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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]集成电路器件-CN202223348081.3有效
发明人： L·富尔诺;L·穆安德龙;G·布特卢 -专利权人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司;意法半导体(图尔)公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括由一个或多个集成金属绕组形成的电感部件，其中每个集成金属绕组至少部分地嵌入涂层中，所述涂层至少包括铁磁层。涂层还包括电介质层。
集成电路器件

[实用新型]电子器件-CN202222608861.0有效
发明人： L·穆安德龙;G·贝纳布德拉兹 -专利权人： 意法半导体(图尔)公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及电子器件。本实用新型涉及器件，所述器件包括：至少一个芯片，在封装件中，封装件包括支撑件，支撑件上具有搁置在其上的至少一个芯片；以及保护层，覆盖至少一个芯片，支撑件包括由绝缘材料制成的堆叠层，变压器由第一导电轨道和第二导电轨道形成在支撑件中。
电子器件

[发明专利]电子组件的制造-CN202310061835.7在审
发明人： N·莫德;L·法卢尔;L·巴罗 -专利权人： 意法半导体(图尔)公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及一种制造电子组件的方法和所获得的包括衬底的组件，包括连续步骤：在包括至少一个电触点的衬底的第一表面上和至少部分地在所述衬底的侧向侧面上沉积第一树脂的第一层，所述第一树脂通过研磨而被激活以变得导电；在所述衬底的侧面上部分地研磨所述第一层。
电子组件制造

[发明专利]用于制造侧向绝缘的集成电路芯片的方法-CN201810771205.8有效
发明人： M·罗维瑞;M·布夫尼彻尔;E·拉孔德 -专利权人： 意法半导体(图尔)公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及一种用于制造侧向绝缘的集成电路芯片的方法。侧向绝缘的集成电路芯片从半导体晶圆制得。外围沟槽被形成在晶圆中，所述外围沟槽侧向地界定待形成的所述集成电路芯片。所述外围沟槽的深度大于或等于所述集成电路芯片的期望最终厚度。外围沟槽通过重复下列相继步骤的过程而形成：a)使用六氟化硫等离子体进行离子蚀刻；以及b)使用八氟环丁烷等离子体进行钝化。在完成形成所述外围沟槽的步骤时，所述外围沟槽的侧向壁被聚氟乙烯的绝缘层所覆盖。在所述晶圆的较低表面上执行减薄步骤，直到到达所述外围沟槽的底部。所述绝缘层不被移除。
用于制造侧向绝缘集成电路芯片方法

[发明专利]腔体形成方法-CN202310013907.0在审
发明人： M·布夫尼彻尔 -专利权人： 意法半导体(图尔)公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开涉及腔体形成方法。本说明书涉及一种在衬底中形成腔体的方法，包括：形成蚀刻掩模，蚀刻掩模包括与腔体的位置相对的多组开口，每组的开口和掩模之间的比率根据与其中刻有该组的掩模的表面相对的腔体的期望轮廓来选择；以及通过所述开口湿蚀刻衬底。
体形成方

[实用新型]电子器件-CN202222306165.4有效
发明人： O·奥里;M·德克鲁兹 -专利权人： 意法半导体(图尔)公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及电子器件，其特征在于，包括：第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；第一树脂，在所述第一侧处，所述第一树脂包括侧翼；第二树脂，在所述第二侧处；集成电路，包封在所述第一树脂和所述第二树脂内；以及金属接触件，在所述第二侧处，所述金属接触件包括从所述第一树脂的所述侧翼突出的托架部分。利用本公开的实施例有利地允许将电子芯片容易地安装在印刷电路板上。
电子器件

[发明专利]电感部件及制造方法-CN202211603663.3在审
发明人： L·富尔诺;L·穆安德龙;G·布特卢 -专利权人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司;意法半导体(图尔)公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及电感部件及制造方法。一种集成电路器件包括至少一个电感部件，该电感部件具有至少一个集成金属绕组，该金属绕组至少部分地嵌入涂层中。涂层包括至少一种铁磁材料。涂层可选地包括非磁性材料，例如电介质。
电感部件制造方法

[实用新型]电子设备-CN202222112771.2有效
发明人： P·奥特克尔 -专利权人： 意法半导体(图尔)公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本描述涉及电子设备。电子设备包括半导体衬底；半导体衬底包括：第一层；在第一层上的第二层，第二层包括多个空穴；以及在第二层上的第三层，第三层包括多个电荷载流子陷阱。本实用新型的技术提供了改进性能的射频组件。
电子设备

[发明专利]双向开关-CN201811133400.4有效
发明人： S·蒙纳德;D·阿利 -专利权人： 意法半导体(图尔)公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本申请涉及双向开关。提供一种形成在衬底中的双向开关，包括：反并联的第一主垂直晶闸管和第二主垂直晶闸管；第三辅助垂直晶闸管，具有与第一晶闸管的背表面层相同的背表面层；外围区域，围绕这些晶闸管，并且将背表面层连接至定位在衬底的另一侧的第三晶闸管的相同导电类型的中间层；金属化层，连接第一晶闸管和第二晶闸管的背表面；以及绝缘结构，定位在第三晶闸管的背表面层和金属化层之间，并且在第一晶闸管的外围下方延伸，这种结构包括：由绝缘材料制成的第一区域；以及由半导体材料制成的互补区域。
双向开关

[发明专利]高压垂直功率部件-CN201911099089.0有效
发明人： S·梅纳德;G·戈蒂埃 -专利权人： 意法半导体(图尔)公司;法国国立图尔大学
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及高压垂直功率部件。一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚度的深度。
高压垂直功率部件

[发明专利]过电压保护设备-CN202310270990.X在审
发明人： J-M·西莫内;S·恩古;S·拉斯库纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体(图尔)公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及过电压保护设备。提供了过电压保护电路。在一些实施例中，过电压保护电路包括：第一二极管，该第一二极管由具有大于硅的带隙宽度的带隙宽度的第一半导体材料制成。第二二极管被包括，并且第二二极管与第一二极管电交叉耦合。第二二极管由与不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成。
过电压保护设备

[发明专利]过电压保护设备-CN201710946260.1有效
发明人： P·拉比耶 -专利权人： 意法半导体(图尔)公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本文公开了过电压保护设备。在一些实施例中，一种设备包括：具有高于或等于电源电压的击穿电压的双向二极管；以及具有高于或等于电源电压的击穿电压的单向二极管，双向二极管和单向二极管串联。二极管中的一个二极管是雪崩二极管，另一个二极管是肖克利二极管。
过电压保护设备

[发明专利]封装件衬底中的变压器-CN202211209950.6在审
发明人： L·穆安德龙;G·贝纳布德拉兹 -专利权人： 意法半导体(图尔)公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01F27/30 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及封装件衬底中的变压器。本发明涉及器件，所述器件包括：至少一个芯片，在封装件中，封装件包括支撑件，支撑件上具有搁置在其上的至少一个芯片；以及保护层，覆盖至少一个芯片，支撑件包括由绝缘材料制成的堆叠层，变压器由第一导电轨道和第二导电轨道形成在支撑件中。
封装衬底中的变压器

[发明专利]过电压保护设备-CN202010144570.3有效
发明人： J-M·西莫内;S·恩古;S·拉斯库纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体(图尔)公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及过电压保护设备。提供了过电压保护电路。在一些实施例中，过电压保护电路包括：第一二极管，该第一二极管由具有大于硅的带隙宽度的带隙宽度的第一半导体材料制成。第二二极管被包括，并且第二二极管与第一二极管电交叉耦合。第二二极管由与不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成。
过电压保护设备

[发明专利]射频组件的制造方法-CN202210966830.4在审
发明人： P·奥特克尔 -专利权人： 意法半导体(图尔)公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本描述涉及射频组件的制造方法。一种制造设备的方法，该设备包括半导体衬底上的至少一个射频组件，该方法包括：a)在衬底的上表面侧对衬底的第一厚度进行激光退火；b)在衬底的上表面上形成绝缘层；和c)在绝缘层上形成所述至少一个射频组件。
射频组件制造方法

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