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- [发明专利]一种任意波形扫频方法-CN202211004591.0有效
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谢丹
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成都仕芯半导体有限公司
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2022-08-22
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2023-08-25
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H03C3/09
- 本发明公开了一种任意波形扫频方法，涉及频率调制连续波领域，应用于扫频装置中，扫频模块、delta‑sigma小数调制器模块和锁相环；扫频模块和delta‑sigma小数调制器的时钟分别受控于锁相环的鉴相时钟和分频时钟，锁相环输出的锁定指示信号LDT连接扫频模块的输入，delta‑sigma小数调制器输出分频比至锁相环；所述方法包括以下步骤：设定扫频装置的若干个工作状态；从扫频装置开始扫频至扫频装置结束扫频，控制扫频装置在若干个工作状态中进行切换使得扫频装置输出满足预设要求的扫频信号，通过本方法能够高性能的实现任意波形的扫频。
- 一种任意波形方法
- [发明专利]一种多倍频扫频方法-CN202211007299.4有效
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谢丹
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成都仕芯半导体有限公司
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2022-08-22
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2023-08-22
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H03C3/09
- 本发明公开了一种多倍频扫频方法，涉及频率调制领域，应用于扫频装置中，扫频装置包括：扫频模块、小数调制器模块、分频器和锁相环；扫频模块和小数调制器模块的时钟分别受控于锁相环的鉴相时钟和分频时钟，锁相环输出锁定指示信号至扫频模块，扫频模块输出的整数分频比和小数分频比作为小数调制器模块输入，小数调制器模块输出分频比至锁相环；所述方法包括以下步骤：基于控制信号获得起始分频比和终止分频比并输入扫频模块，扫频模块将分频比输出至分频器控制分频器的分频比切换信号；设定扫频装置的若干个工作状态；控制扫频装置在若干个工作状态中进行切换使分频器输出多倍频程的扫频信号,本方法能够提供多倍频程的扫频输出。
- 一种倍频方法
- [发明专利]整流器及连续对数检波器-CN202210579471.7有效
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谢丹
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成都仕芯半导体有限公司
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2022-05-26
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2023-08-11
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H03D1/06
- 本发明公开了整流器及连续对数检波器，涉及电子领域，所述整流器包括：双平衡差动电路，所述双平衡差动电路用于对输入信号进行整流处理获得整流信号；线性化处理电路，所述线性化处理电路用于对所述整流信号进行线性化处理获得与所述输入信号中的输入电压成线性化关系的第一电流，以及用于对所述第一电流进行滤波处理获得第二电流，以及用于将所述第二电流作为工作电流输入至所述电流镜电路；电流镜电路，所述电流镜电路用于将所述第一电流镜像到所述整流器的输出；本发明中的整流器具有较高的线性度。
- 整流器连续对数检波器
- [发明专利]一种芯片封装结构-CN202310442926.5在审
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郭宏展;章策珉
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成都仕芯半导体有限公司
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2023-04-24
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2023-07-04
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H01L23/488
- 本发明公开了一种芯片封装结构，涉及芯片封装领域，所述结构包括：芯片、至少一个射频焊盘和接地焊盘；其中，所述接地焊盘上设有至少一个与所述射频焊盘对应的凹槽，所述射频焊盘包括射频焊盘主体和射频焊盘凸出段，所述射频焊盘凸出段延伸至对应的凹槽内，且射频焊盘凸出段与对应的凹槽之间具有间隙，所述芯片正面的射频连接端通过金属过孔至所述芯片背面与对应的所述射频焊盘凸出段连接，所述芯片正面的接地连接端通过金属过孔至所述芯片背面与所述接地焊盘连接；本发明解决了传统的WB封装在高频性能恶化的问题以及FC封装工艺复杂且成本较高的问题。
- 一种芯片封装结构
- [发明专利]一种基于多级增益的增益放大器-CN202310023838.1在审
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梁硕
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成都仕芯半导体有限公司
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2023-01-09
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2023-05-16
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H03F1/32
- 本发明公开了一种基于多级增益的增益放大器，涉及放大器领域，所述增益放大器包括：输入信号处理电路，用于对输入信号进行处理；第一级增益电路，用于对输入信号处理电路处理后的信号进行增益放大处理，获得第一信号；第二级增益电路，用于对第一信号进行增益放大处理，获得第二信号；第三级增益电路，用于对第二信号进行增益放大处理，获得第三信号；输出信号处理电路，用于对第三信号处理后输出；反馈电路，用于对第一级增益电路、第二级增益电路和第三级增益电路的增益放大处理效果进行调整，本发明能够提升增益放大器增益的同时也提升增益放大器的线性度和带宽，并且有效控制增益放大器的体积和成本。
- 一种基于多级增益放大器
- [发明专利]一种自适应偏置电路及开关跨导级单元及混频器-CN202310132370.X在审
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叶鹏
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成都仕芯半导体有限公司
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2023-02-17
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2023-05-02
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H03K17/687
- 本发明公开了一种自适应偏置电路及开关跨导级单元及混频器，涉及混频器领域，包括：电阻R1、电阻R2、运算放大器OA1、第一MOS管MP1、第二MOS管MN5和电阻R5；其中，电阻R1和电阻R2用于获得共模电平，并将该共模电平送至运算放大器OA1的输入负端作为参考电平，通过运算放大器OA1负反馈输出电压作为开关跨导级单元中预设开关管的直流偏置电压，第一MOS管MP1作为运算放大器环路的调整管，第二MOS管MN5用于将获的共模电平抬高到预设电压，电阻R5用于调整运算放大器OA1的正输入端以及第二MOS管MN5的源极所在支路上的电流，本发明能够使得开关级电路中栅极相对于源极的电压Vgs跟随工艺变化，进而转换增益的变化随工艺角的变化而变小。
- 一种自适应偏置电路开关跨导级单元混频器
- [发明专利]一种高精度数控移相电路-CN202310035475.3在审
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邓正伟
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成都仕芯半导体有限公司
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2023-01-10
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2023-04-28
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H03H11/20
- 本发明公开了一种高精度数控移相电路，涉及数控移相领域，所述数控移相电路用于对射频信号的相对相位进行数控调整，所述数控移相电路包括：第一级单元，用于射频信号的相对相位进行正向调整并将调整后的射频信号输入第二级单元；第二级单元，用于射频信号的相对相位进行负向调整将调整后的射频信号输入第三级单元；第三级单元，用于射频信号的相对相位进行正向调整，并将调整后的射频信号输出；精度调整单元，用于分别在第一级单元和第三级单元的电感上并联电容，对射频信号的相对移相精度进行调节，本发明能够提高小移相位的移相精度。
- 一种高精度数控电路
- [发明专利]一种数字步进衰减器-CN202010265811.X有效
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章策珉;邓正伟
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成都仕芯半导体有限公司
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2020-04-07
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2023-04-25
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H03H7/24
- 本发明的多个实施例涉及低温度变化的衰减器。通过协调电阻器的一阶电阻温度(FORT)系数，衰减器或衰减器单元的实施例能够降低衰减器衰减量受温度变化的影响。而这种衰减量随温度变化影响的减少可以在不依赖于具有负FORT系数的电阻器的情况下取得。衰减器单元可以配置为T型衰减器单元、π型衰减器单元、桥T型衰减器单元或者并联衰减器，这些衰减器单元中的电阻器具有多种FORT系数组合方式。此外，各种衰减器单元可以串联在一起形成数字步进式衰减器，这些单元的温度变化相互补偿或抵消以降低整体衰减量受温度变化的影响。
- 一种数字步进衰减器
- [发明专利]梳状谱发生器-CN202211607552.X在审
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章策珉
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成都仕芯半导体有限公司
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2022-12-14
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2023-04-07
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H03K3/02
- 本发明公开了多个涉及NLTL梳状谱发生器的实施例用于宽带阻抗匹配，以使产生的输出信号包括输入信号的宽带谐波。NLTL梳状谱发生器包括串联连接的多个段，且各段均包括串联电感和非线性并联电容。所述非线性并联电容可以是变容二极管、肖特基二极管或任何类型的PN节二极管。非线性并联电容以相同的极性耦合至对应的串联电感。宽带偏置电路将直流偏压或者直流接地馈送至非线性并联电容以用于实现宽带输入和输出阻抗匹配。宽带偏置电路可以是三阶或五阶低通滤波器以用于防止射频信号通过偏置电路泄漏。NLTL梳状谱发生器、宽带偏置电路和输出隔直电容可以采用紧凑型封装集成于单个芯片上，在不依靠外部集总匹配元件的前提下获得宽带输入/输出阻抗匹配。
- 梳状谱发生器
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