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[发明专利]硅基混成多量子阱结构及其制备方法-CN202110720680.4在审
发明人：顾溢;孙夺 -专利权人： 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基混成多量子阱结构，包括依次设置于衬底上的缓冲层和至少一个组合层；所述组合层包括势垒层和BGaAsBi材料的势阱层，所述势阱层的材料组分满足：BxGa1‑xAs1‑yBiy，x≥5％，y≥5％。所述势阱层相对于所述势垒层靠近所述缓冲层。本发明在保证硅基发光的前提下，能够极大地缓解晶格失配，以及能够克服热失配和极性失配；从而提高了半导体材料的质量，能够应用并有助于高速微电子器件的质量提升。
混成多量结构及其制备方法

[发明专利]长波III-V族红外探测器及其制备方法-CN202110720700.8在审
发明人：顾溢;孙夺 -专利权人： 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种长波III‑V族红外探测器，所述红外探测器结构包括衬底、缓冲层、吸收层和帽层；其中，所述吸收层的材料为非故意掺杂的BInAsSbBi，所述非故意掺杂的BInAsSbBi的组分结构满足：BxIn1‑xAs1‑y‑zSbyBiz，其中，x≥0.1，0.4≤y≤0.7，0.01≤z≤0.06。本发明提供的长波III‑V族红外探测器及其制备方法通过在衬底上以满足适当组分要求的BInAsSbBi材料作为吸收层制备长波III‑V族红外探测器，获得了较好的化学稳定性，保证了耐热性的同时，具有较高的吸收系数，能够保持与衬底较小的晶格失配，从而提升了探测器性能。
长波 iii 红外探测器及其制备方法

[发明专利]像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法-CN202110718986.6在审
发明人：孙夺;顾溢;刘大福;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片及其制备方法，所述铟镓砷光敏芯片包括依次设置于衬底的缓冲层、吸收层、帽层、钝化层、电极层以及像元阵列，所述像元阵列包含多个像元，每个像元之间电极独立；所述每个像元内的电极独立。本发明的像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法通过合理地设置阵列中各像元间的隔离结构，可对像元形成独立可控的偏压用于读取相应的电信号，从而获取感光探测数据。同时，外接电路也可根据实际应用场景自定义对接电极层中的若干电极，以获取需要的像元参数。本实施例通过像元的偏压独立控制以及像元信号片上均匀性校正，显著地提高了红外探测的准确性及模块化工作的可操作性。
偏压可控铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法

[发明专利]针脚自锁紧组件、电连接装置及其使用方法-CN202110676592.9在审
发明人：刘桂源;刘大福;顾溢 -专利权人： 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种针脚自锁紧组件、电连接装置及其使用方法。其中，针脚自锁紧组件，用于固定电子元件的针脚，包括：夹紧件，所述夹紧件具有开口，所述开口用于插入所述针脚，所述夹紧件能夹紧或松开所述针脚；锁紧件，所述锁紧件被设置成能在第一位置和第二位置切换，在所述第一位置，所述夹紧件夹紧所述针脚；在所述第二位置，所述夹紧件松开所述针脚。当锁紧件处于第一位置时，夹紧件保持夹紧针脚的状态；当锁紧件处于第二位置时，夹紧件松开针脚，针脚可以由夹紧件上取下。采用上述结构形式，防止插拔针脚的过程中，因插拔操作不当造成针脚弯折等损坏，并且可以防止针脚划伤器件表面。
针脚组件连接装置及其使用方法

[发明专利]铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片-CN202110608346.X在审
发明人：李雪;刘大福;顾溢;孙夺 -专利权人： 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷线列探测器包括铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷光敏芯片包括至少两行数量相等的像元；各行像元中相同序位的所述像元在列轴方向对齐；沿所述列轴方向的相邻两个像元之间的中心距不小于沿行轴方向上相邻两个像元之间的中心距。本发明通过合理地设置多行线列像元以及其间的距离，可以实现快速精确地扫描，以及对检测对象进行快速复验，从而显著地提高了短波红外检测的效率及准确性。
铟镓砷线列探测器基于检测方法铟镓砷光敏芯片

[发明专利]红外探测器及其制备方法-CN202110476635.9在审
发明人：顾溢;孙夺;刘大福;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器及其制备方法，该红外探测器包括依次生长在InP衬底上的第一接触层、倍增层、电荷层、第一吸收层、第二接触层、第三接触层、第二吸收层和第四接触层。第一接触层为p+InP；倍增层为不掺杂InP；电荷层为n型InP；第一吸收层为不掺杂In0.53Ga0.47As；第二接触层为n+InP；第三接触层为n+In0.53Ga0.47As；第二吸收层包括势垒层和n型InAs量子点层；势垒层为不掺杂In0.53Ga0.47As；第四接触层为n+In0.53Ga0.47As。
红外探测器及其制备方法

[实用新型]用于短波红外探测器管壳的支撑工装及打标装置-CN202023335593.7有效
发明人：王镇;刘大福 -专利权人： 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于短波红外探测器管壳的支撑工装及打标装置。其所述用于短波红外探测器管壳的支撑工装包括有定位部和主体部，所述主体部的顶部设置有限位槽，所述限位槽的形状与短波红外探测器管壳的底部形状相匹配，所述用于短波红外探测器管壳的支撑工装通过所述定位部可拆卸连接于打标平台。本短波红外探测器管壳的支撑工装及打标装置实现了打标时短波红外探测器管壳和激光打标机之间的精确定位，降低了由于摆放不到位导致对打标过程的影响，减少了打标过程的准备时间，大大提高了位置校正效率，且结构简单，方便加工和使用。
用于短波红外探测器管壳支撑工装装置

[实用新型]红外探测器的封装杜瓦结构-CN202023286218.8有效
发明人：刘桂源;刘大福 -专利权人： 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： F17C13/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种红外探测器的封装杜瓦结构，所述红外探测器的封装杜瓦结构包括有：液氮存储罐；杜瓦壳体，所述液氮存储罐置于所述杜瓦壳体内，所述杜瓦壳体的内侧与所述液氮存储罐之间具有间隙；支撑架，所述支撑架连接于所述液氮存储罐的底部，所述支撑架包括支撑环，所述支撑环的外圈连接有沿其径向向外延伸出的若干个外支撑梁；其中，所述杜瓦壳体包括外壳底座，所述外壳底座为凹形壳体，所述外壳底座的侧壁具有与所述外支撑梁一一卡接固定的支撑槽，所述支撑环的外圈与所述外壳底座的侧壁之间具有间隙，这样的支撑结构有效降低了液氮杜瓦在使用过程中的液氮添加次数，利于降低对杜瓦的维护保养成本。
红外探测器封装结构

[实用新型]扩展波长的InGaAs红外探测器-CN202023288750.3有效
发明人：孙炳蔚;顾溢;刘大福 -专利权人： 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种扩展波长的InGaAs红外探测器，包括依次生长在InP衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、吸收层和盖层；所述第一缓冲层为InAsyP(1‑y)，其中0y0.68；所述第二缓冲层为InAs0.68P0.32；所述吸收层为In0.82Ga0.18As；所述盖层为InAs0.68P0.32。本实用新型的扩展波长InGaAs红外探测器可以降低InGaAs吸收层中的缺陷密度，有效抑制失配位错，提高量子效率，从而保证了器件性能。
扩展波长 ingaas 红外探测器

[实用新型]一种液氮杜瓦内胆支撑环及包含其的液氮杜瓦-CN202023343381.3有效
发明人：余利泉;刘大福 -专利权人： 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： F17C3/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种液氮杜瓦内胆支撑环，其包括有内胆支撑部、罐体支撑部和隔热部，所述内胆支撑部贴合于液氮杜瓦内的内胆的外侧表面。所述罐体支撑部支撑于液氮杜瓦的罐体的内侧表面，所述内胆支撑部和所述罐体支撑部之间具有间隙。所述隔热部设在所述内胆支撑部和所述罐体支撑部之间，所述隔热部通过第一连接部连接所述内胆支撑部，所述隔热部通过第二连接部连接所述罐体支撑部，所述第一连接部和所述第二连接部交错设置。热量需要依次经过第一连接部，隔热部，第二连接部才能传导出去，延长的热量传递的距离，热量更不容易通过支撑环传导，降低了漏热缺陷。
一种液氮内胆支撑包含

[实用新型]光敏芯片测试基板装置-CN202023353046.1有效
发明人：孙夺;刘大福 -专利权人： 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光敏芯片测试基板装置包括：基板本体；保护壳和可透光的窗口片，保护壳的一端可拆卸地固定于基板本体的端面上，并在基板本体上围合成一个用于容置光敏芯片的保护腔，保护壳上远离基板本体的一端具有一窗口，窗口片的四周固定于窗口；及一一对应设置的键压电极和延伸电极，键压电极固定于基板本体的端面，延伸电极的一端与键压电极电性连接，且延伸电极的另一端用于和光敏芯片电性连接，延伸电极与保护壳绝缘设置。首先通过基板本体上的保护壳将光敏芯片完整覆盖，避免测试过程中光敏芯片产生物理损伤。再者，通过螺钉及限位插片的组合，保护壳与基板本体实现可拆卸连接，具有良好的可操作性和重复使用性。
光敏芯片测试装置

[发明专利]台面型铟镓砷探测器芯片及其制备方法-CN202011055651.2有效
发明人：庄春泉;刘大福;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器芯片及其制备方法，制备方法包括氮化硅钝化膜的生长步骤；所述氮化硅钝化膜的生长步骤包括：在铟镓砷外延片上采用PECVD法生长两叠层的氮化硅钝化膜，其中，底层氮化硅钝化膜包括致密结构的呈压应力的Si3N4膜，底层氮化硅钝化膜的厚度范围为100nm～200nm，顶层氮化硅钝化膜包括疏松结构的呈拉应力的SiNx膜，所述顶层氮化硅钝化膜的厚度范围为200nm～400nm。本发明采用低应力、致密的氮化硅薄膜钝化方式，控制了探测器芯片的翘曲度；而且提升了钝化效果；钝化膜生长过程中未对外延材料的表面和侧面附近造成大的损伤，从而使得探测器的表面和侧面暗电流得到抑制。
台面型铟镓砷探测器芯片及其制备方法

[发明专利]用于功率器件的深低温控温系统-CN202011060241.7有效
发明人：刘大福;李雪 -专利权人： 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于功率器件的深低温控温系统，包括：储液罐，存储适用于不同的温区的多种冷却液中的至少一种；气体供应模块，与储液罐连接，并且向储液罐内提供不同压强的压缩气体，以挤出储液罐内的冷却液；流体管路，与储液罐连接，并且根据不同的流动速率将从储液罐中挤出的冷却液流动至热负载，以对热负载进行制冷，冷却液在流体管路中的流动速率与气体供应模块提供的压缩气体的压强相关联；控制模块，分别与气体供应模块及热负载通信连接，并且根据获取到的热负载的加热功率控制气体供应模块向储液罐内提供的压缩气体的压强，以控制流体管路内流动的冷却液的流动速率。本发明通过气压挤出不同种类的冷却液对热负载进行冷却。
用于功率器件温控系统

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