏极区与源极区中某一区域接触的电容接触接点埋入并形成于接触孔中的步骤;形成具有下部电极、强电介质膜及上部电极的强电介质电容的步骤;形成连接上部电极与电容接触接点上端面间的布线的步骤。
半导体器件及其制造方法

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