专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种UV LED外延结构及其生长方法-CN201910866087.3有效
  • 李志聪;曹俊文;戴俊;王国宏 - 扬州中科半导体照明有限公司
  • 2019-09-09 - 2023-10-13 - H01L33/06
  • 一种UV LED外延结构及其生长方法,涉及LED外延生长技术领域和近紫外UV LED固化技术领域。先在衬底上外延生长缓冲层、非故意掺杂AlGaN层和n型掺杂AlGaN层,然后制作出多量子阱有源层的发光层第一、第二和第三生长区域,并在相应区域内外延生长发光量子阱和发光量子势垒,最后在外延结构上通过光刻工艺刻蚀掉多量子阱有源层第一和第二发光层上的绝缘介质掩膜层,再外延生长电子阻挡层和p型掺杂AlGaN层。本发明达到了在同一LED芯片上制造出三种不同波长的UV光源的目的,可减少UV光源数量和曝光工序,简化封装与应用的工艺制作流程,降低了产品失效率,提高功率密度,改善固化效果。
  • 一种uvled外延结构及其生长方法
  • [发明专利]基于光学检测的Mini LED晶圆外观缺陷检测方法-CN202211071775.9有效
  • 李志聪;戴俊;王恩平;张溢;王国宏;王倩 - 扬州中科半导体照明有限公司
  • 2022-09-02 - 2022-12-13 - G01N21/88
  • 本发明涉及光学检测技术领域,具体涉及基于光学检测的Mini LED晶圆外观缺陷检测方法。方法为:获取多光谱晶圆显微图像;获取多光谱晶圆显微图像中每个晶圆像素的光谱序列;获取多个正常晶圆像素的光谱序列,然后将所述每个晶圆像素的光谱序列与所述多个正常晶圆像素的光谱序列进行光谱匹配,得到晶圆网格表示图像;对所述晶圆网格表示图像进行分析,获取聚合缺陷比,并基于所述聚合缺陷比利用聚类算法获取缺陷簇;将所述缺陷簇与所述各类标准缺陷的晶圆簇进行匹配,获取所述缺陷簇的缺陷类型。本方法基于小尺寸方形窗口和聚合缺陷比来对缺陷像素进行密度聚类,可以有效获取不同缺陷类型的空间分布,实现对混合型外观缺陷的精确检测。
  • 基于光学检测miniled外观缺陷方法
  • [发明专利]一种LED芯片阵列膜的制作工艺-CN202011416870.9在审
  • 李志聪;王国宏;戴俊;王恩平 - 扬州中科半导体照明有限公司
  • 2020-12-07 - 2021-03-26 - H01L33/48
  • 本发明公开了一种LED芯片阵列膜的制作工艺,涉及LED技术领域,包括如下具体步骤:在水平放置的临时过渡用的柔性膜顶面上,将若干LED芯片按预先设计的排布规则排成阵列形式;在芯片阵列的四周制作一个将芯片阵列围绕在内的胶体框架;向胶体框架内注入液体胶状物,静置一段时间直至液体胶状物自然流平,然后对液体胶状物进行固化,使之形成平整的胶状薄膜;将带有芯片阵列的胶状薄膜与柔性膜分离并取走,得到所需的芯片阵列膜。本发明工艺简单,极大降低成本的同时,相较于传统的压膜工艺,避免了气泡现象的发生,有效提高良品率。
  • 一种led芯片阵列制作工艺
  • [发明专利]一种LED芯片阵列模组及其制作方法-CN202011416968.4在审
  • 戴俊;李志聪;王国宏;王恩平 - 扬州中科半导体照明有限公司
  • 2020-12-07 - 2021-03-26 - H01L33/58
  • 本发明公开了一种LED芯片阵列模组,包括基板,所述基板上阵列布设有若干LED芯片,形成LED芯片阵列,所述LED芯片阵列上方设置有透明胶状薄膜,透明胶状薄膜与LED芯片的出光面相接触,所述透明胶状薄膜上方设置有玻璃,玻璃上设置有微结构。本发明在玻璃上制作微结构实现对LED芯片出射的光进行散射,将光线均匀分布,且无需另加扩散膜即可以实现光线的均匀分布,简化了结构。本发明超薄的透明胶状薄膜与超薄玻璃配合可以实现超薄的模组厚度。玻璃既可以作为光线扩散的载体,同时也可以作为LED芯片阵列整个模组的支撑,增强LED芯片阵列模组的机械强度,同时玻璃的密封性极好,可以改善芯片阵列的密封性。
  • 一种led芯片阵列模组及其制作方法
  • [发明专利]一种LED芯片模组及其制造方法-CN202011116657.6在审
  • 李志聪;王国宏;戴俊;王恩平 - 扬州中科半导体照明有限公司
  • 2020-10-19 - 2021-02-26 - H01L33/58
  • 本发明公开一种LED芯片模组及其制造方法。该LED芯片模组包括若干LED芯片,若干LED芯片阵列排设形成LED芯片阵列,LED芯片的出光面朝上,所述LED芯片阵列上侧包覆有透明胶状薄膜,所述LED芯片的电极面由导电线路连接,所述透明胶状薄膜上端面还设置有若干不规则的微结构。本发明的LED芯片模组结构简单,制作工艺也简便,适应大面积的制作以及大规模生产。同时,在同名胶状薄膜上设置微结构,能提高光的发散角度,使得照明效果更好,微结构通过基材磨具进行了压覆,使得透明胶状薄膜厚度更薄,制造成本更低。
  • 一种led芯片模组及其制造方法
  • [发明专利]一种LED发光模组及其制造方法-CN202011117085.3在审
  • 李志聪;王国宏;戴俊;王恩平 - 扬州中科半导体照明有限公司
  • 2020-10-19 - 2021-01-22 - H01L33/62
  • 本发明公开一种LED发光模组,包括透明胶状薄膜,所述透明胶状薄膜上布设有若干LED芯片,若干LED芯片排设形成芯片阵列,芯片的出光面朝向透明胶状薄膜,所述LED芯片的电极面背向透明胶状薄膜,所述LED芯片嵌入所述透明胶状薄膜,所述LED芯片的电极面与所述透明胶状薄膜上靠近电极面的表面的距离不超过30微米,所述LED芯片的电极面通过导电材料连接于电路板。同时也公开制作该LED发光模组的方法。本发明将巨量转移工艺与成熟的PCB制作工艺融合,解决了传统PCB单颗固晶效率低良率差的问题。且此工艺对于PCB制作精度的要求比传统固晶工艺降低了,制作成本、工艺良率都会极大提高。
  • 一种led发光模组及其制造方法
  • [发明专利]一种大发光角度衬底的加工方法-CN202011058458.4在审
  • 李志聪;戴俊;王恩平;王国宏;吴杰 - 扬州中科半导体照明有限公司
  • 2020-09-30 - 2021-01-12 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种大发光角度衬底的加工方法,涉及LED光电子器件的制造技术领域,包括步骤为:准备已经制作好发光外延层结构及电极结构的衬底;在衬底背面蒸镀一层金属膜,并对金属膜进行高温快速退火获得微纳米尺度的球状金属颗粒,且球状金属颗粒随机分布于衬底背面表层;以球状金属颗粒组成的图案作为掩膜,对衬底背面进行刻蚀,衬底背面无球状金属颗粒覆盖的区域被刻蚀出凹坑,刻蚀结束后,利用硝酸或王水浸泡,将衬底背面的球状金属颗粒去除,衬底背面形成微纳米尺度且随机分布的凹坑结构。本发明对衬底本身进行工艺处理,以有效提升LED的发光角度。
  • 一种发光角度衬底加工方法

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