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[发明专利]一种DCB基板上铜箔圆角台阶的加工成型方法-CN202310662101.4在审
发明人：童辉;吴承侃;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种DCB基板上铜箔圆角台阶的加工成型方法，对圆角矩形状铜箔的边缘进行刻蚀；首先，在覆铜陶瓷基板的铜箔上方覆盖干膜，干膜上开设有两圈内外设置的孔洞组；两圈孔洞组分别为位于内侧的内孔组以及位于外侧的外孔组；内孔组以及外孔组均包括以邻近的铜箔圆角的圆心为中心周向等间隔角度排布的边缘方孔；内孔组以及外孔组均包括对接边缘方孔且呈直线状排列的对接方孔；其次，在干膜上方喷射腐蚀液，进行刻蚀。本发明通过优化了台阶的形成方法，将DCB基板上铜箔圆角蚀刻成台阶圆角，圆角处可靠性可以提高5倍以上。
一种 dcb 基板上铜箔台阶加工成型方法

[发明专利]一种具有优异抗氯性及高效催化氧化混合VOCs的三元金属催化剂-CN202210055828.1有效
发明人：刘雨溪;董甜甜;邓积光;敬林;戴洪兴 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B01J23/652 文献下载
摘要：一种具有优异抗氯性及高效催化氧化混合VOCs的三元金属催化剂，属于催化化学与纳米科学领域。首先采用溶剂热法合成了三元金属催化剂纳米粒子，然后采用吸附法把所得纳米粒子负载到TiO2载体上，最后离心、烘干、焙烧得到PtWM/TiO2(M＝Ru,Cr,Mn)催化剂，最终达到对含氯VOCs，即三氯乙烯(TCE)优异耐氯性及其对甲苯和TCE共同催化氧化的高效催化剂。本发明制备工艺简单，所得到的PtWM/TiO2(M＝Ru,Cr,Mn)催化剂具有高酸度，有良好的抗氯性及对甲苯和三氯乙烯共催化氧化反应表现出优异的催化活性。
一种具有优异抗氯性高效催化氧化混合 vocs 三元金属催化剂

[发明专利]一种用于测试DCB覆铜陶瓷基板压膜均匀性的方法-CN202310612911.9在审
发明人：赵天宇;徐节召;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01N19/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于测试DCB覆铜陶瓷基板压膜均匀性的方法，具体步骤如下：先压一段空膜，树脂膜在结合后降速为0停留25‑35S，在热压轮上受压、受热，形成压痕区；通过测量以及观察压痕区的压痕来判定压膜是否均匀，从而保证覆铜陶瓷基板半成品铜面与膜良好结合附着。在正式生产之前，先进行空膜贴膜均匀性检测，检测合格后再进行贴附生产，保证树脂膜与铜表面压膜均匀，减少膜层间气泡、皱膜、膜脱落不良引起的贴附产品糊板、图形不全等不良，提高生产良率。
一种用于测试 dcb 陶瓷基板压膜均匀方法

[发明专利]一种氮化铝陶瓷上下表面同时蒸镀的装置及其蒸镀方法-CN202310568198.2在审
发明人：祝林;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷上下表面同时蒸镀的装置及其蒸镀方法。一种氮化铝陶瓷上下表面同时蒸镀的装置，包括一用于摆放氮化铝陶瓷的框架；框架的顶部为用于摆放已氧化铜片的上摆放位；框架的底部为用于摆放已氧化铜片的下摆放位；框架中央设置有上下设置的上方孔以及下方孔，上方孔的外边缘的垂直投影位于下方孔的外边缘的垂直投影的外围；上方孔为用于摆放氮化铝陶瓷的陶瓷摆放位。本发明氮化铝陶瓷在装置中间，两片铜片分别在底部和顶部，实现氮化铝陶瓷上下两个表面同时蒸镀，生产效率高，成本低。
一种氮化陶瓷上下表面同时装置及其方法

[发明专利]一种用于对多组分VOCs高效净化的贵金属和分子筛组合的串联式催化剂-CN202310409567.3在审
发明人：刘雨溪;李泽娅;戴洪兴;邓积光 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B01J29/48 文献下载
摘要：一种用于对多组分VOCs高效净化的贵金属和分子筛组合的串联式催化剂，属于催化领域。将制备的PtSn/CeO2和MnOx/HZSM‑5催化剂通过串联的方式组合。制备方法：采用溶剂热法，将乙酰丙酮铂和二水氯化亚锡同时还原，形成PtSn双金属纳米粒子，采用吸附法将其负载到CeO2载体上，将负载后的催化剂先在管式炉中焙烧，形成PtSn/CeO2双金属纳米催化剂，采用浸渍法制备出MnOx/HZSM‑5催化剂。本发明所制备的PtSn/CeO2MnOx/HZSM‑5纳米催化剂制备过程简单，对甲苯和三氯乙烯的氧化表现出良好的催化活性，在大气污染控制领域具有良好的应用前景。
一种用于组分 vocs 高效净化贵金属分子筛组合串联式催化剂

[发明专利]一种湿法氧化工艺用铜片架-CN202310267851.1在审
发明人：黄元昊;孙见;祝林;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C22/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件加工生产设备领域。一种湿法氧化工艺用铜片架，包括用于支撑铜片的支撑架，支撑架包括支撑杆，支撑杆的相对侧开设有沿着轴向左右贯穿的缺口；支撑杆上套设有至少三个从左至右排布的隔离环，相邻的隔离环相连形成宽度从内至外递增的插片槽部；隔离环的内部镂空，隔离环包括外环，隔离环的内侧设有两个相对设置且用于横向滑入支撑杆的滑块部，外环通过引导部与滑块部相连；隔离环包括位于中部的中部隔离环、位于左端的左端隔离环以及位于右端的右端隔离环，所有的中部隔离环结构相同；支撑杆的两端还螺纹连接有限位件，支撑杆两端的限位件分别抵住左端隔离环以及右端隔离环。本发明可以使药液沿铜片架径向和纵向流动充分。
一种湿法氧化工艺铜片

[发明专利]一种改善薄型瓷片的DCB基板烧结气泡不良的方法-CN202310253500.5在审
发明人：孙见;杜涛;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种改善薄型瓷片的DCB基板烧结气泡不良的方法，包括如下步骤：步骤一，在垫板的左右两侧的上方黏贴两条相互平行的瓷条，组成烧结治具；垫板的前后两端均开设有缺口；步骤二，将烧结治具摆放在传送带上，且烧结治具的垫板接触传送带；步骤三，将待烧结的瓷片以及铜箔先后依次摆放在烧结治具上，瓷片的厚度小于0.38mm；步骤四，进行烧结。本发明将垫板设计成前后两端开口的形状，使瓷片仅在中间与垫板接触，而在长度方向两端仅边缘处接触，通过减少接触面积来减少垫板对DCB基板烧结影响，使薄瓷片变形处于一种自然变形状态，氧化亚铜共晶液流淌均匀，从而减少烧结气泡不良。
一种改善瓷片 dcb 烧结气泡不良方法

[发明专利]一种用于天然气车尾气净化的三维有序大孔锰酸镧负载钯单原子催化剂-CN202211644527.9在审
发明人：刘雨溪;田欣荣;戴洪兴;邓积光 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B01J23/656 文献下载
摘要：一种用于天然气车尾气净化的三维有序大孔锰酸镧负载钯单原子催化剂，属于功能材料技术领域。制备方法为：在二氯苯体系中，采用油相一步热解的方法，将乙酰丙酮钯与十羰基二锰同时热解还原，形成尺寸均一PdMn双金属粒子，再采用浸渍法将金属粒子负载到3DOM LaMnO3载体上。将负载型催化剂经过800℃高温焙烧形成Pd1/3DOM LaMnO3纳米催化剂。本发明所制备的Pd1/3DOM LaMnO3纳米催化剂制备过程简单，Pd呈单原子分散，在天然气车尾气催化净化领域具有良好的应用前景。
一种用于天然气车尾净化三维有序大孔锰酸镧负载原子催化剂

[发明专利]一种三维有序大孔钴酸镧负载钯铑锰三元金属催化剂及应用-CN202310125406.1在审
发明人：刘雨溪;田欣荣;戴洪兴;邓积光 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：一种三维有序大孔钴酸镧负载钯铑锰三元金属催化剂及应用，属于功能材料技术领域。制备方法为：在二苄醚中，采用油相还原法，将乙酰丙酮钯、乙酰丙酮铑和十羰基二锰热解还原，形成PdRhMn三元合金，将得到的PdRhMn纳米晶负载到三维有序大孔(3DOM)LaCoO3载体上，随后经过一步高温灼烧过程，得到PdRhMn/3DOM LaCoO3纳米催化剂。本发明所得催化剂制备过程简单，应用于天然气车尾气净化具有优异的氧化还原活性。
一种三维有序大孔钴酸镧负载钯铑锰三元金属催化剂应用

[发明专利]一种高效催化氧化二氯甲烷的RuO2-CN202310145431.6在审
发明人：邓积光;郝文成;王治伟;戴洪兴;刘雨溪;敬林;隗陆;张红红 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B01J23/648 文献下载
摘要：一种高效催化氧化二氯甲烷的RuO2/Nb2O5/CeO2催化剂及制备方法，属于催化化学与环境化学领域。首先制备纳米CeO2；然后将草酸铌铵(C2H2O4·x(NH3)·x(Nb))溶液负载到CeO2纳米催化剂上干燥焙烧得到Nb2O5/CeO2纳米催化剂，将RuCl3水溶液负载到Nb2O5/CeO2纳米催化剂上干燥焙烧得到RuO2/Nb2O5/CeO2催化剂，记为RuNbCe。本发明的催化剂制备工艺简单，合成过程可控，对二氯甲烷表现出良好的催化活性，且抗氯中毒性能强，使用寿命长，在大气污染控制领域具有良好的应用前景。
一种高效催化氧化二氯甲烷 ruo base sub

[发明专利]一种用于覆铜陶瓷基板成品的油墨开窗方法-CN202211724280.1在审
发明人：邹旭阳;徐节召;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于覆铜陶瓷基板成品的油墨开窗方法，在前制程完成后，进行图形印刷时，先进行油墨阻焊，然后将大致阻焊区域进行印刷烘烤，再用激光雕刻方法进行开窗及表面处理，解决了小尺寸油墨开窗及产品小批量生产成本高的问题。前制程完成后，进行图形印刷时，先进行油墨阻焊，然后将大致阻焊区域进行印刷烘烤，再用激光雕刻方法进行开窗及表面处理。本发明完全摒弃了使用丝网印刷时，防焊图形边缘会形成锯齿状油墨以及难以在凹凸不平表面进行印制的缺陷，且开窗精度高，解决了小尺寸油墨开窗及产品小批量生产成本高的问题。
一种用于陶瓷成品油墨开窗方法

[发明专利]一种高效光解水制氢的富氮空位Se掺杂型石墨相氮化碳光催化剂-CN202310201804.7在审
发明人：敬林;张启超;戴洪兴;邓积光;刘雨溪;隗陆 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：一种高效光解水制氢的富氮空位Se掺杂型石墨相氮化碳光催化剂，属于催化剂技术领域。通过采用Se辅助的化学气相沉积(CVD)可控制备工艺，成功构建了富氮空位Se掺杂型石墨相氮化碳(VN/Se‑CN)光催化剂。制备过程中，真空密封于石英安瓿瓶中的石墨相氮化碳在Se蒸汽的高温刻蚀反应下，同时实现了Se元素的掺杂以及氮空位的形成。富氮空位Se掺杂型石墨相氮化碳光催化剂展现出了优异的可见光水分解制氢性能(5418μmol h‑1g‑1)。
一种高效光解水制氢空位 se 掺杂石墨氮化光催化剂

[发明专利]一种改善DCB基板烧结时翘曲不良的方法-CN202211555613.2在审
发明人：孙见;贺贤汉;阳强俊;祝林;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种改善DCB基板烧结时翘曲不良的方法，包括如下步骤：步骤一，回字形垫板的上侧粘接两条相互平行的瓷条，组成烧结治具；步骤二，将所述烧结治具摆放在所述传送带上，且所述烧结治具的回字形垫板接触所述传送带；步骤三，将待烧结的陶瓷片以及铜箔先后依次摆放在所述烧结治具的瓷条上；步骤四，进行烧结。本发明可达到烧结完成后DCB基板的翘曲方向和大小一致，提高了产品烧结良率，垫板放置简单，操作容易，同时无需再放置小瓷片，就可防止传送带污染产品表面，提高了生产效率。
一种改善 dcb 烧结时翘曲不良方法

[发明专利]一种高效光催化裂解水制氢的磷掺杂超薄空心氮化碳纳米球催化剂-CN202011325156.9有效
发明人：邓积光;吕思洁;敬林;戴洪兴;刘雨溪;李双;王治伟 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：一种高效光催化裂解水制氢的磷掺杂超薄空心氮化碳纳米球催化剂，属于催化化学与纳米科学领域。首先,以正硅酸四乙酯和十八烷基三甲氧基硅烷为前驱体，以乙醇、氨水和水为溶剂，利用法制备SiO2模板；然后以氰胺为前驱体，通过负压超声法制备空心氮化碳纳米球(H‑CNS)载体；最后，以红磷为磷源，采用化学气相沉积法，将磷原子沉积在H‑CNS载体上，得到磷掺杂的P/UH‑CNS复合催化剂；该制备过程中，在H‑CNS载体内外表面产生的压力差，会使得原本疏松的H‑CNS载体壳层变薄。本发明材料新颖，制备工艺简单，产物形貌规整可控，催化剂表现出良好的光催化产氢活性和稳定性。
一种高效光催化裂解水制氢掺杂超薄空心氮化纳米催化剂

[发明专利]一种提高覆铜陶瓷基板可靠性的方法-CN202211239190.3在审
发明人：周轶靓;贺贤汉;王斌;吴承侃;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种提高覆铜陶瓷基板可靠性的方法，其特征在于，所述覆铜陶瓷基板包括从上至下依次设置的正面铜层、陶瓷层以及背面铜层；所述正面铜层的铜箔沿着边缘设置有阶梯状凹槽，铜箔的横截面面积从上至下阶梯状递增，所述阶梯状凹槽为单层凹槽结构或者上下设置的双层凹槽结构。普通氧化铝基板在‑55℃‑150℃温度冲击下，边缘采用单层凹槽结构的可靠性可以提高7‑8倍。边缘采用双层凹槽结构的可靠性可以提高10倍以上。
一种提高陶瓷可靠性方法

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