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- [发明专利]铟源试剂组合物-CN99814935.7无效
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许从应;托马斯·鲍姆
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高级技术材料公司
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1999-12-20
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2004-03-10
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C23C16/00
- 本发明涉及一种铟前体组合物,用于将铟掺入微电子装置结构中,例如,通过鼓泡技术或液体输送MOCVD(金属有机气相淀积)技术,作为装置基片上的含铟薄膜,或者通过离子注入技术,作为掺杂剂掺入到装置基片中。这种前体组合物包括式R1R2InL前体,其中R1和R2可以相同或不同,并独立选自C6-C10芳基、C6-C10氟代芳基、C6-C10全氟芳基、C1-C6烷基、C1-C6氟代烷基或C1-C6全氟烷基;而L为β-二酮基或羧酸根。采用本发明的前体,可以在基片上形成含铟金属膜,如铟-铜金属化;可以在集成电路中形成浅结铟离子注入结构。
- 试剂组合
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