“托马斯·高迪”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基材的等离子体处理-CN201280044070.6无效
发明人：弗朗索瓦丝·马辛内斯;托马斯·高迪;皮埃尔·德斯坎普斯;帕特里克·里姆波尔;文森特·凯撒;赛义德·萨尔曼·阿萨德 -专利权人：道康宁法国公司;国家科学研究中心
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于等离子体处理基材的设备，包括：与设置在电介质外壳(14)内的通道(16)内的至少一个针电极(11)相连接的频率为3kHz至30kHz的高压电源，所述电介质外壳具有处理气体的进气口和出气口。所述通道(16)具有形成处理气体的所述进气口的入口(16a)以及进入所述电介质外壳的出口(16e)，其布置为使得处理气体从所述进气口穿过所述通道(16)经过所述电极(11)流到所述电介质外壳的所述出气口。所述设备包括用于将雾化的表面处理剂引入所述电介质外壳的装置，以及邻近所述电介质外壳的所述出气口的所述基材(25)的支撑装置(27,28)。所述针电极(11)从所述通道入口(16a)延伸至靠近所述通道的所述出口(16e)的顶端(11t)，并从所述通道(16)向外突出，使得所述针电极的所述顶端(11t)设置于所述电介质外壳内并靠近所述通道的所述出口(16e)，在所述通道外至少0.5mm最多至所述通道的所述水力直径5倍的距离处。所述通道(16)的长度与水力直径的比率大于10:1。
基材等离子体处理

[发明专利]基材的等离子体处理-CN201280019444.9无效
发明人：弗朗索瓦兹·马辛内斯;托马斯·高迪;皮埃尔·德斯坎普斯;帕特里克·里姆波尔;文森特·凯撒 -专利权人：道康宁法国公司;国家科学研究中心
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H05H1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于等离子体处理基材的方法，所述方法包括对位于具有入口和出口的电介质外壳内的至少一个电极施加射频高电压，同时使工艺气体（通常包含氦气）从所述入口经过所述电极流动到所述出口，由此生成非平衡大气压等离子体。将雾化的或气态的表面处理剂掺入所述非平衡大气压等离子体。将所述基材邻近所述等离子体出口定位，以使得其表面与所述等离子体接触并相对于所述等离子体出口移动。流经电极的工艺气体的速度低于100m/s。还以高于100m/s的速度向电介质外壳中注入工艺气体。以高于100m/s的速度注入的工艺气体相对以低于100m/s流经电极的工艺气体的体积比率为1∶20至5∶1。
基材等离子体处理

[发明专利]基材的等离子体处理-CN201180027782.2无效
发明人：弗朗索瓦兹·马辛内斯;托马斯·高迪;阿德里安·图唐特;皮埃尔·德斯坎普斯;帕特里克·里姆波尔;文森特·凯撒 -专利权人：道康宁法国公司;国家科学研究中心
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明提供用于等离子体处理基材的工艺，所述工艺包括对位于具有入口和出口的电介质外壳内的至少一个电极施加射频高压，同时使工艺气体从所述入口经过所述电极流动到所述出口，由此产生非平衡大气压等离子体。将雾化的或气态的表面处理剂掺入所述非平衡大气压等离子体。将所述基材邻近所述等离子体出口定位，以使得其表面与所述等离子体接触并相对于所述等离子体出口移动。控制所述工艺气体流以及所述等离子体出口与所述基材之间的间隙，以使得所述工艺气体在所述电介质外壳内具有湍流流态。
基材等离子体处理

1
共 3 条