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[发明专利]生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法-CN201611166965.3有效
发明人：李国强;高芳亮;温雷;张曙光;徐珍珠;韩晶磊;余粤锋 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为40‑80nm。本发明还公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法。本发明的纳米柱直径均一，同时解决了InN因与Si之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。
生长 si 衬底 inn 纳米外延及其制备方法

[发明专利]基于条形脊形波导混合结构的光学多模干涉耦合器-CN202310386870.6在审
发明人：李泽正;高旭东;徐珍珠;朱宇鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供一种基于条形脊形波导混合结构的光学多模干涉耦合器，涉及集成光学领域。该耦合器一体化成形，从信号的输入至输出方向依次包括：脊形结构的单模输入波导、锥形渐变输入波导，条形结构的多模波导、脊形结构的锥形渐变输出波导、单模输出波导。脊形结构的波导包括脊部波导和平板区波导；单模输入波导的脊部波导宽度与锥形渐变输入波导的最小脊部波导宽度相等；锥形渐变输入波导的最大脊部波导宽度之和小于多模波导的宽度；锥形渐变输出波导的最大脊部波导宽度之和小于多模波导的宽度；锥形渐变输出波导的最小脊部波导宽度与单模输出波导的脊部宽度相等。基于上述耦合器，组成电子元器件的结构，无需使用传统渐变转换结构。
基于条形脊形波导混合结构光学干涉耦合器

[发明专利]微波光子镜频抑制混频芯片及混频方法-CN202310383614.1在审
发明人： 徐珍珠;梅理;崇毓华;高旭东;韩守宝;杨承坤 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H04B10/50 文献下载
摘要：本发明公开一种微波光子镜频抑制混频芯片及混频方法，芯片集成了光栅耦合器、1×2MMI、2个单输入双输出的单端推挽式硅基载流子耗尽型调制器、2个2×2MMI，2个GeSi平衡光探测器；该方案基于单个双平行调制器结构，结合平衡探测结构，即能实现正交中频信号的输出与镜频抑制，系统结构简单、稳定性高；无需使用窄带光带通滤波器，系统工作带宽大；采用平衡探测结构，系统相对强度噪声、射频泄露项被抑制，同时输出的中频项增益提高，系统信噪比增大。
微波光子抑制混频芯片方法

[发明专利]一种共面带状线行波电极及硅基马赫曾德尔调制器-CN202011290716.1有效
发明人： 徐珍珠;朱宇鹏;高旭东;曹继明;崇毓华;梅理 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开一种共面带状线行波电极及硅基马赫曾德尔调制器，具有共面波导‑共面带状线的宽带过渡结构，所述共面带状线行波电极包括第一接地线、信号线、第二接地线；所述第一地极接入端、所述信号接入端、所述第二地极接入端、所述第一过渡段、所述第二过渡段、所述场耗散过渡段构成共面波导‑共面带状线的过渡结构；所述第一地极接入端、所述信号接入端、所述第二地极接入端构成的共面波导结构；本发明通过共面带状线行波电极结构的利用，使得依靠一组行波电极即可实现单端推挽驱动，减小了电极面积，适用于多个调制器的集成，提高了集成度。
一种带状线行波电极马赫曾德尔调制器

[发明专利]一种硅基集成微波光子下变频芯片及其下变频实现方法-CN202111523769.8有效
发明人： 徐珍珠;朱宇鹏;高旭东;崇毓华;曹继明;梅理;李泽正;涂路奇 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H04B10/50 文献下载
摘要：一种硅基集成微波光子下变频芯片及其下变频方法，属于微波光子技术领域，解决现有技术中基于分立器件实现的微波光子下变频系统尺寸大、不利于集成以及现有的微波光子下变频技术方案复杂度高、能量损耗较大、系统转换效率低的问题；在与CMOS工艺兼容的SOI平台上集成光栅耦合器、两个硅基相位调制器、热光移相器、2×2的3dB光耦合器、GeSi平衡光探测器，实现了芯片化，尺寸小、集成度高；使用两个硅基相位调制器即可实现微波光子信号下变频，结构简单、链路损耗小、变频效率高；采用平衡式差频探测，两路光电流信号相减，部分噪声和直流项被抵消，降低了系统中激光器产生的输入噪声水平。
一种集成微波光子变频芯片及其实现方法

[发明专利]一种针对特定害虫的诱杀设备-CN202310311892.6在审
发明人：宋俊奇;苏一世;徐珍珠;张治威 -专利权人：郑州欧柯奇仪器制造有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： A01M1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对特定害虫的诱杀设备，包括上基体、下基体和连接上基体和下基体的支撑部，以及安装于下基体底部的锥筒，所述锥筒的底端可拆卸连接有收集仓，所述支撑部设置于中部并竖直延伸，所述支撑部上设置有可拆卸的安装筒，所述安装筒内部设置有诱芯，所述支撑部的外周间隔分布有透明亚克力板和电网板，所述下基体的中部开设倒锥形的落虫仓，所述锥筒内安装有导流板和摄像头。本发明，利用昆虫性信息素可以24小时诱芯引诱特定的目标害虫，对天敌昆虫无害，通过在收集仓内设置承载板和振动电机，被诱杀的害虫落在承载板上，振动电机能够驱动承载板振动，以将承载板上的害虫铺平，方便摄像头拍摄记录。
一种针对特定害虫诱杀设备

[发明专利]一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用-CN201811150347.9有效
发明人：李国强;徐珍珠;高芳亮;张曙光;温雷;余粤锋 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C25B11/093 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用，其中，贵金属Au纳米粒子的SPR效应可以进一步增强半导体InGaN纳米柱对太阳光的吸收；此外，Au纳米粒子与半导体InGaN纳米柱界面处产生的肖特基势垒有利于促进光生电子空穴对的分离，从而提高器件的PEC光电转换效率。本发明制备Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构的方法，具有生长工艺简单、可重复性强的优点。最后，本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合材料，禁带宽度在0.67~3.4 eV范围可调，具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。
一种 si 衬底 ingan 纳米 au 粒子复合结构及其制备方法应用

[发明专利]一种光开关阵列的校准控制电路-CN202111591919.9有效
发明人：高旭东;肖士研;李泽正;梅理;朱宇鹏;徐珍珠;曹继明;崇毓华;涂路奇 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03K17/94 文献下载
摘要：本发明公开了一种光开关阵列的校准控制电路，包括控制电路、驱动电路、反馈校准电路及微波光子链路，控制电路包括FPGA、串并转换器和电开关，电开关包括两个输入端和两个输出端，微波光子链路包括光开关阵列，光开关阵列包括多个串联连接的电光开关，所述电光开关为双臂MZI结构，包括两个并行的移相器，反馈校准电路包括多通道ADC，驱动电路包括多通道DAC，每个电光开关的两个并行的移相器一一对应的连接一个电开关的两个输出端，每个电开关的两个输入端分别对应连接DAC的一个输出IO口；本发明的优点在于：解决现有技术元器件数量成本高，控制码传输时间长的问题。
一种开关阵列校准控制电路

[发明专利]一种基于啁啾布拉格光栅的光延时阵列芯片-CN202010632124.7有效
发明人：高旭东;朱宇鹏;徐珍珠;崇毓华;梅理;曹继明 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G02B6/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于啁啾布拉格光栅的光延时阵列芯片，包括若干待级联短延时波导和具有一个输入端口和两个输出端口的待级联功分结构，通过待级联功分结构将待级联短延时波导的输出端与其相邻待级联短延时波导的输入端连接，所有待级联短延时波导顺次级联，位于首端的待级联功分结构的输入端输入光信号，每个功分处输出一个特定延时量；本发明的优点在于：通过级联减少延时波导的横向尺寸，通过待级联功分结构构建多通道输出，实现通道间延时路径共用，增加芯片的集成度，大幅度减少芯片加工面积，从而减少加工成本。
一种基于啁啾布拉格光栅延时阵列芯片

[发明专利]宽带阵列微波射频前端及雷达-CN202110253151.8有效
发明人：王冰;朱宇鹏;高旭东;徐珍珠;崇毓华;梅理;曹继明 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种宽带阵列微波射频前端及雷达，涉及微电子和集成光电子技术领域。本发明包括宽带微波光电收发模块和子阵级光控波束形成网络模块，宽带微波光电收发模块与子阵级光控波束形成网络模块通过合束/波分复用技术连接。其中宽带微波光电收发模块用于根据天线阵列规模需求进行匹配并完成宽带射频信号的收发以及微波信号在光载波上的调制解调处理。子阵级光控波束形成网络模块用于对光域上的宽带射频信号进行子阵之间的真延时处理，进而完成多波束的二维扫描控制。本发明实现超大阵列规模的宽带微波射频信号的收发处理以及多波束二维扫描控制等功能，实现宽带低损耗传输。
宽带阵列微波射频前端雷达

[发明专利]一种微波光子MIMO雷达收发系统-CN202210042053.4在审
发明人：曹继明;崇毓华;梅理;徐珍珠;高旭东;朱宇鹏;王冰;涂路奇;李泽正 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01S17/89 文献下载
摘要：一种微波光子MIMO雷达收发系统，属于雷达探测技术领域，解决发射端的高重复频率的光频梳信号难以产生以及接收端去斜中频信号杂散量高的问题；发射端生成两个不同重复频率的光频梳信号，一路光频梳信号作为本振光频梳信号，另一路光频梳信号作为光载波被基带线性调频信号调制，调制后的光频梳信号分为两路，一路与本振光频梳信号拍频得到上变频的M路发射波形，另一路传输到接收子系统作为参考光信号；接收端N路接收天线接收到雷达回波信号后调制到发射子系统耦合过来的光频梳信号上，并与参考光信号耦合后输入到光电探测器中进行拍频，得到回波信号的M×N路去斜中频信号，再经模数转换后进行数字信号处理得到回波信号中携带的目标信息。
一种微波光子 mimo 雷达收发系统

[发明专利]一种硅基光子收发芯片及其高信噪比模拟光链路实现方法-CN202111523911.9在审
发明人： 徐珍珠;高旭东;朱宇鹏;崇毓华;曹继明;梅理;李泽正;涂路奇 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：一种硅基光子收发芯片及其高信噪比模拟光链路实现方法，属于微波光子技术领域，解决现有技术中基于分立器件实现的模拟光链路尺寸大、不利于集成以及串联、并联多调制器架构的模拟光链路损耗大、系统复杂度高的问题；本发明的技术方案仅采用单个相位调制器与平衡光探测器即可实现电光‑光电转换的模拟光链路，实现面向模拟光链路的硅基光子收发芯片，具有芯片尺寸小、集成度高的优势；相比于基于串行、并行等复杂结构调制器的模拟光链路，本发明的模拟光链路结构简单，避免了串联、并联多调制器架构的模拟光链路损耗大、系统复杂的问题。
一种光子收发芯片及其高信噪模拟光链路实现方法

[发明专利]一种倒装焊电光调制器封装装置-CN202110614067.4在审
发明人：崇毓华;曹继明;徐珍珠;朱国振;梅理;王冰;闵志先 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装焊电光调制器封装装置，包括管壳、电光调制器芯片、带状线以及射频连接器，所述电光调制器芯片位于管壳内，所述带状线位于管壳的壳体与电光调制器芯片之间，电光调制器芯片的直流与射频电极通过倒装焊的方式与带状线连接，所述带状线与射频连接器连接；本发明的优点在于：降低设计布局的难度，减少寄生电容和寄生电感，避免调制带宽受影响，同时利用带状线替代传统的微带线，加强信号屏蔽作用，有效改善腔体效应和射频信号间的串扰，避免多了信号串扰。
一种倒装电光调制器封装装置

[发明专利]在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法-CN201811524550.8有效
发明人：张曙光;林早阳;李国强;徐珍珠 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法，包括以下步骤：(1)衬底以及晶向选取：选Si(111)作为衬底；(2)衬底表面清洗与再氧化；(3)衬底退火处理：将衬底放入反应腔内，在690～720℃对处理过的Si衬底进行10～15分钟的退火处理；(4)GaAs纳米线的制备：采用分子束外延生长工艺，利用两步温度法在经过上述处理后的Si衬底上生长GaAs纳米线。本发明具有生长工艺简单，制备成本低，可以生长出密度高，形貌好的GaAs纳米线的优点。同时本发明制备的GaAs纳米线晶体质量好，比表面积大，没有引入异质元素杂质，具有较高的发光效率和光吸收率。
si 衬底生长 gaas 纳米方法

[发明专利]基于倏逝波耦合方式的波导集成光电探测器-CN202010901062.5在审
发明人：朱宇鹏;徐珍珠;高旭东;崇毓华;梅理;曹继明 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于倏逝波耦合方式的波导集成光电探测器，涉及集成光电子技术领域。工作时在阴极和阳极加载反偏电压，通过吸光层对脊型波导的脊部呈半包围分布的结构，吸光层可对硅脊波导的顶部和两侧接触面传递的光信号进行高效吸收，在吸光层尺寸相同的条件下，本发明实施例中吸光层对光的吸收效率可达87.1％(归一化数据)，并提高吸光层对光的吸收效率、光生电流以及响应度，进而提高光电转换能力。且与常规的基于倏逝波耦合方式的波导集成光电探测器相比，本发明中，波导的宽度和厚度符合相同工艺要求，吸光层的宽度、厚度相同。对吸光层生长工艺精度的要求并无量级上的提升。
基于倏逝波耦合方式波导集成光电探测器

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