专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]TFT背板与显示面板-CN202110848391.2有效
  • 陈远鹏;徐源竣 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2021-07-27 - 2023-08-01 - H01L27/12
  • 本申请实施例提供一种TFT背板与显示面板。TFT背板包括驱动TFT,驱动TFT包括依次层叠且间隔设置的遮光层、有源层、栅极以及源漏极金属层;遮光层和栅极均与有源层对应设置;源漏极金属层包括源极、漏极以及转接层;转接层分别连接栅极和遮光层,使栅极和遮光层电性连接。本申请实施例提供的TFT背板,采用遮光层对有源层进行遮盖,以提高驱动TFT的光照稳定性,同时还采用与源极和漏极同层设置的转接层来连接栅极和遮光层,使得驱动TFT形成双栅极TFT结构,能够提高驱动TFT的输出电流,并保证TFT背板具有较好的稳定性,该TFT背板可用于实现大尺寸高刷新率高亮度的显示面板的驱动。
  • tft背板显示面板
  • [发明专利]显示面板及其制作方法-CN202111498839.9有效
  • 陈远鹏;徐源竣 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2021-12-09 - 2023-05-30 - H01L27/12
  • 一种显示面板包含依次层叠设置的基板、第一金属层、第一绝缘层、氧化物半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层以及第三金属层。所述第一绝缘层包含第一区域及与所述第一区域相邻的一第二区域,所述第二区域的厚度小于所述第一区域的厚度。所述氧化物半导体层的至少一部分在所述基板上的投影与所述第一金属层在所述基板上的投影重合。所述第三金属层通过第三过孔与所述第一金属层连接,所述第三过孔贯穿所述第一绝缘层和所述第三绝缘层,从而提升TFT电性的均匀性以及显示品质。本发明还提供一种显示面板的制作方法。
  • 显示面板及其制作方法
  • [发明专利]柔性显示面板-CN202111488237.5有效
  • 曹蔚然;林高波;徐源竣 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2021-12-08 - 2023-05-30 - H10K59/123
  • 本申请提供一种柔性显示面板。柔性显示面板包括柔性衬底薄膜晶体管层以及有机平坦层。薄膜晶体管层设置于柔性衬底上且位于显示区,薄膜晶体管层包括层叠设置的多个绝缘层,薄膜晶体管层远离柔性衬底的表面开设有第一通孔,第一通孔贯穿多个绝缘层中的至少一个。有机平坦层覆盖于薄膜晶体管层远离柔性衬底的一侧,并填充第一通孔。本申请通过在薄膜晶体管层的多个绝缘层中开设第一通孔,当对柔性显示面板施加弯折力时,应力施加在与薄膜晶体管相邻设置的第一通孔里,可有效减少弯折对柔性显示面板的损伤,改善产品弯折性能。
  • 柔性显示面板
  • [发明专利]一种显示面板以及电子装置-CN202010062240.X有效
  • 陈远鹏;徐源竣;刘兆松 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2020-01-19 - 2023-04-18 - H01L27/12
  • 本发明提供一种显示面板以及电子装置,该显示面板包括:衬底基板;金属氧化物半导体层,设于所述衬底基板上;栅绝缘层,部分设于所述金属氧化物半导体层上;第一金属层,部分设于所述栅绝缘层上,所述第一金属层包括栅极;保护层,设于所述栅极、所述栅绝缘层以及所述金属氧化物半导体层上;所述保护层的材料为金属氧化物;第一绝缘层,设于所述保护层上;第二金属层,设于所述第一绝缘层上,所述第二金属层包括源极和漏极。本发明的显示面板以及电子装置,能够提高薄膜晶体管的稳定性和薄膜晶体管的导电性能。
  • 一种显示面板以及电子装置
  • [发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制作方法-CN202110286956.2有效
  • 唐甲;徐源竣 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2021-03-17 - 2023-04-18 - H10K50/81
  • 本申请公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法,其中,显示面板包括依次设置的衬底基板、薄膜晶体管层、钝化层、平坦层和阳极层;其中薄膜晶体管层包括辅助电极,钝化层对应辅助电极处开设有第一开口,平坦层对应第一开口处开设有第二开口,阳极层包括位于第二开口内的隔断部,隔断部包括沿远离钝化层依次设置的第一支撑层和第一电极层,第一支撑层硬度大于第一电极层硬度,隔断部具有凸设于第二开口内侧面的凸出部,凸出部与辅助电极间有间隙,凸出部在薄膜晶体管层上的正投影与辅助电极部分重叠。本申请通过在阳极层中设置支撑层,在不增加光罩制程的情况下,阳极层凸设于第二开口内侧面的凸出部不会出现坍塌,保证阳极层的稳定性。
  • 显示面板显示装置制作方法
  • [发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示面板-CN201911092624.X有效
  • 陈远鹏;刘兆松;徐源竣 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2019-11-11 - 2023-01-24 - H01L29/786
  • 在本申请所提供的薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示面板中,通过在所述导电沟道图案以及所述基板上形成第一氧化硅层,并对第一氧化硅层进行等离子体原位处理,以形成第一氮氧化硅层;在第一氮氧化硅层上形成栅极金属层,对栅极金属层以及第一氮氧化硅层进行刻蚀,以形成栅极图案以及栅极绝缘层图案的技术手段,通过采用等离子体原位处理技术,把氧化硅材料转换为氮氧化硅材料,从而使与导电沟道层和栅极金属层接触的栅极绝缘层的上下界面均为含氢量低的氮氧化硅材料,解决了在满足绝缘介质层具备低氢元素含量的前提下提高绝缘介质层的介电常数及其与金属材料的界面特性的技术问题。
  • 薄膜晶体管制备方法显示面板
  • [发明专利]GSD TFT器件及其制作方法-CN201911092698.3有效
  • 唐甲;徐源竣;张晓星 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2019-11-11 - 2023-01-24 - H01L29/786
  • 一种GSD TFT器件包含一基板,一遮光金属层设置于所述基板上,一缓冲层设置于所述遮光金属层和所述基板上,一有源层设置于所述缓冲层上,且所述有源层包含一导体化有源区,一栅极绝缘层设置于所述有源层和所述缓冲层上,且所述栅极绝缘层包含多个栅极绝缘开口,所述多个栅极绝缘开口的宽度小于所述导体化有源区的宽度,一第一栅极设置于所述遮光金属层和所述栅极绝缘层上,一第二栅极设置于所述栅极绝缘层上,一源极设置于所述遮光金属层、所述缓冲层、所述导体化有源区和所述栅极绝缘层上,一漏极设置于所述栅极绝缘层和所述导体化有源区上。
  • gsdtft器件及其制作方法
  • [发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板-CN202210488642.5在审
  • 陈远鹏;徐源竣 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2022-05-06 - 2022-08-09 - H01L27/12
  • 本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板;该阵列基板包括位于显示区内的像素驱动电路及位于显示区周侧的外围电路区内的外围驱动电路,外围驱动电路包括第一薄膜晶体管,像素驱动电路包括第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的第一氧化物半导体图案和第二薄膜晶体管的第二氧化物半导体图案的迁移率不同。本发明实施例基于显示区和外围电路区对薄膜晶体管特性需求的差异,通过对外围电路区和显示区的薄膜晶体管的半导体图案采用不同迁移率的氧化物半导体材料,满足了显示面板同时兼顾高迁移率和稳定性的需求。
  • 阵列及其制作方法显示面板
  • [发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板-CN202010409479.X有效
  • 唐甲;徐源竣 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2020-05-14 - 2022-04-26 - H01L27/12
  • 本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,该阵列基板通过使得导体化部分的宽度大于空白部分的宽度,且使得第一导体化区域与第二导体化区域接触的区域的宽度,等于导体化部分与空白部分的宽度的差值,导体化部分的宽度与空白部分的宽度的差值大于预设值,使得在空白部分被刻蚀时,导体化部分由于宽度大于空白部分,导体化部分仍然能够从空白部分两侧导通,第一导体化区域和第二导体化区域仍然能够导通,从而增大了源漏极与导体化部分的搭接面积,使得side contact达成率增大,从而使得GSD TFT正常工作,解决了现有GSD TFT存在源漏极层与IGZO搭接面积较小,导致side contact成功率较低,导致GSD TFT良率较低的技术问题。
  • 阵列及其制备方法显示面板
  • [发明专利]薄膜晶体管及其制备方法-CN202110454398.6在审
  • 陈远鹏;徐源竣 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2021-04-26 - 2021-07-30 - H01L29/786
  • 本申请实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法,薄膜晶体管包括:基板、有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极和漏极。基板、有源层、第一绝缘层和栅极依次层叠设置,第二绝缘层设置于基板且第二绝缘层覆盖住有源层、第一绝缘层和栅极,栅极在第一绝缘层的投影位于第一绝缘层内或者与第一绝缘层重合。将源极和漏极间隔设置于第二绝缘层背离栅极的一侧,且源极在有源层的投影与栅极在有源层的投影不交叠,漏极在有源层的投影与栅极在有源层的投影不交叠。通过避免源极和漏极与栅极在有源层上的投影产生交叠,可以降低栅极和源极以及栅极和漏极之间的寄生电容,进而可改善显示面板的充电特性。
  • 薄膜晶体管及其制备方法
  • [发明专利]一种显示器件-CN202110463324.9在审
  • 张鹏;徐源竣 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2021-04-23 - 2021-07-30 - H01L27/12
  • 本发明公开了一种显示器件。显示面板包括显示器件。显示器件设有栅极驱动区,在所述栅极驱动区内包括第一晶体管器件;所述第一晶体管器件包括第一信号走线以及第二信号走线;所述第一信号走线电连接至栅极层,所述第二信号走线电连接至第一金属层,实现了采用双栅极的结构,可以单独通过第二信号走线提供电流大的栅极信号,或者同时通过第一信号走线以及第二信号走线提供电流大的栅极信号,提升了有源层的迁移率;而且在提升栅极驱动区域晶体管器件的迁移率和Vth稳定性的同时不会出现电流过大致使栅极驱动区驱动电路出现烧毁的情况,进而使得通过所述第一晶体管器件的信号电压值增大,使得通过栅极驱动区输出至显示区的扫描信号电压值增大。
  • 一种显示器件

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