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- [发明专利]换热器的清洗方法-CN201110415785.5无效
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孙建荣;顾豪杰;张晓春
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无锡中彩科技有限公司
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2011-12-14
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2012-06-27
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F28G9/00
- 本发明涉及一种换热器的清洗方法,包括以下工艺步骤:(1)分别称取硝酸、盐酸、柠檬酸与混合,得到酸液;分别称取氢氧化钾和氟化铵,与水混合,得到碱液;(2)将酸液通过循环泵打入加热器内进行充分清洗,清洗温度为40~50℃,清洗时间为30~40分钟,酸液的循环流量为4~6m3/小时;清洗后排出酸液;再将碱液通过循环泵打入加热器内,充分清洗,清洗温度为50~60℃,清洗时间为1~2小时,碱液的循环流量为4~6m3/小时;排出碱液后,采用清水进行洗刷。本发明既能与结垢发生反应且酸度不足以与加热器内壁发生反应,避免设备被破坏;既能与部分结垢发生反应且能与之前与酸反应后产生的盐再次反应,加速除垢。
- 换热器清洗方法
- [实用新型]硅芯炉-CN201120171152.X无效
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周大荣
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无锡中彩科技有限公司
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2011-05-26
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2011-12-28
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C30B28/08
- 本实用新型涉及一种硅芯炉,包括硅芯炉炉体,在硅芯炉炉体内部安装有与电源连接的感应加热线圈;特征是:在所述感应加热线圈上设有多个硅芯拉制孔;在所述硅芯炉炉体的底部通过轴承安装有下轴,在下轴上安装料座,所述料座可在下轴的带动下作旋转运动和上下运动。所述感应加热线圈的结构是,包括一个中心孔,在中心孔周围沿圆周均匀设置有5~6个硅芯拉制孔。在所述硅芯炉炉体的上端设置有可穿过硅芯拉制孔的提拉杆,所述提拉杆与滑杆连接,滑杆设置在滑槽内,且可沿滑槽上下运动。在所述提拉杆的下端部设有可与硅芯拉制孔配合使用的用于抓卸硅芯的硅芯爪。本实用新型提高了单台硅芯炉的产量,从单次产量1根提至5根,提高工作效率、降低工作量。
- 硅芯炉
- [发明专利]硅芯腐蚀工艺-CN201110137823.5无效
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周大荣
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无锡中彩科技有限公司
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2011-05-26
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2011-10-05
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C23F1/40
- 本发明涉及一种硅芯腐蚀工艺,特征是,包括以下工艺步骤:(1)将硅芯浸泡于碱溶液中浸泡10~20分钟,在浸泡时加入质量百分浓度为0.5~1%的双氧水,碱溶液的温度为50~60℃;(2)一级漂洗:将硅芯放入纯水中漂洗5~10分钟以去除碱溶液;(3)中和:将经一级漂洗后的硅芯放入氢氟酸溶液中浸泡以中和残余的碱溶液;(4)二级漂洗:将经中和处理后的硅芯置于纯水中漂洗5~10分钟以去除氢氟酸溶液;(5)洁净:将经二级漂洗后的硅芯放入用蒸汽加热的纯水中浸泡30~50分钟;(6)烘干:将硅芯置于烘箱中烘干。本发明的优点是:本发明所述方法的成本只有酸腐蚀的一半,且腐蚀液可反复使用;不会产生氮化物污染环境,且对人体不会造成危害。
- 腐蚀工艺
- [实用新型]氯硅烷气相分析操作台-CN201020236493.6无效
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周大荣
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无锡中彩科技有限公司
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2010-06-24
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2011-03-23
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G01N33/00
- 本实用新型涉及一种氯硅烷气相分析操作台,包括低温干燥柜,所述低温干燥柜包括三面聚丙烯侧板、一面玻璃侧板和聚丙烯顶板,所述玻璃板可相对三面聚丙烯侧板上下移动;特征是:在所述低温干燥柜的顶部设置万向抽风罩,在低温干燥柜的聚丙烯侧板上设有气管,气管一端与低温干燥柜内侧的气枪连接,气管的另一端与气瓶连接。在所述聚丙烯侧板的内侧面设有若干个挂钩。本实用新型的优点:1、低温干燥柜可以减少低沸点氯硅烷类组分挥发;2、低温干燥柜可以减少氯硅烷与空气中水分反应水解生成二氧化硅堵住针头与针筒;3、气枪可以用干燥气体吹针,保证溶剂迅速挥发,针筒畅通干燥,减少针具的损耗,节省干燥针具时间,提高使用效率。
- 硅烷分析操作台
- [实用新型]干法尾气回收吸收液提纯系统-CN201020236539.4无效
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周大荣
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无锡中彩科技有限公司
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2010-06-24
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2011-02-16
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C02F1/20
- 本实用新型涉及一种干法尾气回收吸收液提纯系统,特征是:包括贫富液换热器和脱吸塔,在所述贫富液换热器的上端设有冷富液进口和贫液出口,在所述贫富液换热器的下端设有富液出口和热贫液进口,在所述脱吸塔的上端设有富液进口和解吸气出口,在脱吸塔的下端设有热贫液出口,贫富液换热器下端的富液出口采用管道与脱吸塔上端的富液进口连接,脱吸塔下端的热贫液出口与屏蔽泵连接后与贫富液换热器下端的热贫液进口连接。所述解吸气出口利用管道与冷凝回流塔利用管道连接。在所述冷凝回流塔上设有不凝汽出口。本实用新型可以提高贫液在脱吸塔中对尾气的脱吸效果;同时降低操作压力,减少动力消耗,操作更安全。
- 尾气回收吸收提纯系统
- [实用新型]防腐蚀多晶硅还原炉-CN201020236510.6无效
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周大荣
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无锡中彩科技有限公司
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2010-06-24
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2011-02-16
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C01B33/03
- 本实用新型涉及一种防腐蚀多晶硅还原炉,包括设置在底座上的还原炉壳体,所述还原炉壳体包括外壳体和内壳体,外壳体和内壳体之间存在空隙;在外壳体的顶部设有冷却水出口,外壳体的下端设有冷却水进口;在还原炉壳体的底部设有进气管和出气管;特征是:在所述内壳体的内表面均匀涂覆有碳化硅涂层。本实用新型通过在多晶硅还原炉内壁附着结合牢固、均匀致密的碳化硅(SiC)层,达到降低多晶硅还原炉内壁的腐蚀,并提高多晶硅产品的质量的目的。
- 腐蚀多晶还原
- [实用新型]西门子法制备多晶硅还原尾气回收系统-CN201020236525.2无效
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周大荣
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无锡中彩科技有限公司
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2010-06-24
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2011-02-16
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C01B33/03
- 本实用新型涉及一种“西门子”法制备多晶硅还原尾气回收系统,特征是:在尾气-淋洗气热交换器上设有尾气入口、尾气出口、尾液出口、冷却气入口和冷却气出口;在鼓泡淋洗塔的上端设有淋洗液入口、淋洗尾气入口、冷却尾气出口和淋洗液出口;尾气入口与尾气储罐连接,尾气出口与淋洗尾气入口连接,冷却气入口与冷却尾气出口连接,冷却气出口与氢压机连接,氢压机与压缩气-吸收气热交换器顶部的气体入口连接,尾液出口、淋洗液出口和压缩气-吸收气热交换器底部的液体出口与氯硅烷储罐连接,氯硅烷储罐与氯硅烷屏蔽泵连接,氯硅烷屏蔽泵与氯硅烷过冷器液体入口连接,氯硅烷过冷器液体出口利用管道与淋洗液入口连接。本实用新型实现了低成本、低能耗、高效率。
- 西门子法制多晶还原尾气回收系统
- [发明专利]硅芯洁净工艺-CN200910182705.9无效
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周大荣;王军;高欢
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无锡中彩科技有限公司
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2009-09-03
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2010-03-03
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C30B33/12
- 硅芯洁净工艺,本发明涉及多晶硅的加工工艺,具体地说是一种洁净硅芯的方法。按照本发明提供的技术方案,硅芯洁净工艺包括:a.硅芯预处理:先用无水乙醇擦去硅芯表面的杂质,再用丙酮擦去硅芯表面的油污;然后再把硅芯放在超声波清洗仪器中进行超声波清洗;真空干燥;b.洁净:将清洁的硅芯置于密闭的反应容器内,在300~320℃的温度下发生如下反应:Si+3HCl→SiHCl3+H2;在上述反应过程中,将氢气和氯化氢的混合气体通入反应容器内;c.尾气重复利用:反应产物三氯化氢和氢气为制备多晶硅的原材料,反应产物通过反应容器内的进出气管回气,通过管道进入还原工段。本发明反应产物可以完全回收,因此实现了氮化物的零排放,改善了环境。
- 洁净工艺
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