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[发明专利]一种SOC芯片及测试方法和系统-CN202310811918.3在审
发明人：王廷纯;周留洋;陈明波;詹晖 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/317 文献下载
摘要：一种SOC芯片及测试方法和系统，涉及集成电路技术。本发明提供的SOC芯片包括测试电路单元(T‑Uint)和被测电路单元；所述测试电路单元(T‑Uint)包括：测试I/O引脚、测试I/O通路控制器、测试I/O属性控制器、测试模式进入控制器、测试操作模式控制器、测试总线模式控制器、测试总线主从控制器；所述测试I/O引脚用于测试主机与SOC芯片的通信及控制通路。本发明采用结构化的测试电路单元设计，适用于不同的SOC芯片的测试需求。
一种 soc 芯片测试方法系统

[实用新型]一种用于CMOS轨到轨输出运放的限流电路-CN202320824827.9有效
发明人：陈涛 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：一种用于CMOS轨到轨输出运放的限流电路，包括输出晶体管MN1的限流电路(1)和输出晶体管MP1的限流电路(2)，在现有技术典型限流电路基础上，在第一限流电路(1)中增加了第十六PMOS管(MP16)和第十三NMOS管(MN13)，在第二限流电路(2)中增加了第十六NMOS管(MN16)和第十九PMOS管(MP19)，其作用是通过增大IN1,0，减小IN1,MAX可以充分利用运算放大器的驱动能力。通过本实用新型的限流电路用于对运放电路(3)输出端进行限流，可实现为运放电路提供更宽的输出电流范围，使其负载电流可以非常接近输出限流值，在较大电流负载时，仍可以保持较高的线性度。
一种用于 cmos 轨到轨输出限流电路

[实用新型]正余弦旋转变压模拟调理电路-CN202320876940.1有效
发明人：任俊杰;王杰;张忆 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01D5/14 文献下载
摘要：正余弦旋转变压模拟调理电路，涉及电子技术。本实用新型包括：正性隔直/带通滤波电路、正性前级运放电路、负性隔直/带通滤波电路、负性前级运放电路、第一模拟乘法器、第二模拟乘法器、第三模拟乘法器、第四模拟乘法器，第一运算放大器、第二运算放大器、第三运算放大器和第四运算放大器的输出端分别作为正余弦旋转变压模拟调理电路的4个输出端。本实用新型减少激励信号的谐波分量，提高了电路的信号质量。
余弦旋转变压模拟调理电路

[发明专利]一种SOC芯片测试方法及系统-CN202310817699.X在审
发明人：周留洋;廖鑫;王廷纯;詹晖 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：一种SOC芯片测试方法及系统，涉及集成电路技术。本发明的测试方法包括测试用例集初始化、测试用例集创建、测试用例集运行、测试用例集释放。本发明还提供了一种SOC芯片测试系统，包括测试用例集管理单元、测试空间管理单元、测试用例集单元、被测模块驱动程序单元、被测模块单元、RAM空间。本发明能以较少的RAM占用，实现对SOC芯片多个模块多个测试用例的统一高效管理，且便于测试结果汇总，能大大提高SOC芯片测试质量及效率。
一种 soc 芯片测试方法系统

[实用新型]一种带动态失调电压抵消的比较器电路-CN202320956927.7有效
发明人：邢德智 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：一种带动态失调电压抵消的比较器电路，涉及集成电路技术，本实用新型包括比较器电路和失调电压抵消电路，通过在比较器的输入级增加作为失调抵消电容的第一电容、第二电容以及作为开关的第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管来实现比较器动态失调电压的抵消，其中第一MOS管的源极通过第一电容连接到第五MOS管的漏极，第二MOS管的源极通过第二电容连接到第六MOS管的漏极，第五MOS管的漏极和第六MOS管的漏极连接形成参考点Pcb。本实用新型可以应用在比较器、模数转换器、存储器感测等多种电路中，抵消动态失调电压的影响。
一种动态失调电压抵消比较电路

[实用新型]一种倍压电荷泵电路-CN202320745075.7有效
发明人：李小辉 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种倍压电荷泵电路，涉及集成电路中的高压驱动电路。本实用新型包括带隙基准电路、镜像电流源电路、振荡器电路、电荷泵电路和钳位电路，带隙基准电路产生的基准电流IBIAS送入镜像电流源电路，镜像电流源电路在数字逻辑控制下，产生不同大小的镜像电流再送入振荡器电路，振荡器电路通过不同大小的输入电流改变振荡频率，从而实现不同频率的时钟输出，振荡器电路产生的时钟输出送入电荷泵电路，电荷泵电路采用倍压模式，产生的倍压电压经钳位电路进行钳位，最终输出所需的电荷泵电压。通过本实用新型的倍压电荷泵电路，可实现多种大电流驱动能力的工作模式，满足各种驱动需求，同时解决转换效率不够、输出纹波较大的问题。
一种压电电路

[实用新型]可调节RC振荡电路-CN202320112561.5有效
发明人：李小辉 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H03K3/011 文献下载
摘要：可调节RC振荡电路，涉及集成电路技术，本实用新型包括第一反相器、第一组可选通电容、第一比较器、第二反相器、第二组可选通电容、第二比较器、和锁存器。本实用新型通过控制可变电容开断，可调节输出时钟2MHz~24MHz变化，满足系统不同频率的需求，且具有各种频率下温度电压漂移小，功耗较低，面积小等特点。
调节 rc 振荡电路

[实用新型]SARADC控制逻辑电路-CN202320111918.8有效
发明人：陈涛 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：SARADC控制逻辑电路，涉及集成电路技术，本实用新型包括时序生成电路和预定数量的开关切换模块，各开关切换模块皆与时序生成电路连接；所述时序生成电路包括顺序排列的N+2个D触发器，序号由0递增至N+1，N为大于3的整数；各D触发器的时钟端连接到同一个时钟信号端；相邻两个D触发器中，前级的Q端连接后级的D端；最大序号D触发器的QN端连接最小序号D触发器的D端。本实用新型可以简化电路时序，降低动态功耗,与各类串、并行数据接口兼容性强。
saradc 控制逻辑电路

[发明专利]全共模范围失调电压修调运算放大器-CN202310372485.6在审
发明人：刘欢 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：全共模范围失调电压修调运算放大器，涉及集成电路技术，本发明包括运放电路和修调电路，其特征在于，所述修调电路包括第一电流源(101)～第七电流源(107)，以及第十五NMOS管(M15)～第三十PMOS管(M30)，第六电流源(106)的电流输出端，漏极接第七电流源(107)的电流输入端，栅极接正性电平输入线。本发明在将轨到轨输入运放的全共模范围失调电压修正到目标值以内的同时，输入失调电压几乎不随共模电压的变化而变化，提高了运放全共模范围的线性度。
模范失调电压调运放大器

[发明专利]双极运放失调电压修调电路-CN202310395982.8在审
发明人：刘欢 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：双极运放失调电压修调电路，涉及集成电路技术，本发明包括第十PJFET管(Q10)、第十一PJFET管(Q11)、第十二PJFET管(Q12)、第十三PJFET管(Q13)、第十四PJFET管(Q14)、第十五PJFET管(Q15)、第十六PJFET管(Q16)、第十七PNP三极管(Q17、第十八PNP三极管(Q18)、第十九PNP三极管(Q19)、第二十PNP三极管(Q20)、第二十一PJFET管(Q21)、第二十二PJFET管(Q22)、第二十三NPN三极管(Q23)、第二十四PNP三极管(Q24)、第二十五NPN三极管(Q25)、第二十六PNP三极管(Q26)、第二十七PNP三极管(Q27)、第二十八PNP三极管(Q28)、第二十九PNP三极管(Q29)；本发明采用较少的器件、熔丝和修调PAD实现了双极型运放的失调电压修调，修调精度高。
双极运放失调电压电路

[发明专利]测试半导体芯片闩锁效应放大倍数的方法-CN202310056798.0在审
发明人：詹晖 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：测试半导体芯片闩锁效应放大倍数的方法，涉及集成电路技术。本发明包括下述步骤：（1）对于紧邻PMOS‑NMOS结构，将NMOS管的源端和衬底接GND，PMOS管的源端和阱电位接第一外部连接点，第一外部连接点接VCC，NMOS管的漏端和PMOS管的漏端接第二外部连接点；（2）在第二外部连接点连接电流源；（3）测量第一外部连接点的输入电流变化量△IVCC和第二外部连接点的输出电流变化量△Iout，计算闩锁效应放大倍数；（4）增加第一外部连接点的输入电流或者第二外部连接点的输出电流，返回步骤（3），直到芯片烧毁，获得当前电流方向的放大倍数ß的数值曲线。本发明能够准确和全面的提供闩锁效应放大倍数数据。
测试半导体芯片效应放大倍数方法

[实用新型]带有高阶温度补偿的基准电路-CN202220828796.X有效
发明人：黄东 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G05F1/625 文献下载
摘要：带有高阶温度补偿的基准电路，涉及集成电路技术。本实用新型包括带隙基准电路，还包括高阶温度补偿电路，所述高阶温度补偿电路包括第二运放、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第四晶体管，第四晶体管集电极和基极通过第二电阻(R2)接第三晶体管的基极，其发射极接地。本实用新型可以降低基准的输出电压随温度变化的波动范围，为其他电路提供一个稳定的偏置电压。
带有温度补偿基准电路

[实用新型]输入过压和电磁干扰保护电路-CN202123447200.6有效
发明人：王谦 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H02M1/44 文献下载
摘要：输入过压和电磁干扰保护电路，涉及集成电路技术，本实用新型包括：设置于输入端和参考点之间的动态电阻，动态电阻由第一P沟道JFET管和第二P沟道JFET管构成，第二P沟道JFET管的漏极接输入端，源极接参考点；第一P沟道JFET管的栅极和源极接第二P沟道JFET管的栅极，漏极接参考点；第一二极管正极接参考点，负极接高电平；第二二极管负极接参考点，正极接地；参考点通过低通滤波器接输出端。本实用新型可以防止脉冲电压过大或者电压突变对元器件造成损坏。
输入电磁干扰保护电路

[实用新型]高精度SARADC修调电路-CN202220135375.9有效
发明人：陈涛 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：高精度SARADC修调电路，涉及集成电路技术。本实用新型包括与比较器负性输入端连接的N个负性支路和与比较器正性输入端连接的N个正性支路，各正性支路中，每个高M位支路都具有正性切换开关组，M为自然数，所述正性切换开关组的输出端与其所在支路中的电容连接，正性切换开关组具有两个可选输入端。本实用新型可以显著降低SARADC的非线性失真，避免传统修调电路带来的修调电路寄生电容大、修调方案复杂等问题。
高精度 saradc 电路

[实用新型]动态偏置低功耗高速运算放大器-CN202220142682.X有效
发明人：陈涛 -专利权人： 成都环宇芯科技有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：动态偏置低功耗高速运算放大器，涉及集成电路，本实用新型由初级放大电路和差分输入单端输出放大电路构成，初级放大电路的两个输出端接差分输入单端输出放大电路的两个输入端，所述初级放大电路包括第一差分输入对管、第五晶体管、第六晶体管、第十七晶体管、第二差分输入对管、第七晶体管、第八晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十二晶体管、第九晶体管、第十晶体管和第十一晶体管。本实用新型能够降低电路平均功耗。
动态偏置功耗高速运算放大器

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