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[发明专利]生产多晶硅的控制方法及控制系统-CN202210759614.2有效
发明人：吕海花;李大伟;李伟;邵雅雅;王旭;张福川 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的生产多晶硅的控制方法及控制系统，该方法包括以下步骤：将三氯氢硅原料、氢气通入还原炉内，进行氢还原反应，生成多晶硅，三氯氢硅原料为含有二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料，其中，在硅棒的不同预设的生长阶段，向还原炉内通入具有不同预设含量二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料，控制硅棒上的多晶硅沉积速度、雾化现象。本发明通过研究还原炉内的硅棒在不同生长阶段的运行特点，在不同的生长阶段通入含有不同预设含量二氯二氢硅和四氯化硅的三氯氢硅原料，与氢气发生氢还原反应，以达到还原炉全程高速生产的目的，既提高多晶硅的沉积速度，避免硅棒生长较脆，容易倒炉；又能保证多晶硅外观质量，减少雾化现象。
生产多晶控制方法控制系统

[实用新型]冷氢化中氯硅烷的回收装置-CN202321717279.6有效
发明人：李瑞刚;刘丹丹;刘建海;刘佳;侯素娟;蔡云和;王东;王燕飞 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01D36/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种冷氢化中氯硅烷的回收装置，包括：除渣装置，除渣装置包括第一搅拌罐、第一干燥机、过滤器与缓冲罐，第一搅拌罐的出渣口设置于第一搅拌罐的底部，第一搅拌罐的出液口设置于第一搅拌罐的顶部，出渣口与第一干燥机的进料口连通，出液口与过滤器的进料口连通；过滤器的出渣口与第一搅拌罐的进料口连通，过滤器的出液口与缓冲罐连通，第一干燥机的第一出料口与缓冲罐连通，第一干燥机的第二出料口用于出渣；缓冲罐与分离塔的进料口连通，分离塔的顶部出口与脱轻塔的进料口连通，分离塔的塔釜出口与第二搅拌罐连通；第二搅拌罐的出渣口与第二干燥机的进料口连通。回收装置可以回收氯硅烷，减少氯硅烷的浪费。
氢化硅烷回收装置

[发明专利]一种制备三氯氢硅的装置及方法-CN202310802961.3在审
发明人：齐元红;赵鹏;相文强;李新婷;关鹏羽;刘建海;王伟;刘兴平 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制备三氯氢硅的装置及方法，所述装置包括：三氯氢硅合成系统、干法除尘系统、湿法除尘系统、脱重提纯系统和渣浆处理系统；所述三氯氢硅合成系统包括三氯氢硅反应器；所述干法除尘系统中包括旋风分离器；所述湿法除尘系统中包括淋洗塔、再沸器、换热器和第一冷凝器；所述脱重提纯系统中包括脱重塔和碳吸附塔。本发明的装置结合了整个多晶硅行业的气力输送硅粉方式，将利用换热器冷凝混合气作为淋洗的液相的节能技术、三氯氢硅和四氯氢硅组分双向采出的节能手段、渣浆浓缩回收的技术相结合，达到整个系统的有效资源整合，充分地实现低能耗、循环再利用的技术效果，打造出一套可以自行运行，自我补偿的高纯三氯氢硅生产系统。
一种制备三氯氢硅装置方法

[发明专利]络合剂、制备方法和三氯氢硅的除杂方法-CN202310901407.0在审
发明人：刘兴平;葛远升;吕学谦;闵中龙;曹红霞 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C07C323/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种络合剂、制备方法和三氯氢硅的除杂方法，所述络合剂的结构式为结构式(1)。在除杂过程中，向三氯氢硅中加入络合剂，使得络合剂与金属杂质进行络合，络合剂与金属杂质形成化学性质稳定的络合物，可以形成含有不挥发的金属络合物的混合体系，可以再通过精馏分离提纯三氯氢硅。络合剂与金属的选择性更高，结合能力更强，不会引入新的金属污染，可以高效去除三氯氢硅中的金属杂质，处理后的三氯氢硅纯度高，处理工艺简单，易于操作。
络合制备方法三氯氢硅

[实用新型]三氯氢硅提纯装置-CN202321556527.3有效
发明人：杨昊;刘兴平;苏国良;黄金锋;潘从伟;徐迪 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开一种三氯氢硅提纯装置，包括：一级精馏塔，一级精馏塔的塔底具有第一底出口与第一底进口，一级精馏塔的顶部具有第一顶出口和回流口；第一再沸器的进料口与第一底出口连通，第一再沸器的出料口与第一底进口连通；二级精馏塔的塔底具有第二底出口与第二底进口，二级精馏塔的顶部具有第二顶出口；第二再沸器的进料口与第二底出口连通，第二再沸器的出料口与第二底进口连通；热泵装置的进口与第一顶出口连通，热泵装置的出口与第二再沸器的流体进口连通；吸附装置的进口与第二再沸器的流体出口连通，吸附装置的出口与二级精馏塔的进料口连通。通过提纯装置可以降低能耗，有效提高三氯氢硅的纯度。
三氯氢硅提纯装置

[发明专利]精馏塔实时控制方法、装置、电子设备及可读存储介质-CN202310756115.2在审
发明人：徐迪;苏国良;黄金锋;潘从伟;杨昊;高霞 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B01D3/32 文献下载
摘要：本申请实施例提供的一种精馏塔实时控制方法、装置、电子设备及可读存储介质，通过获取所述精馏塔当前时刻的特征变量；将所述精馏塔当前时刻的特征变量输入至目标软测量模型中，得到所述精馏塔当前时刻的第一目标变量预估值；计算所述第一目标变量预估值和目标变量预设值之间的目标变化值；根据所述目标变化值，调整所述精馏塔的调节阀的开度。这样，可以通过目标软测量模型，得到第一目标变量预估值，根据第一目标变量预估值与目标变量预设值来调整精馏塔输入，避免了需要对精馏塔的产品中某一物质的含量占比进行检测所需的时间，从而提高对精馏塔的调节阀进行调整的及时性。
精馏塔实时控制方法装置电子设备可读存储介质

[发明专利]一种三氯氢硅的制备方法-CN202310955390.7在审
发明人：齐元红;刘兴平;侯雨;刘丹丹;相文强;赵鹏;王伟;侯素娟 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种三氯氢硅的制备方法，所述方法为：氯化氢气体和硅粉不间断加入到流化床反应器中进行反应，其中氯化氢气体的流量在400～750标方/h内、硅粉的进料量在19～290kg/h内进行调控，获得一组使床层压差稳定的氯化氢气体流量和硅粉进料量，在反应过程中保持氯化氢气体的流量和硅粉的进料量不变；在反应过程调控冷却水通水量使得反应温度维持在340～350℃之间，调控完成后在反应过程中保持冷却水通水量不变。本发明中提供的制备方法能够实现在恒定温度、恒定床层压差下生产三氯氢硅，相较现有技术中采用的集中供料、间断降温的生产方法，能够有效减少副产、提升三氯氢硅的转化率。
一种三氯氢硅制备方法

[发明专利]一种多晶硅还原炉壁面喷涂控制方法和系统-CN202211338710.6有效
发明人：陈肖华;冯留建;银波;刘兴平;吴万里;刘浩;周克虎 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B05B13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅还原炉壁面喷涂控制方法和系统，该方法包括：应用于喷涂控制系统，喷涂控制系统包括：机械臂装置、升降装置、控制装置和喷枪结构；控制装置用于：向机械臂装置发送第一控制信号，控制喷枪结构与还原炉内壁的第一区域之间保持第一状态；向升降装置发送第二控制信号，控制升降装置在第一方向上滑动，联动机械臂装置在第一方向运动，并控制喷枪结构与还原炉内壁的第二区域之间保持第一状态；在第一状态时，向喷枪结构发送第三控制信号，控制喷枪结构进行涂层喷涂；其中，第一方向为与喷涂系统的底面垂直的方向。本发明的方案解决了现有技术中存在的还原炉内壁喷涂旋转机构结构复杂、控制难度大问题。
一种多晶还原炉壁喷涂控制方法系统

[发明专利]一种设备内部的温度保护方法、装置、设备及系统-CN202310741662.3在审
发明人：陈肖华;王三跃;冯留建;刘浩;周克虎;马文丽 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种设备内部的温度保护方法、装置、设备及系统，该方法包括：接收至少两个温度传感器发送的温度数据；根据所述温度数据，确定目标调整策略，所述目标调整策略用于对密闭设备内部的温度进行降温；将所述目标调整策略发送给密闭设备内部的温度调整部件和/或工艺执行部件；其中，所述目标调整策略用于指示所述温度调整部件和/或所述工艺执行部件调整运行状态。本发明实施例的设备内部的温度保护方法，能够在密闭设备的内部空间的温度较高的情况下对密闭设备内部降温，解决了密闭设备因作业人员无法进入空间内，确定不了空间内温度的变化，无法及时排除温度升高带来的安全隐患的问题。
一种设备内部温度保护方法装置系统

[发明专利]多晶硅生产的行车控制方法和装置-CN202310735178.X在审
发明人：宋亚博;吕海花;漆源;孙浩浩;刘金龙;刘子琪;郑晓强 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B66C13/48 文献下载
摘要：本申请提供一种多晶硅生产的行车控制方法和装置，涉及多晶硅生产控制技术领域。该方法包括：接收还原炉炉筒清洗指令，还原炉炉筒清洗指令中至少携带有第一还原炉位置信息、第一还原炉型号信息和炉筒清洗位置信息；根据第一还原炉位置信息和第一还原炉型号信息，确定目标行车吊具的最优起吊路径；根据最优起吊路径和第一预设算法，确定还原炉炉筒的锁紧程度；根据第一还原炉位置信息、还原炉炉筒的锁紧程度和炉筒清洗位置信息，确定目标行车吊具的输送路径；根据输送路径，将还原炉炉筒输送至目标清洗位置。本申请的方案，通过多维度考虑，自动控制还原炉吊装，降低人工控制吊装还原炉的风险。
多晶生产行车控制方法装置

[发明专利]还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质-CN202310747055.8在审
发明人：张兆东;白芳;刘兴平;陈娜娜;王文;陈晨 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本申请实施例提供的一种还原炉控制方法、装置、电子设备及可读存储介质。通过根据还原炉当前时刻的雾化检测值和预设雾化阈值，确定还原炉当前时刻的雾化状态；根据还原炉当前时刻的雾化状态，确定还原炉的目标雾化控制程序，目标雾化控制程序用于调整输入还原炉的氯硅烷流量、氢气流量和电流值。这样，根据还原炉当前时刻的雾化状态来调整输入还原炉的氯硅烷流量、氢气流量和电流值，相比在不知道还原炉当前的雾化状态，为了降低缺相的概率而降低雾化程度，进而一味地降低输入还原炉的氯硅烷流量、氢气流量和电流值，有了更为准确的调整依据，可以在保证还原炉转化多晶硅效率的情况下，减少雾化程度，从而达到降低还原炉缺相的概率。
还原控制方法装置电子设备可读存储介质

[发明专利]水滑石吸附剂及其制备方法、在氯硅烷除杂中的应用-CN202310939934.0在审
发明人：达伟民;苏国良;刘兴平;周立坤;马宇洁;杨昊;徐迪;王迪 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B01J20/04 文献下载
摘要：本发明提供水滑石吸附剂及其制备方法、在氯硅烷除杂中的应用，其中所述制备方法包括：S1分别配制金属盐溶液和第一碱溶液；S2合成镁锌铝水滑石；S3合成镁锌铝复合金属氧化物；S4合成水滑石吸附剂。本发明中通过成核/晶化隔离法先制备了一种镁锌铝三元水滑石，再通过焙烧‑水合复原的方法得到了比表面积大、稳定性好、pH应用范围广泛、布朗斯台德碱性位点丰富的水合复原镁锌铝水滑石，将其应用于氯硅烷吸附除杂的反应中，能够实现对硼、磷杂质的有效去除。本发明提供了一种水滑石吸附剂的制备方法，并且扩展了水滑石吸附剂的在氯硅烷领域的应用。
滑石吸附剂及其制备方法硅烷中的应用

[发明专利]提高汉虹95型单晶炉投炉量的方法及汉虹95型单晶炉-CN202210032474.9在审
发明人：李立峰;曹森;骆新龙;陈小龙;巴剑锋;石志强 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种提高汉虹95型单晶炉投炉量的方法及汉虹95型单晶炉，方法包括：将石墨坩埚的直壁高度增加至428mm，将石英坩埚的直壁高度增加至430mm，将石墨坩埚下限位下调30mm，将导流筒加长至412.5mm；将单晶棒开始拉制的速度设为0.68mm/h，每拉制300‑500mm，拉制速度下调4.5％‑7.4％。本发明能够在现有石墨热场尺寸下，提高汉虹95型单晶炉的投炉量，从而大大降低投入成本。
提高 95 型单晶炉投炉量方法型单晶炉

[实用新型]一种针对固体粉料下料的盘阀-CN202320194333.7有效
发明人：时长伟;俞清华;王金勇;高攀;王岩;戚海龙;杜斌 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： F16K3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种针对固体粉料下料的盘阀，包括：阀体、阀盘、执行机构、驱动机构和吹扫装置；其中，所述阀体的内部具有一腔室，所述阀盘设置于所述腔室中，所述阀盘可导通或封堵所述腔室；所述执行机构可带动所述阀盘移动，所述阀盘移动可导通或封堵所述腔室。所述吹扫装置包括：吹扫管、第一控制阀控制部和触发装置；其中，所述吹扫管设置在所述阀体上且至少有一部分伸入所述腔室，所述第一控制阀设置在所述吹扫管上。本实用新型中的吹扫管只在阀盘开关的过程中进行吹扫，一方面可以有效避免硅粉进入阀腔，避免阀门卡涩；另一方面比一直吹扫或者定期吹扫节约了吹扫气，还能减少硅粉对阀腔的冲刷。
一种针对固体粉料下料

[发明专利]多晶硅生产中尾气处理方法及系统-CN202010025944.X有效
发明人：李万存;冯茹涛;吴友成;王正云;李军;刘兴平 -专利权人： 新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B01D50/60 文献下载
摘要：本公开提供一种多晶硅生产中尾气处理方法及系统，其中，所述方法包括：将待处理混合气通入第一分离装置，得到第一处理混合气及硅粉固渣；将所述硅粉固渣排放至残渣处理装置；将所述第一处理混合气通入急冷塔，得到第一氯硅烷气体及含有杂质的氯硅烷残液；收集所述第一氯硅烷气体，将其冷凝为第一液相氯硅烷后输送至所述第一分离装置；将所述氯硅烷残液通入第二分离装置，在所述第二分离装置中对所述氯硅烷残液进行固液分离，得到氯硅烷清液和硅粉浑浊液；将所述氯硅烷清液输送至急冷塔；将所述硅粉浑浊液排放至残渣处理装置。本公开实施例至少可以解决相关技术中氯硅烷的固含量过高所导致的管道及设备运行周期缩短、维修成本过高等问题。
多晶生产尾气处理方法系统

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