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[发明专利]薄膜晶体管、显示单元和电子设备-CN201310030053.3有效
发明人： 德永和彦;荒井俊明 -专利权人：株式会社日本有机雷特显示器
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开提供薄膜晶体管、显示单元和电子设备。该薄膜晶体管包括：栅极电极；栅极绝缘膜，设置在该栅极电极上；氧化物半导体层，设置在该栅极绝缘膜上并且具有面对该栅极电极设置的沟道区域；沟道保护层，设置在该栅极绝缘膜和该氧化物半导体层上；以及源极电极和漏极电极，该源极电极和漏极电极的每一个通过在该沟道保护层中形成的连接孔连接到该氧化物半导体层，其中在该沟道区域的一部分中该氧化物半导体层具有狭窄区域，该狭窄区域的宽度窄于该连接孔的宽度。
薄膜晶体管显示单元电子设备

[发明专利]薄膜晶体管和显示器件-CN201010104366.5有效
发明人：荒井俊明;诸沢成浩;德永和彦;佐川裕志;三浦究 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了易于向氧化物半导体层供氧并能够恢复优良的晶体管特性的薄膜晶体管，并公开了包括上述薄膜晶体管的显示器件。所述薄膜晶体管包括在基板上依次设置的栅极电极、栅极绝缘膜、设有沟道区域的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层。在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电极，并且所述源极电极和所述漏极电极中的至少一者具有使所述氧化物半导体层露出的开口部。本发明的薄膜晶体管易于从开口部向氧化物半导体层供氧，并且能够恢复优良的晶体管特性。包含该薄膜晶体管的显示器件由于抑制了薄膜晶体管的氧化物半导体层的低阻抗性，因而能够抑制漏电流，并且能够以高亮度进行光显示。
薄膜晶体管显示器件

[发明专利]薄膜晶体管、显示单元和制造薄膜晶体管的方法-CN200910253625.8无效
发明人：荒井俊明;诸泽成浩;德永和彦 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管、显示单元和制造薄膜晶体管的方法。一种薄膜晶体管包括：栅电极；形成在栅电极上的栅绝缘膜；氧化物半导体薄膜层，该层在栅绝缘膜上形成对应于栅电极的沟道区；沟道保护层，该层被形成在栅绝缘膜和氧化物半导体薄膜层上至少与沟道区相对应的区域中，并且包括下层侧的第一沟道保护层和上层侧的第二沟道保护层；和源/漏电极，该源/漏电极被形成在沟道保护层上并且电连接至氧化物半导体薄膜层，其中第一沟道保护层由氧化物绝缘材料制成，并且第一沟道保护层和第二沟道保护层中的一者或两者由低氧渗透性材料制成。
薄膜晶体管显示单元制造方法

[发明专利]薄膜晶体管和显示装置-CN200910224527.1有效
发明人： 德永和彦 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过抑制电气特性的劣化而提高可靠性的薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：形成沟道的氧化物半导体膜；经由栅极绝缘膜放置在氧化物半导体膜的一侧上的栅电极；以及作为源电极和漏电极、与氧化物半导体膜相接触地形成的一对电极，所述一对电极是通过从氧化物半导体膜的一侧按顺序叠层至少第一和第二金属层而获得的。第一金属层由离子化能量等于或高于钼(Mo)的金属、具有阻氧性的金属、或具有阻氧性的金属的氮化物或硅氮化物制成。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管的方法-CN200910173792.1有效
发明人： 德永和彦 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管以及制造该薄膜晶体管的方法。该薄膜晶体管包括：沟道层，主要包含导电性氧化物半导体；位于沟道层上的一对电极；以及保护膜，覆盖沟道层的暴露面，暴露于该对电极之间的间隙。保护膜从沟道层侧开始依次至少包括与沟道层接触的氧气传输膜以及与氧气传输膜相比几乎不传输氧气的氧气阻隔膜。氧气阻隔膜在该对电极彼此相对的方向中的长度等于或大于通过将该对电极在与该对电极彼此相对的方向垂直的方向中的宽度乘以0.55而获得的值。
薄膜晶体管以及制造方法

[发明专利]阴离子交换树脂的制造方法、阴离子交换树脂、阳离子交换树脂的制造方法、阳离子交换树脂、混床树脂和电子部件和 /或材料清洗用超纯水的制造方法-CN200880012332.4有效
发明人：福井长雄;水庭哲夫;德永和彦;安冨雅子 -专利权人：栗田工业株式会社;三菱化学株式会社
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： B01J41/14 文献下载
摘要：本发明涉及阴离子交换树脂的制造方法、阴离子交换树脂、阳离子交换树脂的制造方法、阳离子交换树脂、混床树脂和电子部件和/或材料清洗用超纯水的制造方法。该阴离子交换树脂的制造方法包括下述(1-a)～(1-e)工序，该方法抑制了杂质的残存和分解物的产生，并且溶出物少。(1-a)工序：使单乙烯基芳香族单体和交联性芳香族单体共聚，得到交联共聚物；(1-b)工序：相对于1g交联共聚物，使特定的溶出性化合物的含量为400μg以下；(1-c)工序：对交联共聚物进行卤烷基化，将相对于单乙烯基芳香族单体为80摩尔％以下的卤烷基导入；(1-d)工序：从卤烷基化交联共聚物中除去特定的溶出性化合物；(1-e)工序：使卤烷基化交联共聚物与胺化合物反应。
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