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- [发明专利]差分电容式MEMS麦克风及其制造方法-CN202210332986.7在审
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冯栋
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无锡华润上华科技有限公司
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2022-03-31
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2023-10-24
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H04R19/00
- 本发明涉及一种差分电容式MEMS麦克风及其制造方法，所述麦克风包括：衬底，包括第二背板；第一支撑层，设于所述衬底上；振膜，设于所述第一支撑层上；第二支撑层，设于所述振膜上；第一背板，设于所述第二支撑层上，所述振膜位于所述第一背板和第二背板之间；其中，所述振膜和第一背板形成的第一电容用于输出第一电容值信号，所述振膜和第二背板形成的第二电容用于输出第二电容值信号，所述第一电容值信号和第二电容值信号构成差分信号。本发明利用衬底的一部分结构作为第二背板，因此第二背板本身不会造成麦克风的厚度增加。并且振膜与第一背板、第二背板形成的电容输出的电容信号构成差分信号，可以提高麦克风的信噪比。
- 电容mems麦克风及其制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210277578.6在审
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何乃龙;张森;赵景川
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无锡华润上华科技有限公司
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2022-03-21
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2023-09-29
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H01L21/329
- 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取形成有第二导电类型区域的晶圆；通过光刻使光刻胶露出注入窗口；通过离子注入向所述注入窗口下方的所述第二导电类型区域中注入第二导电类型的离子，形成第二导电类型的埋层；对所述光刻胶进行回刻，所述光刻胶被去除一定厚度从而所述注入窗口扩大；通过离子注入向扩大后的注入窗口下方的所述第二导电类型区域中注入第一导电类型的离子，形成第一导电类型掺杂区；所述埋层位于所述第一导电类型掺杂区下方。本发明无需使用额外的光刻版即可形成齐纳二极管的第一导电类型掺杂区，且第一导电类型掺杂区的注入工艺参数可以独立设定，易于满足齐纳二极管的性能需求。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210258012.9在审
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周耀辉;张松;刘群;王德进
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无锡华润上华科技有限公司
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2022-03-16
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2023-09-26
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H01L21/8234
- 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取在衬底上形成有隔离结构、在隔离结构和衬底上形成有第一栅氧层的晶圆；第一栅氧层形成于晶圆正面；通过图案化将不需要形成第一栅极的位置处的第一栅氧层去除，形成第一栅氧结构；使用激光退火工艺对晶圆正面进行处理，使有源区的表面形成表面氧化层；湿法去除表面氧化层；在衬底上形成第二栅氧结构；在第一栅氧结构上形成第一栅极、第二栅氧结构上形成第二栅极。本发明通过激光退火工艺修复有源区表面的同时形成表面氧化层，可抑制表面颗粒及消除粗糙结构的存在，可以提升该交界处的第二栅氧结构的完整性/致密性，提高第二器件的TDDB可靠性。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件的SCM样品制备方法-CN202210208875.5在审
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金志明;刘克军
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无锡华润上华科技有限公司
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2022-03-03
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2023-09-12
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G01N1/28
- 本发明涉及一种半导体器件的SCM样品制备方法，包括：去除器件样品表面的金属层；在器件样品正面固化垫片；垫片为非金属材质且包括导电材料；将器件样品从侧面抛光至感兴趣区域，且对于小样品通过导电胶带包裹器件样品和垫片，得到SCM样品。本发明在抛光前将器件样品表面的金属层去除，可以避免金属层在抛光过程中带来的金属杂质沾污，提高电容信号强度；并且相较于器件样品的正背面都设置垫片的三明治结构，样品与测试设备基座间的导电性更好，且对小样品采用导电胶带包裹也能保证被测器件与设备基座间的导电性，因此得到的SCM样品在SCM测试时SCM信号较强，结形貌轮廓边界清晰，从而易于得到清晰明了的分析结果，便于生产工厂查找失效原因，优化工艺。
- 半导体器件scm样品制备方法
- [发明专利]不同光刻机之间的套刻匹配方法-CN201910033967.2有效
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王亚超;李玉华
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无锡华润上华科技有限公司
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2019-01-15
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2023-08-25
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G03F7/00
- 本发明涉及一种不同光刻机之间的套刻匹配方法，包括：提供预对位光刻版；利用第一光刻机，将0度预对位一次光刻图形形成于0度预对位圆片上，并将90度预对位一次光刻图形形成于90度预对位圆片上；利用第二光刻机，将0度预对位二次光刻图形形成于0度预对位圆片上，并将90度预对位二次光刻图形形成于90度预对位圆片上；测试0度预对位圆片上二次光刻图形与一次光刻图形间的第一套刻量，和90度预对位圆片上二次光刻图形与一次光刻图形间的第二套刻量；根据第一套刻量和第二套刻量对第二光刻机的参数进行调整，由此可实现0度角和90度角预对位的同时校准，有效解决了机台间预对位不匹配导致的对位失败的问题。
- 不同光刻之间匹配方法
- [发明专利]芯片循环测试装置-CN202210003254.3在审
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杨晓寒;何禹鸣
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无锡华润上华科技有限公司
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2022-01-04
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2023-07-14
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G01R31/28
- 本发明涉及一种芯片循环测试装置，包括：FPGA模块，包括信号发生单元和信号接收单元，所述FPGA模块用于根据控制指令通过所述信号发生单元向被测芯片发送测试向量，所述FPGA模块还用于通过所述信号接收单元接收从所述被测芯片返回的反馈信号并记录；MCU模块，用于连接上位机和所述FPGA模块，向所述FPGA模块发送所述控制指令；其中，所述FPGA模块还用于向所述MCU模块发送读取信号，所述MCU模块接收到所述读取信号后读取所述记录的反馈信号。本发明能够实时监控芯片整个的循环测试过程，并且相对于使用的测试机进行芯片循环测试能够节省设备成本。
- 芯片循环测试装置
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