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[发明专利]高灵敏度气体传导电子流量分析仪-CN201410309346.X在审
发明人：储冬红;郭睦庚;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：高灵敏度气体传导电子流量分析仪，主要包括：溶液电解电源装置，电解时间控制装置，样品导入装置，样品溶液电解分析装置，阴离子气体化装置，阳离子气体化装置，副产物氧化电解装置，电解气体液化装置，电解气体分离装置，电解气体净化装置，电解分析记录装置；其中，阴离子气体化装置含有阴离子气体氧化生成膜，该气体生成膜材料为七苯胺三溴烟酸五锗钷的纳米复合膜材料，该气体生成膜厚度为19.85um,电解气体液化装置含有气体液化冷却回流管，该冷却回流管材料为六丙胺三吲哚啉五硅铹的复合材料，电解气体分离装置含有气体分子筛选分离膜，该分子筛选分离膜材料为戊胺丙腈氟碳镨的纳米复合分离膜材料，该分离膜厚度为18.76um。
灵敏度气体传导电子流量分析

[发明专利]高灵敏度阶梯电压电解分析仪-CN201410305719.6在审
发明人：储冬红;郭睦庚;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：高灵敏度阶梯电压电解分析仪，主要包括：电源装置，电压输出调节装置，电流传输控制装置，电流频率控制装置，样品导入装置，样品预处理装置，溶液离子氧化电极装置，溶液离子平衡装置，分解电压平衡装置，电解分析与记录装置；其中，溶液离子氧化电极装置含有氧化离子电极，该电极材料为五茚酮三丁胺六甲醚硒锇的复合电极材料，溶液离子平衡装置含有离子平衡隔离膜，该隔离膜材料为三喹啉五苯磺六酰氯铑钽的纳米复合薄膜，分解电压平衡装置含有分解电压平衡电极，该电极材料为六苯乙酮五苄胺三硒钷的复合电极材料。
灵敏度阶梯电压电解分析

[发明专利]低检出限电子流量分析测试仪-CN201410308666.3在审
发明人：储冬红;郭睦庚;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： G01N17/02 文献下载
摘要：低检出限电子流量分析测试仪，主要包括：恒电流电源装置，电解电流调控装置，样品溶液滴加装置，样品电解电流分析装置，电解温度控制装置，溶剂电解控制装置，样品杂质电解控制装置，溶液气体电解控制装置，电极损耗电解控制装置，电解电子流量分析装置，分析结果记录装置；其中，溶剂电解控制装置含有高电位溶剂电解电极，该电极材料为三苯乙酮六氰基五氟铪的复合电极材料，样品杂质电解控制装置含有样品杂质电解筛选膜，该电解筛选膜材料为六吡唑三盐酸胍五硼镝的纳米复合电解筛选膜，该电解筛选膜厚度为12.88um，溶液气体电解控制装置含有溶液气体电解还原电极，该电解还原电极材料为三哌嗪五嘧啶六磷钼的纳米复合电极材料。
检出限电流量分析测试仪

[发明专利]一种电位控制电解分析仪-CN201410309130.3在审
发明人：储冬红;郭睦庚;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：一种电位控制电解分析仪，主要包括：样品预处理装置，样品浓度控制装置，电源装置，电位调节装置，电流控制装置，样品电解装置，样品分离装置，离子扩散分析装置，样品离子筛选装置，电解分析装置，结果记录装置；其中，样品电解装置含有离子电位电解电极，该电极材料为三甲腈五氟苯六硼铱的复合电极材料，离子扩散分析装置含有离子扩散渗透膜，该渗透膜材料为六苯乙酮五甲酰氯三硅锘的纳米复合渗透膜材料，该渗透膜厚度为7.98um，样品离子筛选装置含有离子筛选膜，该筛选膜材料为五氟苯三酰氯六溴鈩的复合筛选隔离膜材料，该离子筛选膜厚度为9.68um。
一种电位控制电解分析

[发明专利]低检出限离子电位分析仪-CN201410300690.2在审
发明人：储冬红;郭睦庚;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-06-29 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：低检出限离子电位分析仪，主要包括：进样装置，样品预处理装置，样品电极装置，标准电极装置，酸碱电极装置，氧化电极装置，还原电极装置，配位电极装置，络合电极装置，离子电位分析装置，电位信号转换装置，电位信号显示与记录装置；其中，酸碱电极装置含有酸碱离子分析电极，该电极材料为三吡啶五苄胺二钆硼六钇的纳米复合电极材料，还原电极装置含有离子还原电极，该电极材料为五甲酯二腈三乙酰六氟铼镉的纳米复合电极材料；配位电极装置含有离子配位电极，该电极材料为三甲酸六乙酮三琥珀酰五硅锇钾纳米复合电极材料。
检出离子电位分析

[发明专利]高功率光电倍增装置-CN201410229393.3在审
发明人：储冬红;郭楚媛;郭睦庚;严方园;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01J43/04 文献下载
摘要：高功率光电倍增装置，其特征在于，主要包括：入射光源，光阴极，一次电子发射极，二次电子发射极，三次电子发射极，四次电子发射极，光电流输出装置，接地保护装置，电流一次衰减装置，电流二次衰减装置，电流三次衰减装置，电流四次衰减装置，其中，一次电子发射极采用锑化铯镍合金电极材料，二次电子发射极采用氧化镧合金电极材料，三次电子发射极和四次电子发射极采用氧化钴铜铍合金电极材料，光电流输出装置含有厚度为2.98um的光束滤光膜，该滤光膜材料为十六偏铬酸碘铕纳米复合滤光膜。
功率光电倍增装置

[发明专利]低沸点混合物快速分析装置-CN201410249711.2在审
发明人：储冬红;郭睦庚;彭飞;严方园;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-06-07 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G01N30/00 文献下载
摘要：低沸点混合物快速分析装置，主要包括：样品载气装置、输出压力控制装置、载气净化装置、流速控制装置、流量监控装置、压力监控装置、液体汽化装置、分离装置、检测装置、信号放大装置、温度控制装置、记录装置、载气回收装置；其中：样品载气装置中含有高温载体气流，该载体气流类型为：六哌啶九乙酮三巯基五苯并噻唑气体；载气净化装置中含有载气筛选吸附净化载体颗粒，该载体颗粒材料为三乙胺六咪唑二苄硫五溴铼铪的纳米复合材料，分离装置中含有高温离子样品分析管，该样品分析管材质为：三蒽五磺酰六苯胺氧化钇钽的复合材料，该分析管的内径为4—10mm，分离装置中含有筛选颗粒，筛选颗粒的粒度为50—90目和80—130目。
沸点混合物快速分析装置

[发明专利]全波段光谱扫描仪-CN201410229277.1在审
发明人：储冬红;彭飞;郭睦庚 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：全波段光谱扫描仪，主要包括：光源装置，光分离装置，一次反射装置，标准装置，二次反射装置，调光控制装置，三次反射装置，进样装置，四次反射装置，信号放大装置，信号校正装置，信号分析装置，信号记录装置；其中，光源装置的外罩为铪鈩合金制成，光源装置中含有十色玻璃滤光盘，该滤光盘表面覆盖有厚度为20um的偏溴酸五铌复合滤光膜，光源装置中含有近紫外滤光器和远红外滤光器，其中，近紫外滤光器含有六硝酸铑锇纳米复合滤光膜；光源装置含有高能发光电极，电极材料为氧化镅锫合金，光分离装置中含有八面棱镜和双斜晶体光栅，两者交替串联排列，一次反射装置含有抛物面镜，双曲面镜，椭球面镜。
波段光谱扫描仪

[发明专利]高灵敏度植物组织电位分析仪-CN201410298459.4在审
发明人：储冬红;郭睦庚;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：高灵敏度植物组织电位分析仪，主要包括：样品导入装置，酶电极装置，组织电极装置，活性电极装置，氨基酸脱羧装置，氨基酸氧化装置，铵离子检测装置，谷氨酰胺转换装置，多巴胺检测装置，电位信号转换装置，电位信号显示与记录装置；其中，酶电极装置含有酶分离电极，该电极材料为三嘧啶五溴苄二苯胺三磷钽的纳米复合电极材料，氨基酸脱羧装置含有氨基酸脱羧电极，该电极材料为二喹啉五吡啶六锇三氮钛的纳米复合电极材料，氨基酸氧化装置含有氨基酸氧化隔离薄膜，该薄膜材料为三磺酰五乙酮二氯六铑铪的复合薄膜材料，该薄膜厚度为2.96μm。
灵敏度植物组织电位分析

[发明专利]低检出限气体分子电位分析仪-CN201410250646.5在审
发明人：储冬红;郭睦庚;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-06-08 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：低检出限气体分子电位分析仪，主要包括：气体导入装置，样品液化装置，气体分子筛选装置，样品分子电位分析装置，电位信号转化装置，标准溶液电位装置，气体分子电位校正装置，分子电荷分析装置，电位响应装置，分子活度修正装置，电位分析显示装置；其中，气体分子筛选装置含有分子筛选隔离膜，该隔离膜材料为五苯胺三嘧啶苯乙酮五溴锕的纳米复合薄膜材料，该隔离膜厚度为2.88um,样品分子电位分析装置含有电位分析电极，该电极材料为三溴苄六喹啉吡啶五碘钌的复合电极材料，电位信号转化装置含有电位信号转化电极，该电极材料为五磺酰三吡啶二氮铕的复合电极材料。
检出气体分子电位分析

[发明专利]高灵敏度离子晶格电位分析仪-CN201410250118.X在审
发明人：储冬红;彭飞;郭睦庚;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-06-08 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： G01N27/60 文献下载
摘要：高灵敏度离子晶格电位分析仪，主要包括：样品离子化装置，离子电位转化装置，电势传导装置，正离子电位分析装置，负离子电位分析装置，电位校正装置，电位转化装置，信号放大装置，信号稳定传导装置，信号显示记录装置；其中离子电位转化装置含有电位转化膜，该电位转化膜材料为三乙胺五苄基六钯碳四溴锝的纳米复合薄膜材料，正离子电位分析装置含有正离子电位电极，该电位电极材料为六苯腈二羰基三哌啶五氯锔的纳米复合电极材料，负离子电位分析装置含有负离子电位电极，该电位电极材料为三吡啶六吲哚五乙酮三磷铈的纳米复合电位电极材料。
灵敏度离子晶格电位分析

[发明专利]样品分子特性谱线分析仪-CN201410232279.6在审
发明人：储冬红;彭飞;郭睦庚 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：样品分子特性谱线分析仪，其特征在于，主要包括：进样装置，样品导入装置，样品预处理装置，样品微粒化装置，流体控制装置，样品热处理装置，特征谱线分析装置，信号放大装置，信号显示与记录装置，其中，样品导入装置含有样品导流管，该导流管材料为偏铬酸氧化钐镉合金，样品微粒化装置含有颗粒降解电极，该电极材料为氧化铌钷合金，流体控制装置含有流体离子筛选板，该筛选板材料为六硅烷溴化镨铹纳米复合材料，特征谱线分析装置含有九棱柱型偏振特征谱线分析透镜，该透镜表面镀有厚度为30μm的偏硅酸氟化镤纳米复合透光膜。
样品分子特性分析

[发明专利]原子共振谱线分析仪-CN201410231690.1在审
发明人：储冬红;彭飞;郭睦庚 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：原子共振谱线分析仪，主要包括：离子高频光束装置，光束谐波调节装置，光谱分离装置，样品导入装置，样品高温解离装置，光束协调装置，光束引导装置，光谱反射装置，波段控制装置，滤光装置，第一光电转换装置，第二光电转换装置，信号稳压装置，信号显示与记录装置；其中，离子高频光束装置含有高频离子发射电极，该电极材料为氧化锫鐽合金，光束谐波调节装置含有光束谐波整流透镜，该透镜表面覆盖有两层厚度均为2.8um的八氯偏胺钼锿纳米复合透光膜，光谱分离装置含有十五棱光谱分离透镜，三聚焦反射镜，七缝衍射器，其中，十五棱光谱分离透镜表面镀有一层厚度为3.3um的六苯胺氧化锇铬纳米复合透光膜。
原子共振分析

[发明专利]光子波谱分析仪-CN201410230848.3在审
发明人：储冬红;彭飞;郭睦庚 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：光子波谱分析仪，其特征在于，主要包括：光束导入装置，光束过滤板，光束整流装置，光束偏振装置，光束谐波装置，光栅装置，光束折光装置，八棱透镜，标准光源装置，转换装置，放大装置，稳流装置，记录与显示装置；其中，光束导入装置含有十三陵偏光透镜，该透镜表面覆盖有厚度为9.77um的六甲胺九溴酸铬锫纳米复合滤光膜，光束过滤板含有滤光透镜，该透镜表面含有六磷酸镉锡纳米复合薄膜，光束整流装置含有透光整流薄膜，该薄膜含有硫酸锆镁复合材料，光束偏振装置含有偏振反射镜，该反射镜表明覆盖有十二烷基溴酸铼复合反光膜，标准光源装置含有光束发电极，该电极材料为氧化钌锇合金。
光子波谱分析

[发明专利]高灵敏度电子扩散分析仪-CN201410250222.9在审
发明人：储冬红;郭睦庚;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-06-07 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：高灵敏度电子扩散分析仪，其特征在于，主要包括：分析样品导入装置，样品分子修饰装置，样品分子键合装置，分子表面处理装置，正离子产生装置，自由基产生装置，负离子产生装置，电子聚合分析装置，9--分析显示与记录装置；其中，样品分子修饰装置含有分子修饰电极，该修饰电极材料为八硅烷五甲醚丁胺五溴铬酸钷铑纳米复合电极材料，样品分子键合装置含有分子键合电极，该分子键合电极材料为七吡啶六苯酯三哌啶八氯酸镨铟纳米复合电极材料，分子表面处理装置含有分子表面处理电极，该电极材料为三苯乙酮六巯基九氟酸钽硅纳米复合电极材料，自由基产生装置含有分子自由基筛选膜，该筛选膜材料为三哌嗪九噻唑五碘酸铕纳米复合薄膜。
灵敏度电子扩散分析

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