|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 29个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]基于电阻器的配置系统-CN201880018795.5有效
-
T.M.纽林
-
斯兰纳亚洲有限公司
-
2018-03-07
-
2023-09-05
-
H03M1/10
- 一种用于获得数字代码的配置电路包括控制器电路，所述控制器电路生成多个多位控制字。数字地控制的电流源电路接收由所述控制器电路生成的多位控制字。所述数字地控制的电流源电路生成输出电流，根据预定输出曲线，所述输出电流对应于所述多位控制字。测试电压节点接收所述输出电流，并且测试电压响应于所述输出电流而形成。参考电压节点形成参考电压，所述参考电压的电平独立于所述多位控制字。电压比较电路(i)接收所述测试电压和所述参考电压，(ii)将所述两个电压进行比较以产生比较结果，以及(iii)将所述比较结果发送到所述控制器电路。所述数字代码由所述配置电路使用所述比较结果和所述多位控制字获得。
- 基于电阻器配置系统
- [发明专利]具有电压感测的超高电压电阻器-CN202180057019.8在审
-
W·C·林;R·H·曾;S·L·涂
-
斯兰纳亚洲有限公司
-
2021-07-29
-
2023-05-05
-
H01L29/78
- 一种半导体装置包括：作用区域；LOCOS区域，所述LOCOS区域形成在所述作用区域内并在所述作用区域的顶部表面上方垂直延伸；栅极区域，所述栅极区域形成在所述作用区域的所述顶部表面上方；以及多晶硅电阻器，所述多晶硅电阻器的底部表面从所述LOCOS区域的顶部表面垂直偏移并与所述顶部表面物理隔离。所述作用区域包括从所述栅极区域横向设置的源极区域、从所述栅极区域横向设置的漏极区域和横向设置在所述栅极区域与所述漏极区域之间的漂移区域。所述多晶硅电阻器形成在所述漂移区域上方。所述作用区域还包括第一电荷平衡区域，所述第一电荷平衡区域在所述作用区域中形成在所述漂移区域下方。
- 具有电压超高电阻器
- [发明专利]LDMOS架构及形成方法-CN202180035673.9在审
-
D.斯奈德;S.L.屠
-
斯兰纳亚洲有限公司
-
2021-05-05
-
2023-01-13
-
H01L29/66
- 一种用于形成半导体装置的方法涉及提供半导体晶片，所述半导体晶片具有第一导电性类型的作用层。在所述作用层上形成具有第一及第二栅极多晶硅的第一及第二栅极。在所述作用层上形成第一掩模区域。使用所述第一掩模区域、所述第一栅极多晶硅及所述第二栅极多晶硅作为掩模，在所述第一栅极与所述第二栅极之间形成第二导电性类型的深阱、所述第二导电性类型的浅阱、所述第一导电性类型的源极区域以及所述第二导电性类型的第一及第二沟道区域。使用一个或多个第二掩模区域，在所述作用层中形成所述第一导电性类型的第一及第二漂移区域、所述第一导电性类型的第一及第二漏极区域以及所述第二导电性类型的源极连接区域。
- ldmos架构形成方法
- [发明专利]最小脉冲宽度保证-CN201780077945.5有效
-
B.S.阿贝特
-
斯兰纳亚洲有限公司
-
2017-12-15
-
2022-11-08
-
H03K5/156
- 公开了涉及脉冲信号的各种方法和装置。示例性最小脉冲宽度(MPW)电路包括第一逻辑电路和第二逻辑电路。所述第一逻辑电路的第一输入连接到所述MPW电路的输入。所述第二逻辑电路的第一输入通信地耦接到所述第一逻辑电路的输出。所述MPW电路还包括：MPW滤波电路，所述MPW滤波电路通信地耦接到所述第二逻辑电路的输出；单触发电路，所述单触发电路通信地耦接到所述最小脉冲宽度滤波电路的输出并位于第一反馈路径上；以及另一单触发电路，所述另一单触发电路通信地耦接到所述最小脉冲宽度滤波电路的所述输出并位于第二反馈路径上。所述第一逻辑电路的第二输入在所述第一反馈路径上。所述第二逻辑电路的第二输入在所述第二反馈路径上。
- 最小脉冲宽度保证
- [发明专利]自动调谐的同步整流器控制器-CN202180017915.1在审
-
A.拉迪克
-
斯兰纳亚洲有限公司
-
2021-02-26
-
2022-10-18
-
H02M3/335
- 一种设备包括高通滤波器电路，所述高通滤波器电路被配置来从在功率转换器的次级侧处的同步整流器开关的漏极节点接收漏极‑源极电压，并且使用所接收漏极‑源极电压来生成经滤波漏极‑源极电压。所述设备的电流比较电路被配置来接收指示流过所述同步整流器开关的电流的电流，并且使用所接收电流来生成电流比较信号。所述设备的自动调谐控制器被配置来在确定所述同步整流器开关的体二极管导通时接通所述同步整流器开关，在确定流过所述同步整流器开关的所述电流已改变方向时开始自动调谐的延迟，在所述自动调谐的延迟到期时关断所述同步整流器开关，并且在检测时间窗口期间基于所述经滤波漏极‑源极电压来更新所述自动调谐的延迟的持续时间。
- 自动调谐同步整流器控制器
- [发明专利]具有接触的深阱区域的晶体管-CN201680029687.9有效
-
G.伊姆特恩
-
斯兰纳亚洲有限公司
-
2016-05-31
-
2022-04-19
-
H01L21/225
- 公开了涉及主体接触式晶体管的各种方法和设备。一种示例性方法包括在半导体晶片的平坦表面上形成栅极。所述栅极覆盖具有第一导电类型的沟道，所述第一导电类型与第二导电类型相反。所述方法还包括：使用所述栅极遮蔽主体掺杂剂剂量，在所述栅极的源极侧上植入所述主体掺杂剂剂量。所述主体掺杂剂剂量扩散到所述沟道下方以形成深阱。所述主体掺杂剂剂量具有所述第一导电类型。所述方法还包括：在植入所述主体掺杂剂剂量之后，在所述栅极的所述源极侧上植入源极掺杂剂剂量以形成源极。所述方法还包括形成源极接触件，所述源极接触件在所述半导体晶片的所述平坦表面处与所述深阱接触。
- 具有接触区域晶体管
- [发明专利]高速闭环开关模式升压转换器-CN202110822957.4在审
-
S.E.罗森鲍姆;S.B.莫林
-
斯兰纳亚洲有限公司
-
2021-07-21
-
2022-01-25
-
H02M3/157
- 一种闭环开关模式升压转换器包括开关信号发生器电路、开关模式升压放大器、滤波器电路和误差放大器电路。所述开关信号发生器电路接收输入信号并且输出开关信号。所述开关信号的占空比与所述输入信号的振幅具有第一非线性关系。所述开关模式升压放大器接收所述开关信号并且产生输出信号。所述输出信号的振幅与所述开关信号的所述占空比具有第二非线性关系，并且基于所述第一非线性关系和所述第二非线性关系，所述输出信号与所述输入信号具有线性关系。所述滤波器电路接收所述输出信号并且输出经滤波的输出信号。所述误差放大器电路接收所述输入信号和所述经滤波的输出信号，并且产生反馈控制信号。基于反馈控制信号调整所述经滤波的输出信号。
- 高速闭环开关模式升压转换器
- [发明专利]具有自举电路的有源箝位-CN202080031871.3在审
-
R.H.曾
-
斯兰纳亚洲有限公司
-
2020-04-20
-
2021-12-07
-
H02M1/08
- 一种用于具有变压器的电力转换器的有源箝位电路包括：开关，所述开关具有漏极节点、栅极节点和源极节点，所述漏极节点被配置为连接到所述变压器的一次绕组的第一端子；电容器，所述电容器具有连接到所述源极节点的第一端子，以及连接到所述一次绕组的第二端子的第二端子；栅极驱动器，所述栅极驱动器耦合到所述栅极节点以控制所述开关并且具有高侧输入节点和低侧输入节点，所述低侧输入节点耦合到所述电容器的所述第一端子；以及电压调节器，所述电压调节器用于：i)从所述电容器的所述第二端子接收输入电压，以及ii)使用所述输入电压将经调节的电压提供到所述高侧输入节点并且具有足以用于控制所述开关的电压电平。
- 具有电路有源箝位
- [发明专利]准谐振自动调谐控制器-CN202080027999.2在审
-
A.拉迪克
-
斯兰纳亚洲有限公司
-
2020-04-07
-
2021-11-19
-
H02M3/335
- 一种准谐振自动调谐控制器，包括零电压交叉检测电路和具有查找表的谷值调谐有限状态机。所述零电压交叉检测电路接收参考电压并且从辅助绕组接收辅助信号。所述零电压交叉检测电路产生比较信号，当所述辅助信号小于所述参考电压时，所述比较信号具有脉冲。所述谷值调谐有限状态机基于所述比较信号产生分频脉冲宽度，将每个脉冲的所述分频脉冲宽度存储在所述查找表中，根据所述比较信号确定所述辅助信号小于所述参考电压，在所述辅助信号小于所述参考电压的情况下等待对应于存储在所述查找表中的所述分频脉冲宽度的时间段，并且在等待所述时间段之后产生谷点信号。
- 谐振自动调谐控制器
- [发明专利]用于优化共栅共源放大器关闭的装置-CN202080007577.9在审
-
S.I.小霍奇
-
斯兰纳亚洲有限公司
-
2020-01-06
-
2021-08-13
-
H03F1/22
- 公开了一种用于关闭具有共栅晶体管和共源晶体管的共源共栅放大器的装置，所述装置包括所述共源共栅放大器、反馈电路和偏置电路。所述反馈电路被配置为当所述共源晶体管切换到第一关断状态时从所述共源晶体管的漏极接收漏极电压，并且产生第一反馈信号。所述漏极电压等于所述共栅晶体管的源极电压，并且响应于将所述共源晶体管切换到所述第一关断状态，所述漏极电压增加。所述偏置电路被配置为接收所述第一反馈信号并产生偏置电压。从所述偏置电压产生第一栅极电压。所述共源共栅放大器被配置为接收所述第一栅极电压和第二栅极电压。所述共栅晶体管被配置为响应于接收到所述第二栅极电压而切换到第二关断状态。
- 用于优化共栅共源放大器关闭装置
|
